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Formula Tensione incorporata di giunzione VLSI

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La tensione incorporata nella giunzione è definita come la tensione che esiste attraverso una giunzione del semiconduttore in equilibrio termico, dove non viene applicata alcuna tensione esterna. Controlla FAQs

Ø 0 = ([BoltZ] \cdot \frac{T}{[Charge-e]}) \cdot \ln (N A \cdot \frac{N D}{{(N i)}^{2}})

Ø₀ - Tensione incorporata di giunzione?T - Temperatura?N_A - Concentrazione dell'accettore?N_D - Concentrazione dei donatori?N_i - Concentrazione intrinseca?[BoltZ] - Costante di Boltzmann?[Charge-e] - Carica dell'elettrone?

Esempio di Tensione incorporata di giunzione VLSI

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Tensione incorporata di giunzione VLSI con Valori.

Ecco come appare l'equazione Tensione incorporata di giunzione VLSI con unità.

Ecco come appare l'equazione Tensione incorporata di giunzione VLSI.

0.7546 = (1.4E-23 \cdot \frac{300}{1.6E-19}) \cdot \ln (1E+16 \cdot \frac{1E+17}{{(1.5E+10)}^{2}})

0.7546V = (1.4E-23J/K \cdot \frac{300K}{1.6E-19C}) \cdot \ln (1E+161/cm³ \cdot \frac{1E+171/cm³}{{(1.5E+101/cm³)}^{2}})

0.7546 = (1.4E-23 \cdot \frac{300}{1.6E-19}) \cdot \ln (1E+16 \cdot \frac{1E+17}{{(1.5E+10)}^{2}})

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Fabbricazione VLSI » fx Tensione incorporata di giunzione VLSI

Tensione incorporata di giunzione VLSI Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Tensione incorporata di giunzione VLSI?

Primo passo Considera la formula

Ø 0 = ([BoltZ] \cdot \frac{T}{[Charge-e]}) \cdot \ln (N A \cdot \frac{N D}{{(N i)}^{2}})

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

Ø 0 = ([BoltZ] \cdot \frac{300K}{[Charge-e]}) \cdot \ln (1E+161/cm³ \cdot \frac{1E+171/cm³}{{(1.5E+101/cm³)}^{2}})

Passo successivo Valori sostitutivi delle costanti

∴

Ø 0 = (1.4E-23J/K \cdot \frac{300K}{1.6E-19C}) \cdot \ln (1E+161/cm³ \cdot \frac{1E+171/cm³}{{(1.5E+101/cm³)}^{2}})

Passo successivo Converti unità

∴

Ø 0 = (1.4E-23J/K \cdot \frac{300K}{1.6E-19C}) \cdot \ln (1E+221/m³ \cdot \frac{1E+231/m³}{{(1.5E+161/m³)}^{2}})

Passo successivo Preparati a valutare

∴

Ø 0 = (1.4E-23 \cdot \frac{300}{1.6E-19}) \cdot \ln (1E+22 \cdot \frac{1E+23}{{(1.5E+16)}^{2}})

Passo successivo Valutare

∴

Ø 0 = 0.75463200359389V

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

Ø 0 = 0.7546V

Tensione incorporata di giunzione VLSI Formula Elementi

Variabili

Costanti

Funzioni

Tensione incorporata di giunzione

La tensione incorporata nella giunzione è definita come la tensione che esiste attraverso una giunzione del semiconduttore in equilibrio termico, dove non viene applicata alcuna tensione esterna.

Simbolo: Ø₀

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione incorporata di giunzione

Temperatura

La temperatura riflette quanto è caldo o freddo un oggetto o un ambiente.

Simbolo: T

Misurazione: TemperaturaUnità: K

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Temperatura

Concentrazione dell'accettore

La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.

Simbolo: N_A

Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/cm³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Concentrazione dell'accettore

Concentrazione dei donatori

La concentrazione del donatore si riferisce alla concentrazione di atomi droganti donatori introdotti in un materiale semiconduttore per aumentare il numero di elettroni liberi.

Simbolo: N_D

Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/cm³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Concentrazione dei donatori

Concentrazione intrinseca

La concentrazione intrinseca si riferisce alla concentrazione di portatori di carica (elettroni e lacune) in un semiconduttore intrinseco all'equilibrio termico.

Simbolo: N_i

Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/cm³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Concentrazione intrinseca

Costante di Boltzmann

La costante di Boltzmann mette in relazione l'energia cinetica media delle particelle in un gas con la temperatura del gas ed è una costante fondamentale nella meccanica statistica e nella termodinamica.

Simbolo: [BoltZ]

Valore: 1.38064852E-23 J/K

Carica dell'elettrone

La carica dell'elettrone è una costante fisica fondamentale, che rappresenta la carica elettrica trasportata da un elettrone, che è la particella elementare con una carica elettrica negativa.

Simbolo: [Charge-e]

Valore: 1.60217662E-19 C

Il logaritmo naturale, noto anche come logaritmo in base e, è la funzione inversa della funzione esponenziale naturale.

Sintassi: ln(Number)

Altre formule nella categoria Ottimizzazione dei materiali VLSI

va Coefficiente di effetto corporeo

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

va Channel Charge

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

va Tensione critica

V x = E x \cdot E ch

va Coefficiente DIBL

η = \frac{V t0 - V t}{V ds}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Tensione incorporata di giunzione VLSI?

Il valutatore Tensione incorporata di giunzione VLSI utilizza Junction Built-in Voltage = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori/(Concentrazione intrinseca)^2) per valutare Tensione incorporata di giunzione, La formula VLSI della tensione incorporata della giunzione è definita come la tensione che esiste attraverso una giunzione del semiconduttore in equilibrio termico, dove non viene applicata alcuna tensione esterna. Tensione incorporata di giunzione è indicato dal simbolo Ø₀.

Come valutare Tensione incorporata di giunzione VLSI utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Tensione incorporata di giunzione VLSI, inserisci Temperatura (T), Concentrazione dell'accettore (N_A), Concentrazione dei donatori (N_D) & Concentrazione intrinseca (N_i) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Tensione incorporata di giunzione VLSI

Qual è la formula per trovare Tensione incorporata di giunzione VLSI?

La formula di Tensione incorporata di giunzione VLSI è espressa come Junction Built-in Voltage = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori/(Concentrazione intrinseca)^2). Ecco un esempio: 0.754632 = ([BoltZ]*300/[Charge-e])*ln(1E+22*1E+23/(1.45E+16)^2).

Come calcolare Tensione incorporata di giunzione VLSI?

Con Temperatura (T), Concentrazione dell'accettore (N_A), Concentrazione dei donatori (N_D) & Concentrazione intrinseca (N_i) possiamo trovare Tensione incorporata di giunzione VLSI utilizzando la formula - Junction Built-in Voltage = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentrazione dell'accettore*Concentrazione dei donatori/(Concentrazione intrinseca)^2). Questa formula utilizza anche le funzioni Costante di Boltzmann, Carica dell'elettrone costante(i) e Logaritmo naturale (ln).

Il Tensione incorporata di giunzione VLSI può essere negativo?

NO, Tensione incorporata di giunzione VLSI, misurato in Potenziale elettrico non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Tensione incorporata di giunzione VLSI?

Tensione incorporata di giunzione VLSI viene solitamente misurato utilizzando Volt[V] per Potenziale elettrico. Millvolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Tensione incorporata di giunzione VLSI.

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Esempio di Tensione incorporata di giunzione VLSI

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