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Formula Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET

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La tensione effettiva o tensione di overdrive è l'eccesso di tensione attraverso l'ossido che viene definito tensione termica. Controlla FAQs

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{i ds}{k' n \cdot (\frac{W c}{L})}}

V_ov - Tensione effettiva?i_ds - Corrente di drenaggio di saturazione?k'_n - Parametro di transconduttanza del processo?W_c - Larghezza del canale?L - Lunghezza del canale?

Esempio di Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET con Valori.

Ecco come appare l'equazione Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET con unità.

Ecco come appare l'equazione Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET.

0.1229 = \sqrt{2 \cdot \frac{4.721}{0.2 \cdot (\frac{10.15}{3.25})}}

0.1229V = \sqrt{2 \cdot \frac{4.721mA}{0.2A/V² \cdot (\frac{10.15μm}{3.25μm})}}

0.1229 = \sqrt{2 \cdot \frac{4.721}{0.2 \cdot (\frac{10.15}{3.25})}}

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Amplificatori » fx Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET

Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET?

Primo passo Considera la formula

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{i ds}{k' n \cdot (\frac{W c}{L})}}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{4.721mA}{0.2A/V² \cdot (\frac{10.15μm}{3.25μm})}}

Passo successivo Converti unità

∴

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{0.0047A}{0.2A/V² \cdot (\frac{1E-5m}{3.3E-6m})}}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

V ov = \sqrt{2 \cdot \frac{0.0047}{0.2 \cdot (\frac{1E-5}{3.3E-6})}}

Passo successivo Valutare

∴

V ov = 0.122949186508306V

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

V ov = 0.1229V

Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET Formula Elementi

Variabili

Funzioni

Tensione effettiva

La tensione effettiva o tensione di overdrive è l'eccesso di tensione attraverso l'ossido che viene definito tensione termica.

Simbolo: V_ov

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione effettiva

Corrente di drenaggio di saturazione

La corrente di drain di saturazione è definita come la corrente sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione gate-source.

Simbolo: i_ds

Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Corrente di drenaggio di saturazione

Parametro di transconduttanza del processo

Il parametro di transconduttanza del processo è il prodotto della mobilità degli elettroni nel canale e della capacità dell'ossido.

Simbolo: k'_n

Misurazione: Parametro di transconduttanzaUnità: A/V²

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Parametro di transconduttanza del processo

Larghezza del canale

La larghezza del canale è la dimensione del canale del MOSFET.

Simbolo: W_c

Misurazione: LunghezzaUnità: μm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Larghezza del canale

Lunghezza del canale

La lunghezza del canale, L, che è la distanza tra le due giunzioni -p.

Simbolo: L

Misurazione: LunghezzaUnità: μm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Lunghezza del canale

sqrt

Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.

Sintassi: sqrt(Number)

Altre formule nella categoria Caratteristiche dell'amplificatore a transistor

va Tensione di scarico totale istantanea

V d = V fc - R d \cdot i d

va Corrente che scorre attraverso il canale indotto nel transistor data la tensione di ossido

i o = (μ e \cdot C ox \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot (V ox - V t)) \cdot V ds

va Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione

i ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot {(V ov)}^{2}

va Tensione di ingresso nel transistor

V fc = R d \cdot i d - V d

Vedi altro OpenImg

Come valutare Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET?

Il valutatore Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET utilizza Effective Voltage = sqrt(2*Corrente di drenaggio di saturazione/(Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale))) per valutare Tensione effettiva, Tensione effettiva complessiva del MOSFET La transconduttanza è la tensione applicata a un dispositivo o sistema, tenendo conto di eventuali cadute di tensione lungo il percorso del circuito. Tensione effettiva è indicato dal simbolo V_ov.

Come valutare Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET, inserisci Corrente di drenaggio di saturazione (i_ds), Parametro di transconduttanza del processo (k'_n), Larghezza del canale (W_c) & Lunghezza del canale (L) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET

Qual è la formula per trovare Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET?

La formula di Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET è espressa come Effective Voltage = sqrt(2*Corrente di drenaggio di saturazione/(Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale))). Ecco un esempio: 0.122949 = sqrt(2*0.004721/(0.2*(1.015E-05/3.25E-06))).

Come calcolare Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET?

Con Corrente di drenaggio di saturazione (i_ds), Parametro di transconduttanza del processo (k'_n), Larghezza del canale (W_c) & Lunghezza del canale (L) possiamo trovare Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET utilizzando la formula - Effective Voltage = sqrt(2*Corrente di drenaggio di saturazione/(Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale))). Questa formula utilizza anche le funzioni Funzione radice quadrata.

Il Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET può essere negativo?

NO, Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET, misurato in Potenziale elettrico non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET?

Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET viene solitamente misurato utilizzando Volt[V] per Potenziale elettrico. Millvolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Tensione effettiva complessiva della transconduttanza del MOSFET.

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