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Formula Tensione di saturazione dell'IGBT

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La tensione di saturazione dal collettore all'emettitore (IGBT) di un transistor bipolare a gate isolato è la caduta di tensione attraverso l'IGBT quando è acceso e conduce corrente. Controlla FAQs

V c-e(sat)(igbt) = V B-E(pnp)(igbt) + I d(igbt) \cdot (R s(igbt) + R ch(igbt))

V_{c-e(sat)(igbt)} - Tensione di saturazione dal collettore all'emettitore (IGBT)?V_{B-E(pnp)(igbt)} - Tensione base emettitore PNP IGBT?I_d(igbt) - Corrente di drenaggio (IGBT)?R_s(igbt) - Conducibilità Resistenza IGBT?R_ch(igbt) - Resistenza canale N (IGBT)?

Esempio di Tensione di saturazione dell'IGBT

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Tensione di saturazione dell'IGBT con Valori.

Ecco come appare l'equazione Tensione di saturazione dell'IGBT con unità.

Ecco come appare l'equazione Tensione di saturazione dell'IGBT.

1222.25 = 2.15 + 105 \cdot (1.03 + 10.59)

1222.25V = 2.15V + 105mA \cdot (1.03kΩ + 10.59kΩ)

1222.25 = 2.15 + 105 \cdot (1.03 + 10.59)

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Elettronica di potenza » fx Tensione di saturazione dell'IGBT

Tensione di saturazione dell'IGBT Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Tensione di saturazione dell'IGBT?

Primo passo Considera la formula

V c-e(sat)(igbt) = V B-E(pnp)(igbt) + I d(igbt) \cdot (R s(igbt) + R ch(igbt))

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

V c-e(sat)(igbt) = 2.15V + 105mA \cdot (1.03kΩ + 10.59kΩ)

Passo successivo Converti unità

∴

V c-e(sat)(igbt) = 2.15V + 0.105A \cdot (1030Ω + 10590Ω)

Passo successivo Preparati a valutare

∴

V c-e(sat)(igbt) = 2.15 + 0.105 \cdot (1030 + 10590)

Ultimo passo Valutare

∴

V c-e(sat)(igbt) = 1222.25V

Tensione di saturazione dell'IGBT Formula Elementi

Variabili

Tensione di saturazione dal collettore all'emettitore (IGBT)

La tensione di saturazione dal collettore all'emettitore (IGBT) di un transistor bipolare a gate isolato è la caduta di tensione attraverso l'IGBT quando è acceso e conduce corrente.

Simbolo: V_{c-e(sat)(igbt)}

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione di saturazione dal collettore all'emettitore (IGBT)

Tensione base emettitore PNP IGBT

Tensione base emettitore PNP IGBT. Un IGBT è un dispositivo ibrido che combina i vantaggi di un MOSFET e di un BJT.

Simbolo: V_{B-E(pnp)(igbt)}

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione base emettitore PNP IGBT

Corrente di drenaggio (IGBT)

La corrente di drain (IGBT) è la corrente che scorre attraverso la giunzione di drain del MOSFET e dell'IGBT.

Simbolo: I_d(igbt)

Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Corrente di drenaggio (IGBT)

Conducibilità Resistenza IGBT

Conduttività Resistenza IGBT è la resistenza quando un IGBT è acceso e conduce corrente.

Simbolo: R_s(igbt)

Misurazione: Resistenza elettricaUnità: kΩ

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Conducibilità Resistenza IGBT

Resistenza canale N (IGBT)

La resistenza del canale N (IGBT) è la resistenza del materiale semiconduttore nel dispositivo quando l'IGBT è acceso.

Simbolo: R_ch(igbt)

Misurazione: Resistenza elettricaUnità: kΩ

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Resistenza canale N (IGBT)

Altre formule nella categoria IGBT

va Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON

V ON(igbt) = i f(igbt) \cdot R ch(igbt) + i f(igbt) \cdot R d(igbt) + V j1(igbt)

va Orario di spegnimento dell'IGBT

T off(igbt) = T dl(igbt) + t f1(igbt) + t f2(igbt)

va Corrente dell'emettitore dell'IGBT

I e(igbt) = I h(igbt) + i e(igbt)

va Capacità di ingresso dell'IGBT

C in(igbt) = C (g-e)(igbt) + C (g-c)(igbt)

Vedi altro OpenImg

Come valutare Tensione di saturazione dell'IGBT?

Il valutatore Tensione di saturazione dell'IGBT utilizza Collector to Emitter Saturation Voltage (IGBT) = Tensione base emettitore PNP IGBT+Corrente di drenaggio (IGBT)*(Conducibilità Resistenza IGBT+Resistenza canale N (IGBT)) per valutare Tensione di saturazione dal collettore all'emettitore (IGBT), La tensione di saturazione dell'IGBT è la caduta di tensione sul dispositivo quando è nello stato "acceso" o in conduzione. Questa caduta di tensione si verifica a causa delle caratteristiche intrinseche dell'IGBT ed è generalmente inferiore alla caduta di tensione attraverso un transistor a giunzione bipolare (BJT) standard. La tensione di saturazione di un IGBT è influenzata da diversi fattori, tra cui la corrente nominale dell'IGBT, la temperatura e il modello o produttore specifico. Tensione di saturazione dal collettore all'emettitore (IGBT) è indicato dal simbolo V_{c-e(sat)(igbt)}.

Come valutare Tensione di saturazione dell'IGBT utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Tensione di saturazione dell'IGBT, inserisci Tensione base emettitore PNP IGBT (V_{B-E(pnp)(igbt)}), Corrente di drenaggio (IGBT) (I_d(igbt)), Conducibilità Resistenza IGBT (R_s(igbt)) & Resistenza canale N (IGBT) (R_ch(igbt)) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Tensione di saturazione dell'IGBT

Qual è la formula per trovare Tensione di saturazione dell'IGBT?

La formula di Tensione di saturazione dell'IGBT è espressa come Collector to Emitter Saturation Voltage (IGBT) = Tensione base emettitore PNP IGBT+Corrente di drenaggio (IGBT)*(Conducibilità Resistenza IGBT+Resistenza canale N (IGBT)). Ecco un esempio: 1.1E+6 = 2.15+105*(1.03+10590).

Come calcolare Tensione di saturazione dell'IGBT?

Con Tensione base emettitore PNP IGBT (V_{B-E(pnp)(igbt)}), Corrente di drenaggio (IGBT) (I_d(igbt)), Conducibilità Resistenza IGBT (R_s(igbt)) & Resistenza canale N (IGBT) (R_ch(igbt)) possiamo trovare Tensione di saturazione dell'IGBT utilizzando la formula - Collector to Emitter Saturation Voltage (IGBT) = Tensione base emettitore PNP IGBT+Corrente di drenaggio (IGBT)*(Conducibilità Resistenza IGBT+Resistenza canale N (IGBT)).

Il Tensione di saturazione dell'IGBT può essere negativo?

NO, Tensione di saturazione dell'IGBT, misurato in Potenziale elettrico non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Tensione di saturazione dell'IGBT?

Tensione di saturazione dell'IGBT viene solitamente misurato utilizzando Volt[V] per Potenziale elettrico. Millvolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Tensione di saturazione dell'IGBT.

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Formula Tensione di saturazione dell'IGBT

Esempio di Tensione di saturazione dell'IGBT

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Tensione di saturazione dell'IGBT Formula Elementi

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