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Formula Tensione di saturazione del MOSFET

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La tensione di saturazione di drain e source è la tensione alla quale il FET non può più funzionare come amplificatore e la sua tensione di uscita si fissa su un valore massimo. Controlla FAQs

V ds(s) = V gs - V th

V_ds(s) - Tensione di saturazione di drain e source?V_gs - Tensione gate-source?V_th - Soglia di voltaggio?

Esempio di Tensione di saturazione del MOSFET

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Tensione di saturazione del MOSFET con Valori.

Ecco come appare l'equazione Tensione di saturazione del MOSFET con unità.

Ecco come appare l'equazione Tensione di saturazione del MOSFET.

1.7 = 4 - 2.3

1.7V = 4V - 2.3V

1.7 = 4 - 2.3

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Tensione di saturazione del MOSFET Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Tensione di saturazione del MOSFET?

Primo passo Considera la formula

V ds(s) = V gs - V th

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

V ds(s) = 4V - 2.3V

Passo successivo Preparati a valutare

∴

V ds(s) = 4 - 2.3

Ultimo passo Valutare

∴

V ds(s) = 1.7V

Tensione di saturazione del MOSFET Formula Elementi

Variabili

Tensione di saturazione di drain e source

La tensione di saturazione di drain e source è la tensione alla quale il FET non può più funzionare come amplificatore e la sua tensione di uscita si fissa su un valore massimo.

Simbolo: V_ds(s)

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione di saturazione di drain e source

Tensione gate-source

La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.

Simbolo: V_gs

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione gate-source

Soglia di voltaggio

La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.

Simbolo: V_th

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Soglia di voltaggio

Altre formule nella categoria Voltaggio

va Guadagno di tensione massimo al punto di polarizzazione

A vm = 2 \cdot \frac{V dd - V eff}{V eff}

va Guadagno di tensione massimo dato tutte le tensioni

A vm = \frac{V dd - 0.3}{V t}

va Guadagno di tensione data la tensione di drain

A v = \frac{i d \cdot R L \cdot 2}{V eff}

va Guadagno di tensione data la resistenza di carico del MOSFET

A v = g m \cdot \frac{\frac{1}{\frac{1}{R L} + \frac{1}{R out}}}{1 + g m \cdot R s}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Tensione di saturazione del MOSFET?

Il valutatore Tensione di saturazione del MOSFET utilizza Drain and Source Saturation Voltage = Tensione gate-source-Soglia di voltaggio per valutare Tensione di saturazione di drain e source, La tensione di saturazione del MOSFET è uguale alla tensione effettiva o alla tensione di overdrive del MOSFET. È anche uguale alla differenza di tensione tra l'ossido e la tensione di soglia. Tensione di saturazione di drain e source è indicato dal simbolo V_ds(s).

Come valutare Tensione di saturazione del MOSFET utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Tensione di saturazione del MOSFET, inserisci Tensione gate-source (V_gs) & Soglia di voltaggio (V_th) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Tensione di saturazione del MOSFET

Qual è la formula per trovare Tensione di saturazione del MOSFET?

La formula di Tensione di saturazione del MOSFET è espressa come Drain and Source Saturation Voltage = Tensione gate-source-Soglia di voltaggio. Ecco un esempio: 1.7 = 4-2.3.

Come calcolare Tensione di saturazione del MOSFET?

Con Tensione gate-source (V_gs) & Soglia di voltaggio (V_th) possiamo trovare Tensione di saturazione del MOSFET utilizzando la formula - Drain and Source Saturation Voltage = Tensione gate-source-Soglia di voltaggio.

Il Tensione di saturazione del MOSFET può essere negativo?

NO, Tensione di saturazione del MOSFET, misurato in Potenziale elettrico non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Tensione di saturazione del MOSFET?

Tensione di saturazione del MOSFET viene solitamente misurato utilizzando Volt[V] per Potenziale elettrico. Millvolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Tensione di saturazione del MOSFET.

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