Formula Tensione di overdrive del PMOS

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La tensione effettiva è la tensione CC equivalente che produrrebbe la stessa quantità di dissipazione di potenza in un carico resistivo della tensione CA misurata. Controlla FAQs
Vov=VGS-modu̲s(VT)
Vov - Tensione effettiva?VGS - Tensione tra Gate e Source?VT - Soglia di voltaggio?

Esempio di Tensione di overdrive del PMOS

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Tensione di overdrive del PMOS con Valori.

Ecco come appare l'equazione Tensione di overdrive del PMOS con unità.

Ecco come appare l'equazione Tensione di overdrive del PMOS.

2.16Edit=2.86Edit-modu̲s(0.7Edit)
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Tensione di overdrive del PMOS Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Tensione di overdrive del PMOS?

Primo passo Considera la formula
Vov=VGS-modu̲s(VT)
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
Vov=2.86V-modu̲s(0.7V)
Passo successivo Preparati a valutare
Vov=2.86-modu̲s(0.7)
Ultimo passo Valutare
Vov=2.16V

Tensione di overdrive del PMOS Formula Elementi

Variabili
Funzioni
Tensione effettiva
La tensione effettiva è la tensione CC equivalente che produrrebbe la stessa quantità di dissipazione di potenza in un carico resistivo della tensione CA misurata.
Simbolo: Vov
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Tensione tra Gate e Source
La tensione tra gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET) è nota come tensione gate-source (VGS). È un parametro importante che influenza il funzionamento del FET.
Simbolo: VGS
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Soglia di voltaggio
La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.
Simbolo: VT
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
modulus
Il modulo di un numero è il resto della divisione di quel numero per un altro numero.
Sintassi: modulus

Altre formule nella categoria Miglioramento del canale P

​va Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS
Id=k'pWL((VGS-modu̲s(VT))VDS-12(VDS)2)
​va Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd
Id=k'pWL(modu̲s(Vov)-12VDS)VDS
​va Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS
Ids=12k'pWL(VGS-modu̲s(VT))2
​va Assorbimento di corrente nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vov
Ids=12k'pWL(Vov)2

Come valutare Tensione di overdrive del PMOS?

Il valutatore Tensione di overdrive del PMOS utilizza Effective Voltage = Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio) per valutare Tensione effettiva, La tensione di Overdrive della formula PMOS è definita come la tensione tra il gate del transistor e la sorgente (V. Tensione effettiva è indicato dal simbolo Vov.

Come valutare Tensione di overdrive del PMOS utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Tensione di overdrive del PMOS, inserisci Tensione tra Gate e Source (VGS) & Soglia di voltaggio (VT) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Tensione di overdrive del PMOS

Qual è la formula per trovare Tensione di overdrive del PMOS?
La formula di Tensione di overdrive del PMOS è espressa come Effective Voltage = Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio). Ecco un esempio: 2.16 = 2.86-modulus(0.7).
Come calcolare Tensione di overdrive del PMOS?
Con Tensione tra Gate e Source (VGS) & Soglia di voltaggio (VT) possiamo trovare Tensione di overdrive del PMOS utilizzando la formula - Effective Voltage = Tensione tra Gate e Source-modulus(Soglia di voltaggio). Questa formula utilizza anche le funzioni Modulo (modulo).
Il Tensione di overdrive del PMOS può essere negativo?
SÌ, Tensione di overdrive del PMOS, misurato in Potenziale elettrico Potere può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Tensione di overdrive del PMOS?
Tensione di overdrive del PMOS viene solitamente misurato utilizzando Volt[V] per Potenziale elettrico. Millvolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Tensione di overdrive del PMOS.
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