Formula Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare

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La regione lineare nel ritardo temporale è definita come il ritardo che deriva dalla carica e scarica dei condensatori collegati all'NMOS durante gli eventi di commutazione. Controlla FAQs
tdelay=-2Cj(1kn(2(Vi-VT)x-x2),x,V1,V2)
tdelay - Regione lineare nel ritardo temporale?Cj - Capacità di giunzione?kn - Parametro del processo di transconduttanza?Vi - Tensione di ingresso?VT - Soglia di voltaggio?V1 - Tensione iniziale?V2 - Voltaggio finale?

Esempio di Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare con Valori.

Ecco come appare l'equazione Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare con unità.

Ecco come appare l'equazione Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare.

706.5205Edit=-295009Edit(14.553Edit(2(2.25Edit-5.91Edit)x-x2),x,5.42Edit,6.135Edit)
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Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare?

Primo passo Considera la formula
tdelay=-2Cj(1kn(2(Vi-VT)x-x2),x,V1,V2)
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
tdelay=-295009F(14.553A/V²(2(2.25V-5.91V)x-x2),x,5.42nV,6.135nV)
Passo successivo Converti unità
tdelay=-295009F(14.553A/V²(2(2.25V-5.91V)x-x2),x,5.4E-9V,6.1E-9V)
Passo successivo Preparati a valutare
tdelay=-295009(14.553(2(2.25-5.91)x-x2),x,5.4E-9,6.1E-9)
Passo successivo Valutare
tdelay=706.520454377221s
Ultimo passo Risposta arrotondata
tdelay=706.5205s

Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare Formula Elementi

Variabili
Funzioni
Regione lineare nel ritardo temporale
La regione lineare nel ritardo temporale è definita come il ritardo che deriva dalla carica e scarica dei condensatori collegati all'NMOS durante gli eventi di commutazione.
Simbolo: tdelay
Misurazione: TempoUnità: s
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Capacità di giunzione
La capacità di giunzione si riferisce alla capacità derivante dalla regione di svuotamento tra i terminali source/drain e il substrato.
Simbolo: Cj
Misurazione: CapacitàUnità: F
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Parametro del processo di transconduttanza
Il parametro del processo di transconduttanza è una costante specifica del dispositivo che caratterizza la capacità del transistor di convertire una variazione della tensione di gate in una variazione della corrente di uscita.
Simbolo: kn
Misurazione: Parametro di transconduttanzaUnità: A/V²
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Tensione di ingresso
La tensione di ingresso è la differenza di potenziale elettrico applicata ai terminali di ingresso di un componente o sistema.
Simbolo: Vi
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Soglia di voltaggio
La tensione di soglia è la tensione gate-source minima richiesta in un MOSFET per accenderlo e consentire il flusso di una corrente significativa.
Simbolo: VT
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Tensione iniziale
La tensione iniziale si riferisce alla tensione presente in un punto specifico di un circuito all'inizio di una determinata operazione o in condizioni specifiche.
Simbolo: V1
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: nV
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Voltaggio finale
La tensione finale si riferisce al livello di tensione raggiunto o misurato al termine di un particolare processo o evento.
Simbolo: V2
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: nV
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
int
L'integrale definito può essere utilizzato per calcolare l'area netta con segno, che è l'area sopra l'asse x meno l'area sotto l'asse x.
Sintassi: int(expr, arg, from, to)

Altre formule nella categoria Transistor MOS

​va Capacità di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero per unità di lunghezza
Cjsw=Cj0swxj
​va Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni
Ceq(sw)=PCjswKeq(sw)

Come valutare Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare?

Il valutatore Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare utilizza Linear Region in Time Delay = -2*Capacità di giunzione*int(1/(Parametro del processo di transconduttanza*(2*(Tensione di ingresso-Soglia di voltaggio)*x-x^2)),x,Tensione iniziale,Voltaggio finale) per valutare Regione lineare nel ritardo temporale, La formula del ritardo temporale quando NMOS opera in una regione lineare è definita come il ritardo che deriva dalla carica e scarica dei condensatori collegati all'NMOS durante gli eventi di commutazione. Regione lineare nel ritardo temporale è indicato dal simbolo tdelay.

Come valutare Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare, inserisci Capacità di giunzione (Cj), Parametro del processo di transconduttanza (kn), Tensione di ingresso (Vi), Soglia di voltaggio (VT), Tensione iniziale (V1) & Voltaggio finale (V2) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare

Qual è la formula per trovare Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare?
La formula di Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare è espressa come Linear Region in Time Delay = -2*Capacità di giunzione*int(1/(Parametro del processo di transconduttanza*(2*(Tensione di ingresso-Soglia di voltaggio)*x-x^2)),x,Tensione iniziale,Voltaggio finale). Ecco un esempio: 706.5205 = -2*95009*int(1/(4.553*(2*(2.25-5.91)*x-x^2)),x,5.42E-09,6.135E-09).
Come calcolare Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare?
Con Capacità di giunzione (Cj), Parametro del processo di transconduttanza (kn), Tensione di ingresso (Vi), Soglia di voltaggio (VT), Tensione iniziale (V1) & Voltaggio finale (V2) possiamo trovare Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare utilizzando la formula - Linear Region in Time Delay = -2*Capacità di giunzione*int(1/(Parametro del processo di transconduttanza*(2*(Tensione di ingresso-Soglia di voltaggio)*x-x^2)),x,Tensione iniziale,Voltaggio finale). Questa formula utilizza anche le funzioni Integrale definito (int).
Il Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare può essere negativo?
NO, Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare, misurato in Tempo non può può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare?
Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare viene solitamente misurato utilizzando Secondo[s] per Tempo. Millisecondo[s], Microsecondo[s], Nanosecondo[s] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare.
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