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Formula Riduzione della tensione di soglia a canale corto VLSI

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La riduzione della tensione di soglia a canale corto è definita come una riduzione della tensione di soglia del MOSFET dovuta all'effetto del canale corto. Controlla FAQs

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot N A \cdot | 2 \cdot Φ s |} \cdot x j}{C oxide \cdot 2 \cdot L} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot x dS}{x j}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot x dD}{x j}} - 1))

ΔV_T0 - Riduzione della tensione di soglia a canale corto?N_A - Concentrazione dell'accettore?Φ_s - Potenziale di superficie?x_j - Profondità di giunzione?C_oxide - Capacità di ossido per unità di area?L - Lunghezza del canale?x_dS - Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente?x_dD - Profondità di svuotamento della giunzione Pn con drenaggio?[Charge-e] - Carica dell'elettrone?[Permitivity-silicon] - Permittività del silicio?[Permitivity-vacuum] - Permittività del vuoto?

Esempio di Riduzione della tensione di soglia a canale corto VLSI

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Riduzione della tensione di soglia a canale corto VLSI con Valori.

Ecco come appare l'equazione Riduzione della tensione di soglia a canale corto VLSI con unità.

Ecco come appare l'equazione Riduzione della tensione di soglia a canale corto VLSI.

0.4672 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+16 \cdot | 2 \cdot 6.86 |} \cdot 2}{0.0703 \cdot 2 \cdot 2.5} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314}{2}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534}{2}} - 1))

0.4672V = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |} \cdot 2μm}{0.0703μF/cm² \cdot 2 \cdot 2.5μm} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314μm}{2μm}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534μm}{2μm}} - 1))

0.4672 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+16 \cdot | 2 \cdot 6.86 |} \cdot 2}{0.0703 \cdot 2 \cdot 2.5} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314}{2}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534}{2}} - 1))

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Fabbricazione VLSI » fx Riduzione della tensione di soglia a canale corto VLSI

Riduzione della tensione di soglia a canale corto VLSI Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Riduzione della tensione di soglia a canale corto VLSI?

Primo passo Considera la formula

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot N A \cdot | 2 \cdot Φ s |} \cdot x j}{C oxide \cdot 2 \cdot L} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot x dS}{x j}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot x dD}{x j}} - 1))

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |} \cdot 2μm}{0.0703μF/cm² \cdot 2 \cdot 2.5μm} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314μm}{2μm}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534μm}{2μm}} - 1))

Passo successivo Valori sostitutivi delle costanti

∴

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |} \cdot 2μm}{0.0703μF/cm² \cdot 2 \cdot 2.5μm} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.314μm}{2μm}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 0.534μm}{2μm}} - 1))

Passo successivo Converti unità

∴

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+221/m³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |} \cdot 2E-6m}{0.0007F/m² \cdot 2 \cdot 2.5E-6m} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 3.1E-7m}{2E-6m}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 5.3E-7m}{2E-6m}} - 1))

Passo successivo Preparati a valutare

∴

ΔV T0 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+22 \cdot | 2 \cdot 6.86 |} \cdot 2E-6}{0.0007 \cdot 2 \cdot 2.5E-6} \cdot ((\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 3.1E-7}{2E-6}} - 1) + (\sqrt{1 + \frac{2 \cdot 5.3E-7}{2E-6}} - 1))

Passo successivo Valutare

∴

ΔV T0 = 0.467200582407994V

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

ΔV T0 = 0.4672V

Riduzione della tensione di soglia a canale corto VLSI Formula Elementi

Variabili

Costanti

Funzioni

Riduzione della tensione di soglia a canale corto

La riduzione della tensione di soglia a canale corto è definita come una riduzione della tensione di soglia del MOSFET dovuta all'effetto del canale corto.

Simbolo: ΔV_T0

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Riduzione della tensione di soglia a canale corto

Concentrazione dell'accettore

La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.

Simbolo: N_A

Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/cm³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Concentrazione dell'accettore

Potenziale di superficie

Il potenziale superficiale è un parametro chiave nella valutazione delle proprietà CC dei transistor a film sottile.

Simbolo: Φ_s

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Potenziale di superficie

Profondità di giunzione

La profondità di giunzione è definita come la distanza dalla superficie di un materiale semiconduttore al punto in cui si verifica un cambiamento significativo nella concentrazione degli atomi droganti.

Simbolo: x_j

Misurazione: LunghezzaUnità: μm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Profondità di giunzione

Capacità di ossido per unità di area

La capacità di ossido per unità di area è definita come la capacità per unità di area dello strato di ossido isolante che separa il gate metallico dal materiale semiconduttore.

Simbolo: C_oxide

Misurazione: Capacità di ossido per area unitariaUnità: μF/cm²

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Capacità di ossido per unità di area

Lunghezza del canale

La lunghezza del canale si riferisce alla lunghezza fisica del materiale semiconduttore tra i terminali di source e drain all'interno della struttura del transistor.

Simbolo: L

Misurazione: LunghezzaUnità: μm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Lunghezza del canale

Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente

La profondità di esaurimento della giunzione Pn con sorgente è definita come la regione attorno a una giunzione pn in cui i portatori di carica sono stati esauriti a causa della formazione di un campo elettrico.

Simbolo: x_dS

Misurazione: LunghezzaUnità: μm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente

Profondità di svuotamento della giunzione Pn con drenaggio

La profondità di svuotamento della giunzione Pn con drenaggio è definita come l'estensione della regione di svuotamento nel materiale semiconduttore vicino al terminale di drenaggio.

Simbolo: x_dD

Misurazione: LunghezzaUnità: μm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Profondità di svuotamento della giunzione Pn con drenaggio

Carica dell'elettrone

La carica dell'elettrone è una costante fisica fondamentale, che rappresenta la carica elettrica trasportata da un elettrone, che è la particella elementare con una carica elettrica negativa.

Simbolo: [Charge-e]

Valore: 1.60217662E-19 C

Permittività del silicio

La permettività del silicio misura la sua capacità di immagazzinare energia elettrica in un campo elettrico, fondamentale nella tecnologia dei semiconduttori.

Simbolo: [Permitivity-silicon]

Valore: 11.7

Permittività del vuoto

La permettività del vuoto è una costante fisica fondamentale che descrive la capacità del vuoto di consentire la trasmissione delle linee del campo elettrico.

Simbolo: [Permitivity-vacuum]

Valore: 8.85E-12 F/m

sqrt

Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.

Sintassi: sqrt(Number)

abs

Il valore assoluto di un numero è la sua distanza da zero sulla retta numerica. È sempre un valore positivo, poiché rappresenta la grandezza di un numero senza considerare la sua direzione.

Sintassi: abs(Number)

Altre formule nella categoria Ottimizzazione dei materiali VLSI

va Coefficiente di effetto corporeo

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

va Channel Charge

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

Vedi altro OpenImg

Come valutare Riduzione della tensione di soglia a canale corto VLSI?

Il valutatore Riduzione della tensione di soglia a canale corto VLSI utilizza Short Channel Threshold Voltage Reduction = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentrazione dell'accettore*abs(2*Potenziale di superficie))*Profondità di giunzione)/(Capacità di ossido per unità di area*2*Lunghezza del canale)*((sqrt(1+(2*Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente)/Profondità di giunzione)-1)+(sqrt(1+(2*Profondità di svuotamento della giunzione Pn con drenaggio)/Profondità di giunzione)-1)) per valutare Riduzione della tensione di soglia a canale corto, La formula VLSI per la riduzione della tensione di soglia a canale corto è definita come una riduzione della tensione di soglia del MOSFET dovuta all'effetto del canale corto. Riduzione della tensione di soglia a canale corto è indicato dal simbolo ΔV_T0.

Come valutare Riduzione della tensione di soglia a canale corto VLSI utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Riduzione della tensione di soglia a canale corto VLSI, inserisci Concentrazione dell'accettore (N_A), Potenziale di superficie (Φ_s), Profondità di giunzione (x_j), Capacità di ossido per unità di area (C_oxide), Lunghezza del canale (L), Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente (x_dS) & Profondità di svuotamento della giunzione Pn con drenaggio (x_dD) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Riduzione della tensione di soglia a canale corto VLSI

Qual è la formula per trovare Riduzione della tensione di soglia a canale corto VLSI?

La formula di Riduzione della tensione di soglia a canale corto VLSI è espressa come Short Channel Threshold Voltage Reduction = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentrazione dell'accettore*abs(2*Potenziale di superficie))*Profondità di giunzione)/(Capacità di ossido per unità di area*2*Lunghezza del canale)*((sqrt(1+(2*Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente)/Profondità di giunzione)-1)+(sqrt(1+(2*Profondità di svuotamento della giunzione Pn con drenaggio)/Profondità di giunzione)-1)). Ecco un esempio: 0.467201 = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*1E+22*abs(2*6.86))*2E-06)/(0.000703*2*2.5E-06)*((sqrt(1+(2*3.14E-07)/2E-06)-1)+(sqrt(1+(2*5.34E-07)/2E-06)-1)).

Come calcolare Riduzione della tensione di soglia a canale corto VLSI?

Con Concentrazione dell'accettore (N_A), Potenziale di superficie (Φ_s), Profondità di giunzione (x_j), Capacità di ossido per unità di area (C_oxide), Lunghezza del canale (L), Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente (x_dS) & Profondità di svuotamento della giunzione Pn con drenaggio (x_dD) possiamo trovare Riduzione della tensione di soglia a canale corto VLSI utilizzando la formula - Short Channel Threshold Voltage Reduction = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Concentrazione dell'accettore*abs(2*Potenziale di superficie))*Profondità di giunzione)/(Capacità di ossido per unità di area*2*Lunghezza del canale)*((sqrt(1+(2*Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente)/Profondità di giunzione)-1)+(sqrt(1+(2*Profondità di svuotamento della giunzione Pn con drenaggio)/Profondità di giunzione)-1)). Questa formula utilizza anche le funzioni Carica dell'elettrone, Permittività del silicio, Permittività del vuoto costante(i) e , Radice quadrata (sqrt), Assoluto (abs).

Il Riduzione della tensione di soglia a canale corto VLSI può essere negativo?

NO, Riduzione della tensione di soglia a canale corto VLSI, misurato in Potenziale elettrico non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Riduzione della tensione di soglia a canale corto VLSI?

Riduzione della tensione di soglia a canale corto VLSI viene solitamente misurato utilizzando Volt[V] per Potenziale elettrico. Millvolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Riduzione della tensione di soglia a canale corto VLSI.

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