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La resistenza di drain è il rapporto tra la variazione della tensione da drain a source e la corrispondente variazione della corrente di drain per una tensione da gate a source costante. Controlla FAQs
Rd=R2+2⋅Rfi+2⋅Rfi⋅gmp⋅R2
Rd - Resistenza allo scarico?R2 - Resistenza dell'avvolgimento secondario nel primario?Rfi - Resistenza finita?gmp - Transconduttanza primaria MOSFET?

Esempio di Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata con Valori.

Ecco come appare l'equazione Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata con unità.

Ecco come appare l'equazione Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata.

0.3585Edit=0.064Edit+2⋅0.065Edit+2⋅0.065Edit⋅19.77Edit⋅0.064Edit
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Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata?

Primo passo Considera la formula
Rd=R2+2⋅Rfi+2⋅Rfi⋅gmp⋅R2
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
∴ Rd=0.064kΩ+2⋅0.065kΩ+2⋅0.065kΩ⋅19.77mS⋅0.064kΩ
Passo successivo Converti unità
∴ Rd=64Ω+2⋅65Ω+2⋅65Ω⋅0.0198S⋅64Ω
Passo successivo Preparati a valutare
∴ Rd=64+2⋅65+2⋅65⋅0.0198⋅64
Passo successivo Valutare
∴Rd=358.4864Ω
Passo successivo Converti nell'unità di output
∴Rd=0.3584864kΩ
Ultimo passo Risposta arrotondata
∴Rd=0.3585kΩ

Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata Formula Elementi

Variabili
Resistenza allo scarico
La resistenza di drain è il rapporto tra la variazione della tensione da drain a source e la corrispondente variazione della corrente di drain per una tensione da gate a source costante.
Simbolo: Rd
Misurazione: Resistenza elettricaUnità: kΩ
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Formule per trovare Resistenza allo scaricoOpen Variable
Resistenza dell'avvolgimento secondario nel primario
La resistenza dell'avvolgimento secondario nel primario di un MOSFET è l'opposizione alla corrente che lo attraversa. Dipende dal design specifico del MOSFET e dalle condizioni operative.
Simbolo: R2
Misurazione: Resistenza elettricaUnità: kΩ
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Formule per trovare Resistenza dell'avvolgimento secondario nel primarioOpen Variable
Resistenza finita
Una resistenza finita significa semplicemente che la resistenza in un circuito non è infinita o zero. In altre parole, il circuito presenta una certa quantità di resistenza, che può influenzarne il comportamento.
Simbolo: Rfi
Misurazione: Resistenza elettricaUnità: kΩ
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Formule per trovare Resistenza finitaOpen Variable
Transconduttanza primaria MOSFET
La transconduttanza primaria del MOSFET è la variazione nella corrente di drain divisa per la piccola variazione nella tensione di gate/source con una tensione di drain/source costante.
Simbolo: gmp
Misurazione: TransconduttanzaUnità: mS
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Formule per trovare Transconduttanza primaria MOSFETOpen Variable

Altre formule per trovare Resistenza allo scarico

​va Resistenza di uscita dell'amplificatore CS con resistenza alla sorgente
Rd=Rout+Rso+(gmp⋅Rout⋅Rso)
​va Resistenza di uscita dell'amplificatore CE degenerato dall'emettitore
Rd=Rout+(gmp⋅Rout)⋅(1Re+1Rsm)

Altre formule nella categoria Amplificatore a sorgente comune

​va Corrente di emettitore dell'amplificatore a base comune
ie=VinRe
​va Tensione fondamentale nell'amplificatore a emettitore comune
Vfc=Rin⋅ib
​va Impedenza di ingresso dell'amplificatore a base comune
Zin=(1Re+1Rsm)-1
​va Resistenza di ingresso dell'amplificatore a emettitore comune
Rin=(1Rb+1Rb2+1Rsm)-1

Come valutare Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata?

Il valutatore Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata utilizza Drain Resistance = Resistenza dell'avvolgimento secondario nel primario+2*Resistenza finita+2*Resistenza finita*Transconduttanza primaria MOSFET*Resistenza dell'avvolgimento secondario nel primario per valutare Resistenza allo scarico, La resistenza di uscita su un altro drain della formula del transistor a sorgente controllata è definita semplicemente come la combinazione parallela del resistore di emettitore (sorgente) RL e la resistenza di emettitore (sorgente) di piccolo segnale del transistor r. Resistenza allo scarico è indicato dal simbolo Rd.

Come valutare Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata, inserisci Resistenza dell'avvolgimento secondario nel primario (R2), Resistenza finita (Rfi) & Transconduttanza primaria MOSFET (gmp) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata

Qual è la formula per trovare Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata?
La formula di Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata è espressa come Drain Resistance = Resistenza dell'avvolgimento secondario nel primario+2*Resistenza finita+2*Resistenza finita*Transconduttanza primaria MOSFET*Resistenza dell'avvolgimento secondario nel primario. Ecco un esempio: 0.000358 = 64+2*65+2*65*0.01977*64.
Come calcolare Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata?
Con Resistenza dell'avvolgimento secondario nel primario (R2), Resistenza finita (Rfi) & Transconduttanza primaria MOSFET (gmp) possiamo trovare Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata utilizzando la formula - Drain Resistance = Resistenza dell'avvolgimento secondario nel primario+2*Resistenza finita+2*Resistenza finita*Transconduttanza primaria MOSFET*Resistenza dell'avvolgimento secondario nel primario.
Quali sono gli altri modi per calcolare Resistenza allo scarico?
Ecco i diversi modi per calcolare Resistenza allo scarico-
  • Drain Resistance=Finite Output Resistance+Source Resistance+(MOSFET Primary Transconductance*Finite Output Resistance*Source Resistance)OpenImg
  • Drain Resistance=Finite Output Resistance+(MOSFET Primary Transconductance*Finite Output Resistance)*(1/Emitter Resistance+1/Small Signal Input Resistance)OpenImg
Il Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata può essere negativo?
NO, Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata, misurato in Resistenza elettrica non può può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata?
Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata viene solitamente misurato utilizzando Kilohm[kΩ] per Resistenza elettrica. Ohm[kΩ], Megahm[kΩ], Microhm[kΩ] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Resistenza di uscita su un altro drenaggio del transistor di origine controllata.
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