Il valutatore Resistenza del foglio dello strato utilizza Sheet Resistance = 1/(Carica*Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Spessore dello strato) per valutare Resistenza del foglio, La formula della resistenza del foglio degli strati è influenzata da fattori quali la resistività del materiale, il suo spessore e l'area attraverso la quale passa la corrente. Nella lavorazione dei semiconduttori, è essenziale controllare e ottimizzare la resistenza del foglio per ottenere le caratteristiche elettriche desiderate nei diversi strati dei dispositivi a semiconduttore, come gli strati di interconnessione metallici o i gate di polisilicio nei transistor. Resistenza del foglio è indicato dal simbolo Rs.
Come valutare Resistenza del foglio dello strato utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Resistenza del foglio dello strato, inserisci Carica (q), Mobilità del silicio con drogaggio elettronico (μn), Concentrazione di equilibrio di tipo N (Nd) & Spessore dello strato (t) e premi il pulsante Calcola.