Formula Resistenza del canale

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La resistenza del canale si riferisce alla resistenza offerta dal materiale semiconduttore nel canale attraverso il quale scorre la corrente tra i terminali source e drain. Controlla FAQs
Rch=LtWt1μnQon
Rch - Resistenza del canale?Lt - Lunghezza del transistor?Wt - Larghezza del transistor?μn - Mobilità elettronica?Qon - Densità del portatore?

Esempio di Resistenza del canale

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Resistenza del canale con Valori.

Ecco come appare l'equazione Resistenza del canale con unità.

Ecco come appare l'equazione Resistenza del canale.

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Resistenza del canale Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Resistenza del canale?

Primo passo Considera la formula
Rch=LtWt1μnQon
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
Rch=3.2μm5.5μm130m²/V*s0.0056electrons/m³
Passo successivo Converti unità
Rch=3.2E-6m5.5E-6m130m²/V*s0.0056electrons/m³
Passo successivo Preparati a valutare
Rch=3.2E-65.5E-61300.0056
Passo successivo Valutare
Rch=3.46320346320346Ω
Ultimo passo Risposta arrotondata
Rch=3.4632Ω

Resistenza del canale Formula Elementi

Variabili
Resistenza del canale
La resistenza del canale si riferisce alla resistenza offerta dal materiale semiconduttore nel canale attraverso il quale scorre la corrente tra i terminali source e drain.
Simbolo: Rch
Misurazione: Resistenza elettricaUnità: Ω
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Lunghezza del transistor
La lunghezza del transistor si riferisce alla lunghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.
Simbolo: Lt
Misurazione: LunghezzaUnità: μm
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Larghezza del transistor
La larghezza del transistor si riferisce alla larghezza della regione del canale in un MOSFET. Questa dimensione gioca un ruolo cruciale nel determinare le caratteristiche elettriche e le prestazioni del transistor.
Simbolo: Wt
Misurazione: LunghezzaUnità: μm
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Mobilità elettronica
La mobilità elettronica descrive la velocità con cui gli elettroni possono muoversi attraverso il materiale in risposta a un campo elettrico.
Simbolo: μn
Misurazione: MobilitàUnità: m²/V*s
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Densità del portatore
La densità del portatore si riferisce al numero di portatori di carica (elettroni o lacune) presenti nel canale del semiconduttore.
Simbolo: Qon
Misurazione: Densità elettronicaUnità: electrons/m³
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Altre formule nella categoria Fabbricazione di circuiti integrati MOS

​va Effetto corpo nel MOSFET
Vt=Vth+γ(2Φf+Vbs-2Φf)
​va Frequenza di guadagno unitario MOSFET
ft=gmCgs+Cgd
​va Corrente di drenaggio del MOSFET nella regione di saturazione
Id=β2(Vgs-Vth)2(1+λiVds)
​va Tempo di propagazione
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Come valutare Resistenza del canale?

Il valutatore Resistenza del canale utilizza Channel Resistance = Lunghezza del transistor/Larghezza del transistor*1/(Mobilità elettronica*Densità del portatore) per valutare Resistenza del canale, La formula della resistenza del canale è definita come la resistenza del materiale semiconduttore nel canale attraverso il quale scorre la corrente tra i terminali di source e drain. Resistenza del canale è indicato dal simbolo Rch.

Come valutare Resistenza del canale utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Resistenza del canale, inserisci Lunghezza del transistor (Lt), Larghezza del transistor (Wt), Mobilità elettronica n) & Densità del portatore (Qon) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Resistenza del canale

Qual è la formula per trovare Resistenza del canale?
La formula di Resistenza del canale è espressa come Channel Resistance = Lunghezza del transistor/Larghezza del transistor*1/(Mobilità elettronica*Densità del portatore). Ecco un esempio: 3.463203 = 3.2E-06/5.5E-06*1/(30*0.0056).
Come calcolare Resistenza del canale?
Con Lunghezza del transistor (Lt), Larghezza del transistor (Wt), Mobilità elettronica n) & Densità del portatore (Qon) possiamo trovare Resistenza del canale utilizzando la formula - Channel Resistance = Lunghezza del transistor/Larghezza del transistor*1/(Mobilità elettronica*Densità del portatore).
Il Resistenza del canale può essere negativo?
NO, Resistenza del canale, misurato in Resistenza elettrica non può può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Resistenza del canale?
Resistenza del canale viene solitamente misurato utilizzando Ohm[Ω] per Resistenza elettrica. Megahm[Ω], Microhm[Ω], Volt per Ampere[Ω] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Resistenza del canale.
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