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Formula Profondità massima di esaurimento

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La profondità di svuotamento massima si riferisce alla misura massima in cui la regione di svuotamento si estende nel materiale semiconduttore del dispositivo in determinate condizioni operative. Controlla FAQs

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot Φ f)}{[Charge-e] \cdot N A}}

x_dm - Profondità massima di esaurimento?Φ_f - Potenziale di Fermi in massa?N_A - Concentrazione antidoping dell'accettore?[Permitivity-silicon] - Permittività del silicio?[Charge-e] - Carica dell'elettrone?

Esempio di Profondità massima di esaurimento

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Profondità massima di esaurimento con Valori.

Ecco come appare l'equazione Profondità massima di esaurimento con unità.

Ecco come appare l'equazione Profondità massima di esaurimento.

7.4E+6 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25)}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

7.4E+6m = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

7.4E+6 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25)}{1.6E-19 \cdot 1.32}}

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Profondità massima di esaurimento Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Profondità massima di esaurimento?

Primo passo Considera la formula

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot Φ f)}{[Charge-e] \cdot N A}}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{[Charge-e] \cdot 1.32electrons/cm³}}

Passo successivo Valori sostitutivi delle costanti

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{1.6E-19C \cdot 1.32electrons/cm³}}

Passo successivo Converti unità

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25V)}{1.6E-19C \cdot 1.3E+6electrons/m³}}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25)}{1.6E-19 \cdot 1.3E+6}}

Passo successivo Valutare

∴

x dm = 7437907.45302539m

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

x dm = 7.4E+6m

Profondità massima di esaurimento Formula Elementi

Variabili

Costanti

Funzioni

Profondità massima di esaurimento

La profondità di svuotamento massima si riferisce alla misura massima in cui la regione di svuotamento si estende nel materiale semiconduttore del dispositivo in determinate condizioni operative.

Simbolo: x_dm

Misurazione: LunghezzaUnità: m

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Profondità massima di esaurimento

Potenziale di Fermi in massa

Il potenziale di Fermi di massa è un parametro che descrive il potenziale elettrostatico nella massa (interno) di un materiale semiconduttore.

Simbolo: Φ_f

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Potenziale di Fermi in massa

Concentrazione antidoping dell'accettore

La concentrazione di drogaggio dell'accettore si riferisce alla concentrazione di atomi dell'accettore aggiunti intenzionalmente a un materiale semiconduttore.

Simbolo: N_A

Misurazione: Densità elettronicaUnità: electrons/cm³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Concentrazione antidoping dell'accettore

Permittività del silicio

La permettività del silicio misura la sua capacità di immagazzinare energia elettrica in un campo elettrico, fondamentale nella tecnologia dei semiconduttori.

Simbolo: [Permitivity-silicon]

Valore: 11.7

Carica dell'elettrone

La carica dell'elettrone è una costante fisica fondamentale, che rappresenta la carica elettrica trasportata da un elettrone, che è la particella elementare con una carica elettrica negativa.

Simbolo: [Charge-e]

Valore: 1.60217662E-19 C

sqrt

Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.

Sintassi: sqrt(Number)

modulus

Il modulo di un numero è il resto della divisione di quel numero per un altro numero.

Sintassi: modulus

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va Capacità di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero per unità di lunghezza

C jsw = C j0sw \cdot x j

va Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni

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Vedi altro OpenImg

Come valutare Profondità massima di esaurimento?

Il valutatore Profondità massima di esaurimento utilizza Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potenziale di Fermi in massa))/([Charge-e]*Concentrazione antidoping dell'accettore)) per valutare Profondità massima di esaurimento, La formula della profondità di svuotamento massima è definita come la misura massima in cui la regione di svuotamento si estende nel materiale semiconduttore del dispositivo in determinate condizioni operative. Profondità massima di esaurimento è indicato dal simbolo x_dm.

Come valutare Profondità massima di esaurimento utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Profondità massima di esaurimento, inserisci Potenziale di Fermi in massa (Φ_f) & Concentrazione antidoping dell'accettore (N_A) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Profondità massima di esaurimento

Qual è la formula per trovare Profondità massima di esaurimento?

La formula di Profondità massima di esaurimento è espressa come Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potenziale di Fermi in massa))/([Charge-e]*Concentrazione antidoping dell'accettore)). Ecco un esempio: 7.4E+6 = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*0.25))/([Charge-e]*1320000)).

Come calcolare Profondità massima di esaurimento?

Con Potenziale di Fermi in massa (Φ_f) & Concentrazione antidoping dell'accettore (N_A) possiamo trovare Profondità massima di esaurimento utilizzando la formula - Maximum Depletion Depth = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potenziale di Fermi in massa))/([Charge-e]*Concentrazione antidoping dell'accettore)). Questa formula utilizza anche le funzioni Permittività del silicio, Carica dell'elettrone costante(i) e , Radice quadrata (sqrt), Modulo (modulo).

Il Profondità massima di esaurimento può essere negativo?

NO, Profondità massima di esaurimento, misurato in Lunghezza non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Profondità massima di esaurimento?

Profondità massima di esaurimento viene solitamente misurato utilizzando Metro[m] per Lunghezza. Millimetro[m], Chilometro[m], Decimetro[m] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Profondità massima di esaurimento.

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