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Formula Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI

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La profondità di svuotamento della giunzione Pn con drenaggio è definita come l'estensione della regione di svuotamento nel materiale semiconduttore vicino al terminale di drenaggio. Controlla FAQs

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot N A}) \cdot (Ø 0 + V ds)}

x_dD - Profondità di svuotamento della giunzione Pn con drenaggio?N_A - Concentrazione dell'accettore?Ø₀ - Tensione incorporata di giunzione?V_ds - Drenare al potenziale di origine?[Permitivity-silicon] - Permittività del silicio?[Permitivity-vacuum] - Permittività del vuoto?[Charge-e] - Carica dell'elettrone?

Esempio di Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI con Valori.

Ecco come appare l'equazione Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI con unità.

Ecco come appare l'equazione Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI.

0.5345 = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12}{1.6E-19 \cdot 1E+16}) \cdot (0.76 + 1.45)}

0.5345μm = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m}{1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³}) \cdot (0.76V + 1.45V)}

0.5345 = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12}{1.6E-19 \cdot 1E+16}) \cdot (0.76 + 1.45)}

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Fabbricazione VLSI » fx Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI

Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI?

Primo passo Considera la formula

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot N A}) \cdot (Ø 0 + V ds)}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum]}{[Charge-e] \cdot 1E+161/cm³}) \cdot (0.76V + 1.45V)}

Passo successivo Valori sostitutivi delle costanti

∴

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m}{1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³}) \cdot (0.76V + 1.45V)}

Passo successivo Converti unità

∴

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m}{1.6E-19C \cdot 1E+221/m³}) \cdot (0.76V + 1.45V)}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

x dD = \sqrt{(\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12}{1.6E-19 \cdot 1E+22}) \cdot (0.76 + 1.45)}

Passo successivo Valutare

∴

x dD = 5.34466520692296E-07m

Passo successivo Converti nell'unità di output

∴

x dD = 0.534466520692296μm

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

x dD = 0.5345μm

Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI Formula Elementi

Variabili

Costanti

Funzioni

Profondità di svuotamento della giunzione Pn con drenaggio

La profondità di svuotamento della giunzione Pn con drenaggio è definita come l'estensione della regione di svuotamento nel materiale semiconduttore vicino al terminale di drenaggio.

Simbolo: x_dD

Misurazione: LunghezzaUnità: μm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Profondità di svuotamento della giunzione Pn con drenaggio

Concentrazione dell'accettore

La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.

Simbolo: N_A

Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/cm³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Concentrazione dell'accettore

Tensione incorporata di giunzione

La tensione incorporata nella giunzione è definita come la tensione che esiste attraverso una giunzione del semiconduttore in equilibrio termico, dove non viene applicata alcuna tensione esterna.

Simbolo: Ø₀

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione incorporata di giunzione

Drenare al potenziale di origine

Il potenziale dal drenaggio alla sorgente è il potenziale tra il drenaggio e la sorgente.

Simbolo: V_ds

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Drenare al potenziale di origine

Permittività del silicio

La permettività del silicio misura la sua capacità di immagazzinare energia elettrica in un campo elettrico, fondamentale nella tecnologia dei semiconduttori.

Simbolo: [Permitivity-silicon]

Valore: 11.7

Permittività del vuoto

La permettività del vuoto è una costante fisica fondamentale che descrive la capacità del vuoto di consentire la trasmissione delle linee del campo elettrico.

Simbolo: [Permitivity-vacuum]

Valore: 8.85E-12 F/m

Carica dell'elettrone

La carica dell'elettrone è una costante fisica fondamentale, che rappresenta la carica elettrica trasportata da un elettrone, che è la particella elementare con una carica elettrica negativa.

Simbolo: [Charge-e]

Valore: 1.60217662E-19 C

sqrt

Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.

Sintassi: sqrt(Number)

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va Coefficiente di effetto corporeo

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

va Channel Charge

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

va Tensione critica

V x = E x \cdot E ch

va Coefficiente DIBL

η = \frac{V t0 - V t}{V ds}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI?

Il valutatore Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI utilizza P-n Junction Depletion Depth with Drain = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*Concentrazione dell'accettore))*(Tensione incorporata di giunzione+Drenare al potenziale di origine)) per valutare Profondità di svuotamento della giunzione Pn con drenaggio, La formula VLSI Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio è definita come l'estensione della regione di svuotamento nel materiale semiconduttore vicino al terminale di drenaggio. Profondità di svuotamento della giunzione Pn con drenaggio è indicato dal simbolo x_dD.

Come valutare Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI, inserisci Concentrazione dell'accettore (N_A), Tensione incorporata di giunzione (Ø₀) & Drenare al potenziale di origine (V_ds) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI

Qual è la formula per trovare Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI?

La formula di Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI è espressa come P-n Junction Depletion Depth with Drain = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*Concentrazione dell'accettore))*(Tensione incorporata di giunzione+Drenare al potenziale di origine)). Ecco un esempio: 534466.5 = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*1E+22))*(0.76+1.45)).

Come calcolare Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI?

Con Concentrazione dell'accettore (N_A), Tensione incorporata di giunzione (Ø₀) & Drenare al potenziale di origine (V_ds) possiamo trovare Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI utilizzando la formula - P-n Junction Depletion Depth with Drain = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*Concentrazione dell'accettore))*(Tensione incorporata di giunzione+Drenare al potenziale di origine)). Questa formula utilizza anche le funzioni Permittività del silicio, Permittività del vuoto, Carica dell'elettrone costante(i) e Radice quadrata (sqrt).

Il Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI può essere negativo?

NO, Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI, misurato in Lunghezza non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI?

Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI viene solitamente misurato utilizzando Micrometro[μm] per Lunghezza. Metro[μm], Millimetro[μm], Chilometro[μm] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Profondità di svuotamento della giunzione PN con drenaggio VLSI.

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