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Formula Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI

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La profondità di esaurimento della giunzione Pn con sorgente è definita come la regione attorno a una giunzione pn in cui i portatori di carica sono stati esauriti a causa della formazione di un campo elettrico. Controlla FAQs

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot Ø 0}{[Charge-e] \cdot N A}}

x_dS - Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente?Ø₀ - Tensione incorporata di giunzione?N_A - Concentrazione dell'accettore?[Permitivity-silicon] - Permittività del silicio?[Permitivity-vacuum] - Permittività del vuoto?[Charge-e] - Carica dell'elettrone?

Esempio di Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI con Valori.

Ecco come appare l'equazione Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI con unità.

Ecco come appare l'equazione Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI.

0.3134 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 0.76}{1.6E-19 \cdot 1E+16}}

0.3134μm = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 0.76V}{1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³}}

0.3134 = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 0.76}{1.6E-19 \cdot 1E+16}}

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Fabbricazione VLSI » fx Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI

Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI?

Primo passo Considera la formula

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot Ø 0}{[Charge-e] \cdot N A}}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot 0.76V}{[Charge-e] \cdot 1E+161/cm³}}

Passo successivo Valori sostitutivi delle costanti

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 0.76V}{1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³}}

Passo successivo Converti unità

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 0.76V}{1.6E-19C \cdot 1E+221/m³}}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

x dS = \sqrt{\frac{2 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 0.76}{1.6E-19 \cdot 1E+22}}

Passo successivo Valutare

∴

x dS = 3.13423217933622E-07m

Passo successivo Converti nell'unità di output

∴

x dS = 0.313423217933622μm

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

x dS = 0.3134μm

Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI Formula Elementi

Variabili

Costanti

Funzioni

Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente

Simbolo: x_dS

Misurazione: LunghezzaUnità: μm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente

Tensione incorporata di giunzione

La tensione incorporata nella giunzione è definita come la tensione che esiste attraverso una giunzione del semiconduttore in equilibrio termico, dove non viene applicata alcuna tensione esterna.

Simbolo: Ø₀

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione incorporata di giunzione

Concentrazione dell'accettore

La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.

Simbolo: N_A

Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/cm³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Concentrazione dell'accettore

Permittività del silicio

La permettività del silicio misura la sua capacità di immagazzinare energia elettrica in un campo elettrico, fondamentale nella tecnologia dei semiconduttori.

Simbolo: [Permitivity-silicon]

Valore: 11.7

Permittività del vuoto

La permettività del vuoto è una costante fisica fondamentale che descrive la capacità del vuoto di consentire la trasmissione delle linee del campo elettrico.

Simbolo: [Permitivity-vacuum]

Valore: 8.85E-12 F/m

Carica dell'elettrone

La carica dell'elettrone è una costante fisica fondamentale, che rappresenta la carica elettrica trasportata da un elettrone, che è la particella elementare con una carica elettrica negativa.

Simbolo: [Charge-e]

Valore: 1.60217662E-19 C

sqrt

Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.

Sintassi: sqrt(Number)

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va Coefficiente di effetto corporeo

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

va Channel Charge

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

va Tensione critica

V x = E x \cdot E ch

va Coefficiente DIBL

η = \frac{V t0 - V t}{V ds}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI?

Il valutatore Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI utilizza P-n Junction Depletion Depth with Source = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tensione incorporata di giunzione)/([Charge-e]*Concentrazione dell'accettore)) per valutare Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente, La formula Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI è definita come la regione attorno a una giunzione pn in cui i portatori di carica sono stati esauriti a causa della formazione di un campo elettrico. Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente è indicato dal simbolo x_dS.

Come valutare Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI, inserisci Tensione incorporata di giunzione (Ø₀) & Concentrazione dell'accettore (N_A) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI

Qual è la formula per trovare Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI?

La formula di Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI è espressa come P-n Junction Depletion Depth with Source = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tensione incorporata di giunzione)/([Charge-e]*Concentrazione dell'accettore)). Ecco un esempio: 313423.2 = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*0.76)/([Charge-e]*1E+22)).

Come calcolare Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI?

Con Tensione incorporata di giunzione (Ø₀) & Concentrazione dell'accettore (N_A) possiamo trovare Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI utilizzando la formula - P-n Junction Depletion Depth with Source = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Tensione incorporata di giunzione)/([Charge-e]*Concentrazione dell'accettore)). Questa formula utilizza anche le funzioni Permittività del silicio, Permittività del vuoto, Carica dell'elettrone costante(i) e Radice quadrata (sqrt).

Il Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI può essere negativo?

NO, Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI, misurato in Lunghezza non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI?

Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI viene solitamente misurato utilizzando Micrometro[μm] per Lunghezza. Metro[μm], Millimetro[μm], Chilometro[μm] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI.

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