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La corrente di drain 1 è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici. Controlla FAQs
Id1=Ib2+IbVovVid2
Id1 - Assorbimento di corrente 1?Ib - Corrente di polarizzazione CC?Vov - Tensione di overdrive?Vid - Segnale di ingresso differenziale?

Esempio di Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive con Valori.

Ecco come appare l'equazione Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive con unità.

Ecco come appare l'equazione Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive.

497.2356Edit=985Edit2+985Edit3.12Edit0.03Edit2
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Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive?

Primo passo Considera la formula
Id1=Ib2+IbVovVid2
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
Id1=985mA2+985mA3.12V0.03V2
Passo successivo Converti unità
Id1=0.985A2+0.985A3.12V0.03V2
Passo successivo Preparati a valutare
Id1=0.9852+0.9853.120.032
Passo successivo Valutare
Id1=0.497235576923077A
Passo successivo Converti nell'unità di output
Id1=497.235576923077mA
Ultimo passo Risposta arrotondata
Id1=497.2356mA

Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive Formula Elementi

Variabili
Assorbimento di corrente 1
La corrente di drain 1 è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici.
Simbolo: Id1
Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Corrente di polarizzazione CC
La corrente di polarizzazione CC è la corrente costante che scorre attraverso un circuito o un dispositivo per stabilire un determinato punto operativo o punto di polarizzazione.
Simbolo: Ib
Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Tensione di overdrive
La tensione di overdrive è un termine utilizzato in elettronica e si riferisce al livello di tensione applicato a un dispositivo o componente che supera la sua normale tensione operativa.
Simbolo: Vov
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Segnale di ingresso differenziale
Un segnale di ingresso differenziale si riferisce a un tipo di segnale elettrico costituito da due segnali di tensione separati, ciascuno misurato rispetto a un punto di riferimento comune, tipicamente chiamato terra.
Simbolo: Vid
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Altre formule per trovare Assorbimento di corrente 1

​va Prima corrente di scarico del MOSFET nel funzionamento a grande segnale
Id1=Ib2+IbVovVid21-Vid24Vov2

Altre formule nella categoria Attuale

​va Seconda corrente di scarico del MOSFET durante il funzionamento a grande segnale
Id2=Ib2-IbVovVid21-(Vid)24Vov2
​va Assorbimento di corrente del MOSFET durante il funzionamento a segnale elevato data la tensione di overdrive
id=(IbVov)(Vid2)
​va Seconda corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive
Id2=Ib2-IbVovVid2
​va Corrente nel rifiuto di modo comune del MOSFET
It=vicm(1gm)+(2Rout)

Come valutare Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive?

Il valutatore Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive utilizza Drain Current 1 = Corrente di polarizzazione CC/2+Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2 per valutare Assorbimento di corrente 1, La prima corrente di drenaggio del MOSFET su operazioni di grandi dimensioni data la formula della tensione di overdrive indica la capacità di conduzione della corrente del chip di silicio; può essere utilizzato come guida quando si confrontano dispositivi diversi. Tuttavia, la corrente di drenaggio massima nominale non dovrebbe fluire nel chip. Assorbimento di corrente 1 è indicato dal simbolo Id1.

Come valutare Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive, inserisci Corrente di polarizzazione CC (Ib), Tensione di overdrive (Vov) & Segnale di ingresso differenziale (Vid) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive

Qual è la formula per trovare Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive?
La formula di Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive è espressa come Drain Current 1 = Corrente di polarizzazione CC/2+Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2. Ecco un esempio: 497235.6 = 0.985/2+0.985/3.12*0.03/2.
Come calcolare Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive?
Con Corrente di polarizzazione CC (Ib), Tensione di overdrive (Vov) & Segnale di ingresso differenziale (Vid) possiamo trovare Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive utilizzando la formula - Drain Current 1 = Corrente di polarizzazione CC/2+Corrente di polarizzazione CC/Tensione di overdrive*Segnale di ingresso differenziale/2.
Quali sono gli altri modi per calcolare Assorbimento di corrente 1?
Ecco i diversi modi per calcolare Assorbimento di corrente 1-
  • Drain Current 1=DC Bias Current/2+DC Bias Current/Overdrive Voltage*Differential Input Signal/2*sqrt(1-Differential Input Signal^2/(4*Overdrive Voltage^2))OpenImg
Il Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive può essere negativo?
SÌ, Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive, misurato in Corrente elettrica Potere può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive?
Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive viene solitamente misurato utilizzando Millampere[mA] per Corrente elettrica. Ampere[mA], microampere[mA], Centiampere[mA] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive.
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