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Formula Potenziale incorporato nella regione di esaurimento

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La tensione incorporata è una tensione caratteristica che esiste attraverso un dispositivo a semiconduttore. Controlla FAQs

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot Φ f)})

Φ_B0 - Voltaggio integrato?N_A - Concentrazione antidoping dell'accettore?Φ_f - Potenziale di Fermi in massa?[Charge-e] - Carica dell'elettrone?[Permitivity-silicon] - Permittività del silicio?

Esempio di Potenziale incorporato nella regione di esaurimento

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Potenziale incorporato nella regione di esaurimento con Valori.

Ecco come appare l'equazione Potenziale incorporato nella regione di esaurimento con unità.

Ecco come appare l'equazione Potenziale incorporato nella regione di esaurimento.

-1.6E-6 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32 \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25)})

-1.6E-6V = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25V)})

-1.6E-6 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.32 \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25)})

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Elettronica analogica » fx Potenziale incorporato nella regione di esaurimento

Potenziale incorporato nella regione di esaurimento Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Potenziale incorporato nella regione di esaurimento?

Primo passo Considera la formula

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot N A \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot Φ f)})

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25V)})

Passo successivo Valori sostitutivi delle costanti

∴

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.32electrons/cm³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25V)})

Passo successivo Converti unità

∴

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6electrons/m³ \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25V)})

Passo successivo Preparati a valutare

∴

Φ B0 = - (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 1.3E+6 \cdot mod \underset{̲}{u} s (- 2 \cdot 0.25)})

Passo successivo Valutare

∴

Φ B0 = -1.57302306783086E-06V

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

Φ B0 = -1.6E-6V

Potenziale incorporato nella regione di esaurimento Formula Elementi

Variabili

Costanti

Funzioni

Voltaggio integrato

La tensione incorporata è una tensione caratteristica che esiste attraverso un dispositivo a semiconduttore.

Simbolo: Φ_B0

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Voltaggio integrato

Concentrazione antidoping dell'accettore

La concentrazione di drogaggio dell'accettore si riferisce alla concentrazione di atomi dell'accettore aggiunti intenzionalmente a un materiale semiconduttore.

Simbolo: N_A

Misurazione: Densità elettronicaUnità: electrons/cm³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Concentrazione antidoping dell'accettore

Potenziale di Fermi in massa

Il potenziale di Fermi di massa è un parametro che descrive il potenziale elettrostatico nella massa (interno) di un materiale semiconduttore.

Simbolo: Φ_f

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Potenziale di Fermi in massa

Carica dell'elettrone

La carica dell'elettrone è una costante fisica fondamentale, che rappresenta la carica elettrica trasportata da un elettrone, che è la particella elementare con una carica elettrica negativa.

Simbolo: [Charge-e]

Valore: 1.60217662E-19 C

Permittività del silicio

La permettività del silicio misura la sua capacità di immagazzinare energia elettrica in un campo elettrico, fondamentale nella tecnologia dei semiconduttori.

Simbolo: [Permitivity-silicon]

Valore: 11.7

sqrt

Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.

Sintassi: sqrt(Number)

modulus

Il modulo di un numero è il resto della divisione di quel numero per un altro numero.

Sintassi: modulus

Altre formule nella categoria Transistor MOS

va Capacità di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero per unità di lunghezza

C jsw = C j0sw \cdot x j

va Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

va Potenziale di Fermi per il tipo P

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Vedi altro OpenImg

Come valutare Potenziale incorporato nella regione di esaurimento?

Il valutatore Potenziale incorporato nella regione di esaurimento utilizza Built in Voltage = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentrazione antidoping dell'accettore*modulus(-2*Potenziale di Fermi in massa))) per valutare Voltaggio integrato, La formula del potenziale incorporato nella regione svuotata è definita come la tensione stabilita attraverso questa regione svuotata quando la giunzione pn è in equilibrio termico. Voltaggio integrato è indicato dal simbolo Φ_B0.

Come valutare Potenziale incorporato nella regione di esaurimento utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Potenziale incorporato nella regione di esaurimento, inserisci Concentrazione antidoping dell'accettore (N_A) & Potenziale di Fermi in massa (Φ_f) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Potenziale incorporato nella regione di esaurimento

Qual è la formula per trovare Potenziale incorporato nella regione di esaurimento?

La formula di Potenziale incorporato nella regione di esaurimento è espressa come Built in Voltage = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentrazione antidoping dell'accettore*modulus(-2*Potenziale di Fermi in massa))). Ecco un esempio: -1.6E-6 = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000*modulus(-2*0.25))).

Come calcolare Potenziale incorporato nella regione di esaurimento?

Con Concentrazione antidoping dell'accettore (N_A) & Potenziale di Fermi in massa (Φ_f) possiamo trovare Potenziale incorporato nella regione di esaurimento utilizzando la formula - Built in Voltage = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentrazione antidoping dell'accettore*modulus(-2*Potenziale di Fermi in massa))). Questa formula utilizza anche le funzioni Carica dell'elettrone, Permittività del silicio costante(i) e , Radice quadrata (sqrt), Modulo (modulo).

Il Potenziale incorporato nella regione di esaurimento può essere negativo?

SÌ, Potenziale incorporato nella regione di esaurimento, misurato in Potenziale elettrico Potere può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Potenziale incorporato nella regione di esaurimento?

Potenziale incorporato nella regione di esaurimento viene solitamente misurato utilizzando Volt[V] per Potenziale elettrico. Millvolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Potenziale incorporato nella regione di esaurimento.

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