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Formula Potenziale di superficie

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Il potenziale superficiale è un parametro chiave nella valutazione delle proprietà CC dei transistor a film sottile. Controlla FAQs

Φ s = 2 \cdot V sb \cdot \ln (\frac{N A}{N i})

Φ_s - Potenziale di superficie?V_sb - Differenza di potenziale del corpo sorgente?N_A - Concentrazione dell'accettore?N_i - Concentrazione intrinseca?

Esempio di Potenziale di superficie

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Potenziale di superficie con Valori.

Ecco come appare l'equazione Potenziale di superficie con unità.

Ecco come appare l'equazione Potenziale di superficie.

36.5675 = 2 \cdot 1.36 \cdot \ln (\frac{1E+16}{1.5E+10})

36.5675V = 2 \cdot 1.36V \cdot \ln (\frac{1E+161/cm³}{1.5E+101/cm³})

36.5675 = 2 \cdot 1.36 \cdot \ln (\frac{1E+16}{1.5E+10})

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Fabbricazione VLSI » fx Potenziale di superficie

Potenziale di superficie Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Potenziale di superficie?

Primo passo Considera la formula

Φ s = 2 \cdot V sb \cdot \ln (\frac{N A}{N i})

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

Φ s = 2 \cdot 1.36V \cdot \ln (\frac{1E+161/cm³}{1.5E+101/cm³})

Passo successivo Converti unità

∴

Φ s = 2 \cdot 1.36V \cdot \ln (\frac{1E+221/m³}{1.5E+161/m³})

Passo successivo Preparati a valutare

∴

Φ s = 2 \cdot 1.36 \cdot \ln (\frac{1E+22}{1.5E+16})

Passo successivo Valutare

∴

Φ s = 36.5675358441665V

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

Φ s = 36.5675V

Potenziale di superficie Formula Elementi

Variabili

Funzioni

Potenziale di superficie

Il potenziale superficiale è un parametro chiave nella valutazione delle proprietà CC dei transistor a film sottile.

Simbolo: Φ_s

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Potenziale di superficie

Differenza di potenziale del corpo sorgente

La differenza di potenziale del corpo della sorgente viene calcolata quando un potenziale applicato esternamente è uguale alla somma della caduta di tensione attraverso lo strato di ossido e della caduta di tensione attraverso il semiconduttore.

Simbolo: V_sb

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Differenza di potenziale del corpo sorgente

Concentrazione dell'accettore

La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.

Simbolo: N_A

Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/cm³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Concentrazione dell'accettore

Concentrazione intrinseca

La concentrazione intrinseca si riferisce alla concentrazione di portatori di carica (elettroni e lacune) in un semiconduttore intrinseco all'equilibrio termico.

Simbolo: N_i

Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/cm³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Concentrazione intrinseca

Il logaritmo naturale, noto anche come logaritmo in base e, è la funzione inversa della funzione esponenziale naturale.

Sintassi: ln(Number)

Altre formule nella categoria Ottimizzazione dei materiali VLSI

va Coefficiente di effetto corporeo

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

va Channel Charge

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

va Tensione critica

V x = E x \cdot E ch

va Coefficiente DIBL

η = \frac{V t0 - V t}{V ds}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Potenziale di superficie?

Il valutatore Potenziale di superficie utilizza Surface Potential = 2*Differenza di potenziale del corpo sorgente*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca) per valutare Potenziale di superficie, La formula del potenziale di superficie è definita come un parametro chiave nella valutazione della proprietà DC dei transistor a film sottile. Il potenziale applicato esternamente è uguale alla caduta di tensione attraverso lo strato di ossido più la caduta di tensione attraverso il semiconduttore. Potenziale di superficie è indicato dal simbolo Φ_s.

Come valutare Potenziale di superficie utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Potenziale di superficie, inserisci Differenza di potenziale del corpo sorgente (V_sb), Concentrazione dell'accettore (N_A) & Concentrazione intrinseca (N_i) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Potenziale di superficie

Qual è la formula per trovare Potenziale di superficie?

La formula di Potenziale di superficie è espressa come Surface Potential = 2*Differenza di potenziale del corpo sorgente*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca). Ecco un esempio: 36.56754 = 2*1.36*ln(1E+22/1.45E+16).

Come calcolare Potenziale di superficie?

Con Differenza di potenziale del corpo sorgente (V_sb), Concentrazione dell'accettore (N_A) & Concentrazione intrinseca (N_i) possiamo trovare Potenziale di superficie utilizzando la formula - Surface Potential = 2*Differenza di potenziale del corpo sorgente*ln(Concentrazione dell'accettore/Concentrazione intrinseca). Questa formula utilizza anche le funzioni Logaritmo naturale (ln).

Il Potenziale di superficie può essere negativo?

NO, Potenziale di superficie, misurato in Potenziale elettrico non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Potenziale di superficie?

Potenziale di superficie viene solitamente misurato utilizzando Volt[V] per Potenziale elettrico. Millvolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Potenziale di superficie.

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