Formula Porta NAND di tensione XOR

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Voltaggio XOR Nand Gate è la tensione nella direzione x nel gate NAND. Controlla FAQs
Vx=CyVbcCx+Cy
Vx - Porta Nand di tensione XOR?Cy - Capacità 2?Vbc - Tensione del collettore di base?Cx - Capacità 1?

Esempio di Porta NAND di tensione XOR

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Porta NAND di tensione XOR con Valori.

Ecco come appare l'equazione Porta NAND di tensione XOR con unità.

Ecco come appare l'equazione Porta NAND di tensione XOR.

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Porta NAND di tensione XOR Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Porta NAND di tensione XOR?

Primo passo Considera la formula
Vx=CyVbcCx+Cy
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
Vx=3.1mF2.02V4mF+3.1mF
Passo successivo Converti unità
Vx=0.0031F2.02V0.004F+0.0031F
Passo successivo Preparati a valutare
Vx=0.00312.020.004+0.0031
Passo successivo Valutare
Vx=0.881971830985915V
Ultimo passo Risposta arrotondata
Vx=0.882V

Porta NAND di tensione XOR Formula Elementi

Variabili
Porta Nand di tensione XOR
Voltaggio XOR Nand Gate è la tensione nella direzione x nel gate NAND.
Simbolo: Vx
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Capacità 2
La capacità 2 è espressa come il rapporto tra la carica elettrica su ciascun conduttore e la differenza di potenziale (cioè tensione) tra di essi.
Simbolo: Cy
Misurazione: CapacitàUnità: mF
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Tensione del collettore di base
La tensione del collettore di base è un parametro cruciale nella polarizzazione dei transistor. Si riferisce alla differenza di tensione tra la base e i terminali del collettore del transistor quando è nel suo stato attivo.
Simbolo: Vbc
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Capacità 1
La capacità 1 è espressa come il rapporto tra la carica elettrica su ciascun conduttore e la differenza di potenziale (cioè tensione) tra di essi.
Simbolo: Cx
Misurazione: CapacitàUnità: mF
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Altre formule nella categoria Caratteristiche temporali CMOS

​va Tempo di apertura per l'ingresso crescente
tar=Tsetup1+Thold0
​va Tempo di apertura per ingresso in caduta
taf=Tsetup0+Thold1
​va Tempo di configurazione ad alta logica
Tsetup1=tar-Thold0
​va Tempo di configurazione con logica bassa
Tsetup0=taf-Thold1

Come valutare Porta NAND di tensione XOR?

Il valutatore Porta NAND di tensione XOR utilizza XOR Voltage Nand Gate = (Capacità 2*Tensione del collettore di base)/(Capacità 1+Capacità 2) per valutare Porta Nand di tensione XOR, La formula della porta NAND tensione XOR è definita come la tensione sulla porta NAND nella direzione x della porta logica. Porta Nand di tensione XOR è indicato dal simbolo Vx.

Come valutare Porta NAND di tensione XOR utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Porta NAND di tensione XOR, inserisci Capacità 2 (Cy), Tensione del collettore di base (Vbc) & Capacità 1 (Cx) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Porta NAND di tensione XOR

Qual è la formula per trovare Porta NAND di tensione XOR?
La formula di Porta NAND di tensione XOR è espressa come XOR Voltage Nand Gate = (Capacità 2*Tensione del collettore di base)/(Capacità 1+Capacità 2). Ecco un esempio: 0.881972 = (0.0031*2.02)/(0.004+0.0031).
Come calcolare Porta NAND di tensione XOR?
Con Capacità 2 (Cy), Tensione del collettore di base (Vbc) & Capacità 1 (Cx) possiamo trovare Porta NAND di tensione XOR utilizzando la formula - XOR Voltage Nand Gate = (Capacità 2*Tensione del collettore di base)/(Capacità 1+Capacità 2).
Il Porta NAND di tensione XOR può essere negativo?
NO, Porta NAND di tensione XOR, misurato in Potenziale elettrico non può può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Porta NAND di tensione XOR?
Porta NAND di tensione XOR viene solitamente misurato utilizzando Volt[V] per Potenziale elettrico. Millvolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Porta NAND di tensione XOR.
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