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Formula Permittività dello strato di ossido

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La permittività dello strato di ossido è definita come la capacità di una sostanza di immagazzinare energia elettrica in un campo elettrico. Controlla FAQs
εox=tox⋅CinWg⋅Lg
εox - Permittività dello strato di ossido?tox - Spessore dello strato di ossido?Cin - Capacità del gate di ingresso?Wg - Larghezza del cancello?Lg - Lunghezza del cancello?

Esempio di Permittività dello strato di ossido

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Permittività dello strato di ossido con Valori.

Ecco come appare l'equazione Permittività dello strato di ossido con unità.

Ecco come appare l'equazione Permittività dello strato di ossido.

149.7994Edit=4.98Edit⋅60.01Edit0.285Edit⋅7Edit
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HomeIcon Casa » Category Ingegneria » Category Elettronica » Category Progettazione e applicazioni CMOS » fx Permittività dello strato di ossido

Permittività dello strato di ossido Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Permittività dello strato di ossido?

Primo passo Considera la formula
εox=tox⋅CinWg⋅Lg
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
∴ εox=4.98mm⋅60.01μF0.285mm⋅7mm
Passo successivo Converti unità
∴ εox=0.005m⋅6E-5F0.0003m⋅0.007m
Passo successivo Preparati a valutare
∴ εox=0.005⋅6E-50.0003⋅0.007
Passo successivo Valutare
∴εox=0.149799398496241F/m
Passo successivo Converti nell'unità di output
∴εox=149.799398496241μF/mm
Ultimo passo Risposta arrotondata
∴εox=149.7994μF/mm

Permittività dello strato di ossido Formula Elementi

Variabili
Permittività dello strato di ossido
La permittività dello strato di ossido è definita come la capacità di una sostanza di immagazzinare energia elettrica in un campo elettrico.
Simbolo: εox
Misurazione: PermittivitàUnità: μF/mm
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Formule per trovare Permittività dello strato di ossidoOpen Variable
Spessore dello strato di ossido
Lo spessore dello strato di ossido tox viene determinato durante la tecnologia di processo utilizzata per fabbricare il MOSFET.
Simbolo: tox
Misurazione: LunghezzaUnità: mm
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Formule per trovare Spessore dello strato di ossidoOpen Variable
Capacità del gate di ingresso
La capacità del gate di ingresso nel CMOS si riferisce alla capacità tra i terminali di ingresso di un circuito CMOS e il potenziale di riferimento (solitamente terra).
Simbolo: Cin
Misurazione: CapacitàUnità: μF
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Formule per trovare Capacità del gate di ingressoOpen Variable
Larghezza del cancello
La larghezza del gate si riferisce alla distanza tra il bordo di un elettrodo di gate metallico e il materiale semiconduttore adiacente in un CMOS.
Simbolo: Wg
Misurazione: LunghezzaUnità: mm
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Formule per trovare Larghezza del cancelloOpen Variable
Lunghezza del cancello
La lunghezza del cancello è la misura o l'estensione di qualcosa da un'estremità all'altra.
Simbolo: Lg
Misurazione: LunghezzaUnità: mm
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Formule per trovare Lunghezza del cancelloOpen Variable

Altre formule nella categoria Caratteristiche del circuito CMOS

​va Tensione critica CMOS
Vc=Ec⋅L
​va CMOS percorso libero medio
L=VcEc
​va Larghezza della diffusione della sorgente
W=AsDs
​va Area di diffusione della sorgente
As=Ds⋅W

Come valutare Permittività dello strato di ossido?

Il valutatore Permittività dello strato di ossido utilizza Permittivity of Oxide Layer = Spessore dello strato di ossido*Capacità del gate di ingresso/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello) per valutare Permittività dello strato di ossido, La formula della permittività dello strato di ossido è definita come la capacità di una sostanza di immagazzinare energia elettrica in un campo elettrico. Permittività dello strato di ossido è indicato dal simbolo εox.

Come valutare Permittività dello strato di ossido utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Permittività dello strato di ossido, inserisci Spessore dello strato di ossido (tox), Capacità del gate di ingresso (Cin), Larghezza del cancello (Wg) & Lunghezza del cancello (Lg) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Permittività dello strato di ossido

Qual è la formula per trovare Permittività dello strato di ossido?
La formula di Permittività dello strato di ossido è espressa come Permittivity of Oxide Layer = Spessore dello strato di ossido*Capacità del gate di ingresso/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello). Ecco un esempio: 149799.4 = 0.00498*6.001E-05/(0.000285*0.007).
Come calcolare Permittività dello strato di ossido?
Con Spessore dello strato di ossido (tox), Capacità del gate di ingresso (Cin), Larghezza del cancello (Wg) & Lunghezza del cancello (Lg) possiamo trovare Permittività dello strato di ossido utilizzando la formula - Permittivity of Oxide Layer = Spessore dello strato di ossido*Capacità del gate di ingresso/(Larghezza del cancello*Lunghezza del cancello).
Il Permittività dello strato di ossido può essere negativo?
NO, Permittività dello strato di ossido, misurato in Permittività non può può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Permittività dello strato di ossido?
Permittività dello strato di ossido viene solitamente misurato utilizzando Microfarad per millimetro[μF/mm] per Permittività. Farad al metro[μF/mm], Microfarad al metro[μF/mm] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Permittività dello strato di ossido.
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