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Formula Parametro effetto backgate in PMOS

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Il parametro dell'effetto backgate si riferisce a un fenomeno che si verifica nei transistor ad effetto di campo, che sono dispositivi elettronici utilizzati per l'amplificazione, la commutazione e altri scopi. Controlla FAQs

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Charge-e] \cdot N d}}{C ox}

γ_p - Parametro effetto backgate?N_d - Concentrazione dei donatori?C_ox - Capacità di ossido?[Permitivity-vacuum] - Permittività del vuoto?[Charge-e] - Carica dell'elettrone?

Esempio di Parametro effetto backgate in PMOS

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Parametro effetto backgate in PMOS con Valori.

Ecco come appare l'equazione Parametro effetto backgate in PMOS con unità.

Ecco come appare l'equazione Parametro effetto backgate in PMOS.

0.029 = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12 \cdot 1.6E-19 \cdot 1.9E+20}}{0.0008}

0.029 = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1.6E-19C \cdot 1.9E+201/m³}}{0.0008F}

0.029 = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12 \cdot 1.6E-19 \cdot 1.9E+20}}{0.0008}

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Elettronica analogica » fx Parametro effetto backgate in PMOS

Parametro effetto backgate in PMOS Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Parametro effetto backgate in PMOS?

Primo passo Considera la formula

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Charge-e] \cdot N d}}{C ox}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Charge-e] \cdot 1.9E+201/m³}}{0.0008F}

Passo successivo Valori sostitutivi delle costanti

∴

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1.6E-19C \cdot 1.9E+201/m³}}{0.0008F}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

γ p = \frac{\sqrt{2 \cdot 8.9E-12 \cdot 1.6E-19 \cdot 1.9E+20}}{0.0008}

Passo successivo Valutare

∴

γ p = 0.0290154053183929

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

γ p = 0.029

Parametro effetto backgate in PMOS Formula Elementi

Variabili

Costanti

Funzioni

Parametro effetto backgate

Simbolo: γ_p

Misurazione: NAUnità: Unitless

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Parametro effetto backgate

Concentrazione dei donatori

La concentrazione del donatore è la fisica dei semiconduttori e si riferisce al numero di atomi di impurità del donatore per unità di volume di un materiale semiconduttore.

Simbolo: N_d

Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/m³

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Concentrazione dei donatori

Capacità di ossido

La capacità dell'ossido è un parametro importante che influisce sulle prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.

Simbolo: C_ox

Misurazione: CapacitàUnità: F

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Capacità di ossido

Permittività del vuoto

La permettività del vuoto è una costante fisica fondamentale che descrive la capacità del vuoto di consentire la trasmissione delle linee del campo elettrico.

Simbolo: [Permitivity-vacuum]

Valore: 8.85E-12 F/m

Carica dell'elettrone

La carica dell'elettrone è una costante fisica fondamentale, che rappresenta la carica elettrica trasportata da un elettrone, che è la particella elementare con una carica elettrica negativa.

Simbolo: [Charge-e]

Valore: 1.60217662E-19 C

sqrt

Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.

Sintassi: sqrt(Number)

Altre formule nella categoria Miglioramento del canale P

va Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

va Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

va Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

va Assorbimento di corrente nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Parametro effetto backgate in PMOS?

Il valutatore Parametro effetto backgate in PMOS utilizza Backgate Effect Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentrazione dei donatori)/Capacità di ossido per valutare Parametro effetto backgate, Il parametro dell'effetto backgate nella formula PMOS rappresenta la variazione della tensione di soglia per una data variazione della tensione di backgate. Parametro effetto backgate è indicato dal simbolo γ_p.

Come valutare Parametro effetto backgate in PMOS utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Parametro effetto backgate in PMOS, inserisci Concentrazione dei donatori (N_d) & Capacità di ossido (C_ox) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Parametro effetto backgate in PMOS

Qual è la formula per trovare Parametro effetto backgate in PMOS?

La formula di Parametro effetto backgate in PMOS è espressa come Backgate Effect Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentrazione dei donatori)/Capacità di ossido. Ecco un esempio: 0.029015 = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*1.9E+20)/0.0008.

Come calcolare Parametro effetto backgate in PMOS?

Con Concentrazione dei donatori (N_d) & Capacità di ossido (C_ox) possiamo trovare Parametro effetto backgate in PMOS utilizzando la formula - Backgate Effect Parameter = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*Concentrazione dei donatori)/Capacità di ossido. Questa formula utilizza anche le funzioni Permittività del vuoto, Carica dell'elettrone costante(i) e Radice quadrata (sqrt).

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Esempio di Parametro effetto backgate in PMOS

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