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Formula Parametro di transconduttanza del transistor MOS

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Il parametro di transconduttanza è il prodotto del parametro di transconduttanza del processo e il rapporto di aspetto del transistor (W/L). Controlla FAQs

K n = \frac{i d}{(V ox - V t) \cdot V gs}

K_n - Parametro di transconduttanza?i_d - Assorbimento di corrente?V_ox - Tensione attraverso l'ossido?V_t - Soglia di voltaggio?V_gs - Tensione tra Gate e Source?

Esempio di Parametro di transconduttanza del transistor MOS

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Parametro di transconduttanza del transistor MOS con Valori.

Ecco come appare l'equazione Parametro di transconduttanza del transistor MOS con unità.

Ecco come appare l'equazione Parametro di transconduttanza del transistor MOS.

2.9518 = \frac{17.5}{(3.775 - 2) \cdot 3.34}

2.9518mA/V² = \frac{17.5mA}{(3.775V - 2V) \cdot 3.34V}

2.9518 = \frac{17.5}{(3.775 - 2) \cdot 3.34}

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Amplificatori » fx Parametro di transconduttanza del transistor MOS

Parametro di transconduttanza del transistor MOS Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Parametro di transconduttanza del transistor MOS?

Primo passo Considera la formula

K n = \frac{i d}{(V ox - V t) \cdot V gs}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

K n = \frac{17.5mA}{(3.775V - 2V) \cdot 3.34V}

Passo successivo Converti unità

∴

K n = \frac{0.0175A}{(3.775V - 2V) \cdot 3.34V}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

K n = \frac{0.0175}{(3.775 - 2) \cdot 3.34}

Passo successivo Valutare

∴

K n = 0.00295184279328667A/V²

Passo successivo Converti nell'unità di output

∴

K n = 2.95184279328667mA/V²

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

K n = 2.9518mA/V²

Parametro di transconduttanza del transistor MOS Formula Elementi

Variabili

Parametro di transconduttanza

Il parametro di transconduttanza è il prodotto del parametro di transconduttanza del processo e il rapporto di aspetto del transistor (W/L).

Simbolo: K_n

Misurazione: Parametro di transconduttanzaUnità: mA/V²

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Parametro di transconduttanza

Assorbimento di corrente

La corrente di drenaggio al di sotto della tensione di soglia è definita come corrente sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione da gate a source.

Simbolo: i_d

Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Assorbimento di corrente

Tensione attraverso l'ossido

La tensione attraverso l'ossido è dovuta alla carica sull'interfaccia ossido-semiconduttore e il terzo termine è dovuto alla densità di carica nell'ossido.

Simbolo: V_ox

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione attraverso l'ossido

Soglia di voltaggio

La tensione di soglia del transistor è la tensione minima tra gate e source necessaria per creare un percorso conduttivo tra i terminali source e drain.

Simbolo: V_t

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Soglia di voltaggio

Tensione tra Gate e Source

La tensione tra gate e source è la tensione che cade attraverso il terminale gate-source del transistor.

Simbolo: V_gs

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione tra Gate e Source

Altre formule nella categoria Caratteristiche dell'amplificatore a transistor

va Tensione di scarico totale istantanea

V d = V fc - R d \cdot i d

va Corrente che scorre attraverso il canale indotto nel transistor data la tensione di ossido

i o = (μ e \cdot C ox \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot (V ox - V t)) \cdot V ds

va Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione

i ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot {(V ov)}^{2}

va Tensione di ingresso nel transistor

V fc = R d \cdot i d - V d

Vedi altro OpenImg

Come valutare Parametro di transconduttanza del transistor MOS?

Il valutatore Parametro di transconduttanza del transistor MOS utilizza Transconductance Parameter = Assorbimento di corrente/((Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source) per valutare Parametro di transconduttanza, Il parametro di transconduttanza del transistor MOS è una misura della capacità del transistor di controllare il flusso di corrente in risposta a una tensione applicata ai terminali di gate e source. Parametro di transconduttanza è indicato dal simbolo K_n.

Come valutare Parametro di transconduttanza del transistor MOS utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Parametro di transconduttanza del transistor MOS, inserisci Assorbimento di corrente (i_d), Tensione attraverso l'ossido (V_ox), Soglia di voltaggio (V_t) & Tensione tra Gate e Source (V_gs) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Parametro di transconduttanza del transistor MOS

Qual è la formula per trovare Parametro di transconduttanza del transistor MOS?

La formula di Parametro di transconduttanza del transistor MOS è espressa come Transconductance Parameter = Assorbimento di corrente/((Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source). Ecco un esempio: 2951.843 = 0.0175/((3.775-2)*3.34).

Come calcolare Parametro di transconduttanza del transistor MOS?

Con Assorbimento di corrente (i_d), Tensione attraverso l'ossido (V_ox), Soglia di voltaggio (V_t) & Tensione tra Gate e Source (V_gs) possiamo trovare Parametro di transconduttanza del transistor MOS utilizzando la formula - Transconductance Parameter = Assorbimento di corrente/((Tensione attraverso l'ossido-Soglia di voltaggio)*Tensione tra Gate e Source).

Il Parametro di transconduttanza del transistor MOS può essere negativo?

NO, Parametro di transconduttanza del transistor MOS, misurato in Parametro di transconduttanza non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Parametro di transconduttanza del transistor MOS?

Parametro di transconduttanza del transistor MOS viene solitamente misurato utilizzando Milliampere per Volt Quadrato[mA/V²] per Parametro di transconduttanza. Ampere per Volt Quadrato[mA/V²], Microampere per Volt Quadrato[mA/V²] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Parametro di transconduttanza del transistor MOS.

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