FormulaDen.com

Fisica Chimica Matematica Ingegneria Chimica Civile Elettrico Elettronica Elettronica e strumentazione Scienza dei materiali Meccanico Ingegneria di produzione Finanziario Salute

Formula Parametro del processo di fabbricazione di NMOS

Fx copia

LaTeX copia

Il parametro del processo di fabbricazione è il processo che inizia con l'ossidazione del substrato di silicio in cui viene depositato sulla superficie uno strato di ossido relativamente spesso. Controlla FAQs

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N P \cdot [Permitivity-vacuum]}}{C ox}

γ - Parametro del processo di fabbricazione?N_P - Concentrazione drogante del substrato P?C_ox - Capacità di ossido?[Charge-e] - Carica dell'elettrone?[Permitivity-vacuum] - Permittività del vuoto?

Esempio di Parametro del processo di fabbricazione di NMOS

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Parametro del processo di fabbricazione di NMOS con Valori.

Ecco come appare l'equazione Parametro del processo di fabbricazione di NMOS con unità.

Ecco come appare l'equazione Parametro del processo di fabbricazione di NMOS.

204.2049 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 6E+16 \cdot 8.9E-12}}{2.02}

204.2049 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 6E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m}}{2.02μF}

204.2049 = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 6E+16 \cdot 8.9E-12}}{2.02}

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

Calcolare

Ricalcolare

Soluzione

copia

Ripristina

Condividere

Tu sei qui -

Casa » Category

Ingegneria » Category

Elettronica » Category

Elettronica analogica » fx Parametro del processo di fabbricazione di NMOS

Parametro del processo di fabbricazione di NMOS Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Parametro del processo di fabbricazione di NMOS?

Primo passo Considera la formula

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N P \cdot [Permitivity-vacuum]}}{C ox}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot 6E+161/cm³ \cdot [Permitivity-vacuum]}}{2.02μF}

Passo successivo Valori sostitutivi delle costanti

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 6E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m}}{2.02μF}

Passo successivo Converti unità

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 6E+221/m³ \cdot 8.9E-12F/m}}{2E-6F}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

γ = \frac{\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 6E+22 \cdot 8.9E-12}}{2E-6}

Passo successivo Valutare

∴

γ = 204.204864690003

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

γ = 204.2049

Parametro del processo di fabbricazione di NMOS Formula Elementi

Variabili

Costanti

Funzioni

Parametro del processo di fabbricazione

Il parametro del processo di fabbricazione è il processo che inizia con l'ossidazione del substrato di silicio in cui viene depositato sulla superficie uno strato di ossido relativamente spesso.

Simbolo: γ

Misurazione: NAUnità: Unitless

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Parametro del processo di fabbricazione

Concentrazione drogante del substrato P

La concentrazione drogante del substrato P è il numero di impurità aggiunte al substrato. È la concentrazione totale di ioni accettori.

Simbolo: N_P

Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/cm³

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Concentrazione drogante del substrato P

Capacità di ossido

La capacità dell'ossido è un parametro importante che influisce sulle prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.

Simbolo: C_ox

Misurazione: CapacitàUnità: μF

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Capacità di ossido

Carica dell'elettrone

La carica dell'elettrone è una costante fisica fondamentale, che rappresenta la carica elettrica trasportata da un elettrone, che è la particella elementare con una carica elettrica negativa.

Simbolo: [Charge-e]

Valore: 1.60217662E-19 C

Permittività del vuoto

La permettività del vuoto è una costante fisica fondamentale che descrive la capacità del vuoto di consentire la trasmissione delle linee del campo elettrico.

Simbolo: [Permitivity-vacuum]

Valore: 8.85E-12 F/m

sqrt

Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.

Sintassi: sqrt(Number)

Altre formule nella categoria Miglioramento del canale N

va Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS

v d = μ n \cdot E L

va NMOS come resistenza lineare

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

va Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

va Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione del triodo di NMOS

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

Vedi altro OpenImg

Come valutare Parametro del processo di fabbricazione di NMOS?

Il valutatore Parametro del processo di fabbricazione di NMOS utilizza Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*Concentrazione drogante del substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacità di ossido per valutare Parametro del processo di fabbricazione, Il parametro del processo di fabbricazione di NMOS è il processo che inizia con l'ossidazione del substrato di silicio in cui uno strato di ossido relativamente spesso è depositato sulla superficie. Parametro del processo di fabbricazione è indicato dal simbolo γ.

Come valutare Parametro del processo di fabbricazione di NMOS utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Parametro del processo di fabbricazione di NMOS, inserisci Concentrazione drogante del substrato P (N_P) & Capacità di ossido (C_ox) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Parametro del processo di fabbricazione di NMOS

Qual è la formula per trovare Parametro del processo di fabbricazione di NMOS?

La formula di Parametro del processo di fabbricazione di NMOS è espressa come Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*Concentrazione drogante del substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacità di ossido. Ecco un esempio: 204.2049 = sqrt(2*[Charge-e]*6E+22*[Permitivity-vacuum])/2.02E-06.

Come calcolare Parametro del processo di fabbricazione di NMOS?

Con Concentrazione drogante del substrato P (N_P) & Capacità di ossido (C_ox) possiamo trovare Parametro del processo di fabbricazione di NMOS utilizzando la formula - Fabrication Process Parameter = sqrt(2*[Charge-e]*Concentrazione drogante del substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacità di ossido. Questa formula utilizza anche le funzioni Carica dell'elettrone, Permittività del vuoto costante(i) e Radice quadrata (sqrt).

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!

: Valore
: Unità

Formula Parametro del processo di fabbricazione di NMOS

Esempio di Parametro del processo di fabbricazione di NMOS

Parametro del processo di fabbricazione di NMOS Soluzione

Parametro del processo di fabbricazione di NMOS Formula Elementi

Altre formule nella categoria Miglioramento del canale N

Come valutare Parametro del processo di fabbricazione di NMOS?

FAQs SU Parametro del processo di fabbricazione di NMOS

Variable Name