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Formula NMOS come resistenza lineare

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La resistenza lineare agisce come resistenza variabile nella regione lineare e come sorgente di corrente nella regione di saturazione. Controlla FAQs

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

r_DS - Resistenza lineare?L - Lunghezza del canale?μ_n - Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale?C_ox - Capacità di ossido?W_c - Larghezza del canale?V_gs - Tensione sorgente gate?V_T - Soglia di voltaggio?

Esempio di NMOS come resistenza lineare

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione NMOS come resistenza lineare con Valori.

Ecco come appare l'equazione NMOS come resistenza lineare con unità.

Ecco come appare l'equazione NMOS come resistenza lineare.

7.9607 = \frac{3}{2.2 \cdot 2.02 \cdot 10 \cdot (10.3 - 1.82)}

7.9607kΩ = \frac{3μm}{2.2m²/V*s \cdot 2.02μF \cdot 10μm \cdot (10.3V - 1.82V)}

7.9607 = \frac{3}{2.2 \cdot 2.02 \cdot 10 \cdot (10.3 - 1.82)}

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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NMOS come resistenza lineare Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare NMOS come resistenza lineare?

Primo passo Considera la formula

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

r DS = \frac{3μm}{2.2m²/V*s \cdot 2.02μF \cdot 10μm \cdot (10.3V - 1.82V)}

Passo successivo Converti unità

∴

r DS = \frac{3E-6m}{2.2m²/V*s \cdot 2E-6F \cdot 1E-5m \cdot (10.3V - 1.82V)}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

r DS = \frac{3E-6}{2.2 \cdot 2E-6 \cdot 1E-5 \cdot (10.3 - 1.82)}

Passo successivo Valutare

∴

r DS = 7960.70173055041Ω

Passo successivo Converti nell'unità di output

∴

r DS = 7.96070173055041kΩ

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

r DS = 7.9607kΩ

NMOS come resistenza lineare Formula Elementi

Variabili

Resistenza lineare

La resistenza lineare agisce come resistenza variabile nella regione lineare e come sorgente di corrente nella regione di saturazione.

Simbolo: r_DS

Misurazione: Resistenza elettricaUnità: kΩ

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Resistenza lineare

Lunghezza del canale

La lunghezza del canale può essere definita come la distanza tra i suoi punti iniziale e finale e può variare notevolmente a seconda del suo scopo e della sua posizione.

Simbolo: L

Misurazione: LunghezzaUnità: μm

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Lunghezza del canale

Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale

La mobilità degli elettroni sulla superficie del canale si riferisce alla capacità degli elettroni di muoversi o condurre all'interno dello strato superficiale di un materiale quando sono sottoposti a un campo elettrico.

Simbolo: μ_n

Misurazione: MobilitàUnità: m²/V*s

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale

Capacità di ossido

La capacità dell'ossido è un parametro importante che influisce sulle prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.

Simbolo: C_ox

Misurazione: CapacitàUnità: μF

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Capacità di ossido

Larghezza del canale

La larghezza del canale si riferisce alla quantità di larghezza di banda disponibile per la trasmissione dei dati all'interno di un canale di comunicazione.

Simbolo: W_c

Misurazione: LunghezzaUnità: μm

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Larghezza del canale

Tensione sorgente gate

Il Gate Source Voltage è la tensione che cade attraverso il terminale gate-source del transistor.

Simbolo: V_gs

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Tensione sorgente gate

Soglia di voltaggio

La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.

Simbolo: V_T

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Soglia di voltaggio

Altre formule nella categoria Miglioramento del canale N

va Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS

v d = μ n \cdot E L

va Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

Vedi altro OpenImg

Come valutare NMOS come resistenza lineare?

Il valutatore NMOS come resistenza lineare utilizza Linear Resistance = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)) per valutare Resistenza lineare, L'NMOS come resistenza lineare agisce come resistore variabile nella regione lineare e come sorgente di corrente nella regione di saturazione. A differenza di un BJT, per utilizzare un MOSFET come interruttore, è necessario operare all'interno della regione lineare. Resistenza lineare è indicato dal simbolo r_DS.

Come valutare NMOS come resistenza lineare utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per NMOS come resistenza lineare, inserisci Lunghezza del canale (L), Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale (μ_n), Capacità di ossido (C_ox), Larghezza del canale (W_c), Tensione sorgente gate (V_gs) & Soglia di voltaggio (V_T) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU NMOS come resistenza lineare

Qual è la formula per trovare NMOS come resistenza lineare?

La formula di NMOS come resistenza lineare è espressa come Linear Resistance = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)). Ecco un esempio: 0.007961 = 3E-06/(2.2*2.02E-06*1E-05*(10.3-1.82)).

Come calcolare NMOS come resistenza lineare?

Con Lunghezza del canale (L), Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale (μ_n), Capacità di ossido (C_ox), Larghezza del canale (W_c), Tensione sorgente gate (V_gs) & Soglia di voltaggio (V_T) possiamo trovare NMOS come resistenza lineare utilizzando la formula - Linear Resistance = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)).

Il NMOS come resistenza lineare può essere negativo?

SÌ, NMOS come resistenza lineare, misurato in Resistenza elettrica Potere può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare NMOS come resistenza lineare?

NMOS come resistenza lineare viene solitamente misurato utilizzando Kilohm[kΩ] per Resistenza elettrica. Ohm[kΩ], Megahm[kΩ], Microhm[kΩ] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare NMOS come resistenza lineare.

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