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Formula MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto

vaMOSFET come resistenza lineare Formula

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Resistenza lineare, la quantità di opposizione o resistenza è direttamente proporzionale alla quantità di corrente che lo attraversa, come descritto dalla legge di Ohm. Controlla FAQs

R ds = \frac{L}{μ s \cdot C ox \cdot W c \cdot V eff}

R_ds - Resistenza lineare?L - Lunghezza del canale?μ_s - Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale?C_ox - Capacità dell'ossido?W_c - Larghezza del canale?V_eff - Tensione effettiva?

Esempio di MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto con Valori.

Ecco come appare l'equazione MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto con unità.

Ecco come appare l'equazione MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto.

0.1647 = \frac{100}{38 \cdot 940 \cdot 10 \cdot 1.7}

0.1647kΩ = \frac{100μm}{38m²/V*s \cdot 940μF \cdot 10μm \cdot 1.7V}

0.1647 = \frac{100}{38 \cdot 940 \cdot 10 \cdot 1.7}

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MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto?

Primo passo Considera la formula

R ds = \frac{L}{μ s \cdot C ox \cdot W c \cdot V eff}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

R ds = \frac{100μm}{38m²/V*s \cdot 940μF \cdot 10μm \cdot 1.7V}

Passo successivo Converti unità

∴

R ds = \frac{0.0001m}{38m²/V*s \cdot 0.0009F \cdot 1E-5m \cdot 1.7V}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

R ds = \frac{0.0001}{38 \cdot 0.0009 \cdot 1E-5 \cdot 1.7}

Passo successivo Valutare

∴

R ds = 164.679533627561Ω

Passo successivo Converti nell'unità di output

∴

R ds = 0.164679533627561kΩ

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

R ds = 0.1647kΩ

MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto Formula Elementi

Variabili

Resistenza lineare

Resistenza lineare, la quantità di opposizione o resistenza è direttamente proporzionale alla quantità di corrente che lo attraversa, come descritto dalla legge di Ohm.

Simbolo: R_ds

Misurazione: Resistenza elettricaUnità: kΩ

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Resistenza lineare

Lunghezza del canale

La lunghezza del canale si riferisce alla distanza tra i terminali source e drain in un transistor ad effetto di campo (FET).

Simbolo: L

Misurazione: LunghezzaUnità: μm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Lunghezza del canale

Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale

La mobilità degli elettroni sulla superficie del canale si riferisce alla capacità degli elettroni di muoversi o viaggiare attraverso la superficie di un materiale semiconduttore, come un canale di silicio in un transistor.

Simbolo: μ_s

Misurazione: MobilitàUnità: m²/V*s

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale

Capacità dell'ossido

La capacità dell'ossido è un parametro importante che influenza le prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.

Simbolo: C_ox

Misurazione: CapacitàUnità: μF

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Capacità dell'ossido

Larghezza del canale

La larghezza del canale si riferisce alla gamma di frequenze utilizzate per la trasmissione di dati su un canale di comunicazione wireless. È anche nota come larghezza di banda e si misura in hertz (Hz).

Simbolo: W_c

Misurazione: LunghezzaUnità: μm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Larghezza del canale

Tensione effettiva

La tensione effettiva in un MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo) è la tensione che determina il comportamento del dispositivo. È anche conosciuta come tensione gate-source.

Simbolo: V_eff

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione effettiva

Altre formule per trovare Resistenza lineare

va MOSFET come resistenza lineare

R ds = \frac{1}{G}

Altre formule nella categoria Resistenza

va Percorso libero medio elettronico

λ = \frac{1}{R out \cdot i d}

va Resistenza uscita scarico

R out = \frac{1}{λ \cdot i d}

va Resistenza finita tra Drain e Source

R fi = mod \underset{̲}{u} s \frac{V a}{i d}

va Conduttanza nella resistenza lineare del MOSFET

G = \frac{1}{R ds}

Vedi altro OpenImg

Come valutare MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto?

Il valutatore MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto utilizza Linear Resistance = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Tensione effettiva) per valutare Resistenza lineare, Il MOSFET come resistenza lineare data il rapporto di aspetto agisce come un resistore variabile nella regione lineare e come una sorgente di corrente nella regione di saturazione. A differenza di un BJT, per utilizzare un MOSFET come interruttore, è necessario operare all'interno della regione lineare. Resistenza lineare è indicato dal simbolo R_ds.

Come valutare MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto, inserisci Lunghezza del canale (L), Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale (μ_s), Capacità dell'ossido (C_ox), Larghezza del canale (W_c) & Tensione effettiva (V_eff) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto

Qual è la formula per trovare MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto?

La formula di MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto è espressa come Linear Resistance = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Tensione effettiva). Ecco un esempio: 0.000165 = 0.0001/(38*0.00094*1E-05*1.7).

Come calcolare MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto?

Con Lunghezza del canale (L), Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale (μ_s), Capacità dell'ossido (C_ox), Larghezza del canale (W_c) & Tensione effettiva (V_eff) possiamo trovare MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto utilizzando la formula - Linear Resistance = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Tensione effettiva).

Quali sono gli altri modi per calcolare Resistenza lineare?

Ecco i diversi modi per calcolare Resistenza lineare-

Linear Resistance=1/Conductance of Channel

Il MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto può essere negativo?

NO, MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto, misurato in Resistenza elettrica non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto?

MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto viene solitamente misurato utilizzando Kilohm[kΩ] per Resistenza elettrica. Ohm[kΩ], Megahm[kΩ], Microhm[kΩ] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto.

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Formula MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto

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Esempio di MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto

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Altre formule per trovare Resistenza lineare

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FAQs SU MOSFET come resistenza lineare dato il rapporto di aspetto

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vaMOSFET come resistenza lineare Formula