Formula Mobilità in Mosfet

Fx copia
LaTeX copia
La mobilità nei MOSFET è definita in base alla capacità di un elettrone di muoversi rapidamente attraverso un metallo o un semiconduttore, quando attratto da un campo elettrico. Controlla FAQs
μeff=KpCox
μeff - Mobilità nei MOSFET?Kp - K Primo?Cox - Capacità dello strato di ossido di gate?

Esempio di Mobilità in Mosfet

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Mobilità in Mosfet con Valori.

Ecco come appare l'equazione Mobilità in Mosfet con unità.

Ecco come appare l'equazione Mobilità in Mosfet.

0.1509Edit=4.502Edit29.83Edit
copia
Ripristina
Condividere
Tu sei qui -
HomeIcon Casa » Category Ingegneria » Category Elettronica » Category Fabbricazione VLSI » fx Mobilità in Mosfet

Mobilità in Mosfet Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Mobilità in Mosfet?

Primo passo Considera la formula
μeff=KpCox
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
μeff=4.502cm²/V*s29.83μF/mm²
Passo successivo Converti unità
μeff=0.0005m²/V*s29.83F/m²
Passo successivo Preparati a valutare
μeff=0.000529.83
Passo successivo Valutare
μeff=1.50921890714046E-05m²/V*s
Passo successivo Converti nell'unità di output
μeff=0.150921890714046cm²/V*s
Ultimo passo Risposta arrotondata
μeff=0.1509cm²/V*s

Mobilità in Mosfet Formula Elementi

Variabili
Mobilità nei MOSFET
La mobilità nei MOSFET è definita in base alla capacità di un elettrone di muoversi rapidamente attraverso un metallo o un semiconduttore, quando attratto da un campo elettrico.
Simbolo: μeff
Misurazione: MobilitàUnità: cm²/V*s
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
K Primo
K Prime è la costante di velocità inversa della reazione.
Simbolo: Kp
Misurazione: MobilitàUnità: cm²/V*s
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Capacità dello strato di ossido di gate
La capacità dello strato di ossido di gate è definita come la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.
Simbolo: Cox
Misurazione: Capacità di ossido per area unitariaUnità: μF/mm²
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Altre formule nella categoria Ottimizzazione dei materiali VLSI

​va Coefficiente di effetto corporeo
γ=modu̲s(Vt-Vt0Φs+(Vsb)-Φs)
​va Channel Charge
Qch=Cg(Vgc-Vt)
​va Tensione critica
Vx=ExEch
​va Coefficiente DIBL
η=Vt0-VtVds

Come valutare Mobilità in Mosfet?

Il valutatore Mobilità in Mosfet utilizza Mobility in MOSFET = K Primo/Capacità dello strato di ossido di gate per valutare Mobilità nei MOSFET, La formula della mobilità in Mosfet è definita come la velocità con cui un elettrone può muoversi attraverso un metallo o un semiconduttore, quando è attratto da un campo elettrico. Mobilità nei MOSFET è indicato dal simbolo μeff.

Come valutare Mobilità in Mosfet utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Mobilità in Mosfet, inserisci K Primo (Kp) & Capacità dello strato di ossido di gate (Cox) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Mobilità in Mosfet

Qual è la formula per trovare Mobilità in Mosfet?
La formula di Mobilità in Mosfet è espressa come Mobility in MOSFET = K Primo/Capacità dello strato di ossido di gate. Ecco un esempio: 1500.167 = 0.0004502/29.83.
Come calcolare Mobilità in Mosfet?
Con K Primo (Kp) & Capacità dello strato di ossido di gate (Cox) possiamo trovare Mobilità in Mosfet utilizzando la formula - Mobility in MOSFET = K Primo/Capacità dello strato di ossido di gate.
Il Mobilità in Mosfet può essere negativo?
NO, Mobilità in Mosfet, misurato in Mobilità non può può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Mobilità in Mosfet?
Mobilità in Mosfet viene solitamente misurato utilizzando Centimetro quadrato per Volt Secondo[cm²/V*s] per Mobilità. Metro quadrato per Volt al secondo[cm²/V*s] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Mobilità in Mosfet.
Copied!