FormulaDen logo
FormulaDen.com
Search
Fisica Chimica Matematica Ingegneria Chimica Civile Elettrico Elettronica Elettronica e strumentazione Scienza dei materiali Meccanico Ingegneria di produzione Finanziario Salute

Formula Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET

Fx copia
LaTeX copia
La carica elettronica nel canale si riferisce alla quantità di carica trasportata da un elettrone nella banda di conduzione del materiale semiconduttore utilizzato nel dispositivo. Controlla FAQs
Qe=Cox⋅Wc⋅L⋅Veff
Qe - Carica elettronica nel canale?Cox - Capacità dell'ossido?Wc - Larghezza del canale?L - Lunghezza del canale?Veff - Tensione effettiva?

Esempio di Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET con Valori.

Ecco come appare l'equazione Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET con unità.

Ecco come appare l'equazione Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET.

1.598Edit=940Edit⋅10Edit⋅100Edit⋅1.7Edit
Soluzione
copia
Ripristina
Condividere
Tu sei qui -
HomeIcon Casa » Category Ingegneria » Category Elettronica » Category Elettronica analogica » fx Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET

Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET?

Primo passo Considera la formula
Qe=Cox⋅Wc⋅L⋅Veff
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
∴ Qe=940μF⋅10μm⋅100μm⋅1.7V
Passo successivo Converti unità
∴ Qe=0.0009F⋅1E-5m⋅0.0001m⋅1.7V
Passo successivo Preparati a valutare
∴ Qe=0.0009⋅1E-5⋅0.0001⋅1.7
Passo successivo Valutare
∴Qe=1.598E-12C
Ultimo passo Converti nell'unità di output
∴Qe=1.598pC

Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET Formula Elementi

Variabili
Carica elettronica nel canale
La carica elettronica nel canale si riferisce alla quantità di carica trasportata da un elettrone nella banda di conduzione del materiale semiconduttore utilizzato nel dispositivo.
Simbolo: Qe
Misurazione: Carica elettricaUnità: pC
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Formule per trovare Carica elettronica nel canaleOpen Variable
Capacità dell'ossido
La capacità dell'ossido è un parametro importante che influenza le prestazioni dei dispositivi MOS, come la velocità e il consumo energetico dei circuiti integrati.
Simbolo: Cox
Misurazione: CapacitàUnità: μF
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Formule per trovare Capacità dell'ossidoOpen Variable
Larghezza del canale
La larghezza del canale si riferisce alla gamma di frequenze utilizzate per la trasmissione di dati su un canale di comunicazione wireless. È anche nota come larghezza di banda e si misura in hertz (Hz).
Simbolo: Wc
Misurazione: LunghezzaUnità: μm
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Formule per trovare Larghezza del canaleOpen Variable
Lunghezza del canale
La lunghezza del canale si riferisce alla distanza tra i terminali source e drain in un transistor ad effetto di campo (FET).
Simbolo: L
Misurazione: LunghezzaUnità: μm
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Formule per trovare Lunghezza del canaleOpen Variable
Tensione effettiva
La tensione effettiva in un MOSFET (transistor a effetto di campo a semiconduttore a ossido di metallo) è la tensione che determina il comportamento del dispositivo. È anche conosciuta come tensione gate-source.
Simbolo: Veff
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Formule per trovare Tensione effettivaOpen Variable

Altre formule nella categoria Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza

​va Larghezza del canale da gate a sorgente del MOSFET
Wc=CocCox⋅Lov
​va Capacità di sovrapposizione del MOSFET
Coc=Wc⋅Cox⋅Lov
​va Capacità totale tra gate e canale dei MOSFET
Cg=Cox⋅Wc⋅L
​va Frequenza di transizione del MOSFET
ft=gm2⋅π⋅(Csg+Cgd)

Come valutare Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET?

Il valutatore Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET utilizza Electron Charge in Channel = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale*Tensione effettiva per valutare Carica elettronica nel canale, L'entità della carica elettronica nel canale del MOSFET è data da |Q| = Cox (WL)Vov dove Cox, chiamata capacità dell'ossido, è la capacità del condensatore a piastre parallele per unità di area di gate (in unità di F/m. Carica elettronica nel canale è indicato dal simbolo Qe.

Come valutare Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET, inserisci Capacità dell'ossido (Cox), Larghezza del canale (Wc), Lunghezza del canale (L) & Tensione effettiva (Veff) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET

Qual è la formula per trovare Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET?
La formula di Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET è espressa come Electron Charge in Channel = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale*Tensione effettiva. Ecco un esempio: 1.6E+12 = 0.00094*1E-05*0.0001*1.7.
Come calcolare Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET?
Con Capacità dell'ossido (Cox), Larghezza del canale (Wc), Lunghezza del canale (L) & Tensione effettiva (Veff) possiamo trovare Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET utilizzando la formula - Electron Charge in Channel = Capacità dell'ossido*Larghezza del canale*Lunghezza del canale*Tensione effettiva.
Il Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET può essere negativo?
SÌ, Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET, misurato in Carica elettrica Potere può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET?
Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET viene solitamente misurato utilizzando Picocoulomb[pC] per Carica elettrica. Coulomb[pC], Kilocoulomb[pC], Millicoulomb[pC] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Magnitudine della carica elettronica nel canale del MOSFET.
About | Contact | Disclaimer | Terms | Privacy Policy
© 2024. Developed & Maintained by softUsvista Inc.
Copied!