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Formula Larghezza della zona di svuotamento

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La larghezza della regione di esaurimento è una regione in un dispositivo a semiconduttore in cui non sono presenti portatori di carica gratuiti. Controlla FAQs

x depl = \sqrt{(\frac{[Permitivity-silicon] \cdot 2}{[Charge-e] \cdot N d}) \cdot (V i - V g)}

x_depl - Larghezza della regione di esaurimento?N_d - Densità del doping?V_i - Barriera potenziale di Schottky?V_g - Tensione di porta?[Permitivity-silicon] - Permittività del silicio?[Charge-e] - Carica dell'elettrone?

Esempio di Larghezza della zona di svuotamento

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Larghezza della zona di svuotamento con Valori.

Ecco come appare l'equazione Larghezza della zona di svuotamento con unità.

Ecco come appare l'equazione Larghezza della zona di svuotamento.

0.0002 = \sqrt{(\frac{11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 9E+22}) \cdot (15.9 - 0.25)}

0.0002m = \sqrt{(\frac{11.7 \cdot 2}{1.6E-19C \cdot 9E+221/cm³}) \cdot (15.9V - 0.25V)}

0.0002 = \sqrt{(\frac{11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 9E+22}) \cdot (15.9 - 0.25)}

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Teoria delle microonde » fx Larghezza della zona di svuotamento

Larghezza della zona di svuotamento Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Larghezza della zona di svuotamento?

Primo passo Considera la formula

x depl = \sqrt{(\frac{[Permitivity-silicon] \cdot 2}{[Charge-e] \cdot N d}) \cdot (V i - V g)}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

x depl = \sqrt{(\frac{[Permitivity-silicon] \cdot 2}{[Charge-e] \cdot 9E+221/cm³}) \cdot (15.9V - 0.25V)}

Passo successivo Valori sostitutivi delle costanti

∴

x depl = \sqrt{(\frac{11.7 \cdot 2}{1.6E-19C \cdot 9E+221/cm³}) \cdot (15.9V - 0.25V)}

Passo successivo Converti unità

∴

x depl = \sqrt{(\frac{11.7 \cdot 2}{1.6E-19C \cdot 9E+281/m³}) \cdot (15.9V - 0.25V)}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

x depl = \sqrt{(\frac{11.7 \cdot 2}{1.6E-19 \cdot 9E+28}) \cdot (15.9 - 0.25)}

Passo successivo Valutare

∴

x depl = 0.000159363423174517m

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

x depl = 0.0002m

Larghezza della zona di svuotamento Formula Elementi

Variabili

Costanti

Funzioni

Larghezza della regione di esaurimento

La larghezza della regione di esaurimento è una regione in un dispositivo a semiconduttore in cui non sono presenti portatori di carica gratuiti.

Simbolo: x_depl

Misurazione: LunghezzaUnità: m

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Larghezza della regione di esaurimento

Densità del doping

La densità di drogaggio si riferisce alla concentrazione di atomi droganti in un materiale semiconduttore. I droganti sono atomi di impurità che vengono intenzionalmente introdotti nel semiconduttore.

Simbolo: N_d

Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/cm³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Densità del doping

Barriera potenziale di Schottky

La barriera del potenziale Schottky agisce come una barriera per gli elettroni e l'altezza della barriera dipende dalla differenza di funzione lavoro tra i due materiali.

Simbolo: V_i

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Barriera potenziale di Schottky

Tensione di porta

La tensione di gate è la tensione sviluppata alla giunzione gate source di un transistor JFET.

Simbolo: V_g

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione di porta

Permittività del silicio

La permettività del silicio misura la sua capacità di immagazzinare energia elettrica in un campo elettrico, fondamentale nella tecnologia dei semiconduttori.

Simbolo: [Permitivity-silicon]

Valore: 11.7

Carica dell'elettrone

La carica dell'elettrone è una costante fisica fondamentale, che rappresenta la carica elettrica trasportata da un elettrone, che è la particella elementare con una carica elettrica negativa.

Simbolo: [Charge-e]

Valore: 1.60217662E-19 C

sqrt

Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.

Sintassi: sqrt(Number)

Altre formule nella categoria Klystron

va Conduttanza di carico trave

G b = G - (G L + G cu)

va Rame perdita di cavità

G cu = G - (G b + G L)

va Conduttanza della cavità

G = G L + G cu + G b

va Parametro di raggruppamento di Klystron

X = \frac{β i \cdot V in \cdot θ o}{2 \cdot V o}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Larghezza della zona di svuotamento?

Il valutatore Larghezza della zona di svuotamento utilizza Width of Depletion Region = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Densità del doping))*(Barriera potenziale di Schottky-Tensione di porta)) per valutare Larghezza della regione di esaurimento, La formula della larghezza della zona di esaurimento è definita come una regione in un dispositivo a semiconduttore in cui non sono presenti portatori di carica gratuiti. Dipende dai livelli di drogaggio del materiale semiconduttore, dalla tensione di gate e dalle dimensioni fisiche del dispositivo. Larghezza della regione di esaurimento è indicato dal simbolo x_depl.

Come valutare Larghezza della zona di svuotamento utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Larghezza della zona di svuotamento, inserisci Densità del doping (N_d), Barriera potenziale di Schottky (V_i) & Tensione di porta (V_g) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Larghezza della zona di svuotamento

Qual è la formula per trovare Larghezza della zona di svuotamento?

La formula di Larghezza della zona di svuotamento è espressa come Width of Depletion Region = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Densità del doping))*(Barriera potenziale di Schottky-Tensione di porta)). Ecco un esempio: 0.000159 = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*9E+28))*(15.9-0.25)).

Come calcolare Larghezza della zona di svuotamento?

Con Densità del doping (N_d), Barriera potenziale di Schottky (V_i) & Tensione di porta (V_g) possiamo trovare Larghezza della zona di svuotamento utilizzando la formula - Width of Depletion Region = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Densità del doping))*(Barriera potenziale di Schottky-Tensione di porta)). Questa formula utilizza anche le funzioni Permittività del silicio, Carica dell'elettrone costante(i) e Radice quadrata (sqrt).

Il Larghezza della zona di svuotamento può essere negativo?

NO, Larghezza della zona di svuotamento, misurato in Lunghezza non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Larghezza della zona di svuotamento?

Larghezza della zona di svuotamento viene solitamente misurato utilizzando Metro[m] per Lunghezza. Millimetro[m], Chilometro[m], Decimetro[m] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Larghezza della zona di svuotamento.

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