Formula Larghezza della zona di svuotamento

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La larghezza della regione di esaurimento è una regione in un dispositivo a semiconduttore in cui non sono presenti portatori di carica gratuiti. Controlla FAQs
xdepl=([Permitivity-silicon]2[Charge-e]Nd)(Vi-Vg)
xdepl - Larghezza della regione di esaurimento?Nd - Densità del doping?Vi - Barriera potenziale di Schottky?Vg - Tensione di porta?[Permitivity-silicon] - Permittività del silicio?[Charge-e] - Carica dell'elettrone?

Esempio di Larghezza della zona di svuotamento

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Larghezza della zona di svuotamento con Valori.

Ecco come appare l'equazione Larghezza della zona di svuotamento con unità.

Ecco come appare l'equazione Larghezza della zona di svuotamento.

0.0002Edit=(11.721.6E-199E+22Edit)(15.9Edit-0.25Edit)
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Larghezza della zona di svuotamento Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Larghezza della zona di svuotamento?

Primo passo Considera la formula
xdepl=([Permitivity-silicon]2[Charge-e]Nd)(Vi-Vg)
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
xdepl=([Permitivity-silicon]2[Charge-e]9E+221/cm³)(15.9V-0.25V)
Passo successivo Valori sostitutivi delle costanti
xdepl=(11.721.6E-19C9E+221/cm³)(15.9V-0.25V)
Passo successivo Converti unità
xdepl=(11.721.6E-19C9E+281/m³)(15.9V-0.25V)
Passo successivo Preparati a valutare
xdepl=(11.721.6E-199E+28)(15.9-0.25)
Passo successivo Valutare
xdepl=0.000159363423174517m
Ultimo passo Risposta arrotondata
xdepl=0.0002m

Larghezza della zona di svuotamento Formula Elementi

Variabili
Costanti
Funzioni
Larghezza della regione di esaurimento
La larghezza della regione di esaurimento è una regione in un dispositivo a semiconduttore in cui non sono presenti portatori di carica gratuiti.
Simbolo: xdepl
Misurazione: LunghezzaUnità: m
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Densità del doping
La densità di drogaggio si riferisce alla concentrazione di atomi droganti in un materiale semiconduttore. I droganti sono atomi di impurità che vengono intenzionalmente introdotti nel semiconduttore.
Simbolo: Nd
Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/cm³
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Barriera potenziale di Schottky
La barriera del potenziale Schottky agisce come una barriera per gli elettroni e l'altezza della barriera dipende dalla differenza di funzione lavoro tra i due materiali.
Simbolo: Vi
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Tensione di porta
La tensione di gate è la tensione sviluppata alla giunzione gate source di un transistor JFET.
Simbolo: Vg
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Permittività del silicio
La permettività del silicio misura la sua capacità di immagazzinare energia elettrica in un campo elettrico, fondamentale nella tecnologia dei semiconduttori.
Simbolo: [Permitivity-silicon]
Valore: 11.7
Carica dell'elettrone
La carica dell'elettrone è una costante fisica fondamentale, che rappresenta la carica elettrica trasportata da un elettrone, che è la particella elementare con una carica elettrica negativa.
Simbolo: [Charge-e]
Valore: 1.60217662E-19 C
sqrt
Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.
Sintassi: sqrt(Number)

Altre formule nella categoria Klystron

​va Conduttanza di carico trave
Gb=G-(GL+Gcu)
​va Rame perdita di cavità
Gcu=G-(Gb+GL)
​va Conduttanza della cavità
G=GL+Gcu+Gb
​va Parametro di raggruppamento di Klystron
X=βiVinθo2Vo

Come valutare Larghezza della zona di svuotamento?

Il valutatore Larghezza della zona di svuotamento utilizza Width of Depletion Region = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Densità del doping))*(Barriera potenziale di Schottky-Tensione di porta)) per valutare Larghezza della regione di esaurimento, La formula della larghezza della zona di esaurimento è definita come una regione in un dispositivo a semiconduttore in cui non sono presenti portatori di carica gratuiti. Dipende dai livelli di drogaggio del materiale semiconduttore, dalla tensione di gate e dalle dimensioni fisiche del dispositivo. Larghezza della regione di esaurimento è indicato dal simbolo xdepl.

Come valutare Larghezza della zona di svuotamento utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Larghezza della zona di svuotamento, inserisci Densità del doping (Nd), Barriera potenziale di Schottky (Vi) & Tensione di porta (Vg) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Larghezza della zona di svuotamento

Qual è la formula per trovare Larghezza della zona di svuotamento?
La formula di Larghezza della zona di svuotamento è espressa come Width of Depletion Region = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Densità del doping))*(Barriera potenziale di Schottky-Tensione di porta)). Ecco un esempio: 0.000159 = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*9E+28))*(15.9-0.25)).
Come calcolare Larghezza della zona di svuotamento?
Con Densità del doping (Nd), Barriera potenziale di Schottky (Vi) & Tensione di porta (Vg) possiamo trovare Larghezza della zona di svuotamento utilizzando la formula - Width of Depletion Region = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Densità del doping))*(Barriera potenziale di Schottky-Tensione di porta)). Questa formula utilizza anche le funzioni Permittività del silicio, Carica dell'elettrone costante(i) e Funzione radice quadrata.
Il Larghezza della zona di svuotamento può essere negativo?
NO, Larghezza della zona di svuotamento, misurato in Lunghezza non può può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Larghezza della zona di svuotamento?
Larghezza della zona di svuotamento viene solitamente misurato utilizzando Metro[m] per Lunghezza. Millimetro[m], Chilometro[m], Decimetro[m] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Larghezza della zona di svuotamento.
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