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Formula K-Prime

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K Prime è la costante di velocità inversa della reazione. Controlla FAQs

K p = μ eff \cdot C ox

K_p - K Primo?μ_eff - Mobilità nei MOSFET?C_ox - Capacità dello strato di ossido di gate?

Esempio di K-Prime

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione K-Prime con Valori.

Ecco come appare l'equazione K-Prime con unità.

Ecco come appare l'equazione K-Prime.

4.4745 = 0.15 \cdot 29.83

4.4745cm²/V*s = 0.15cm²/V*s \cdot 29.83μF/mm²

4.4745 = 0.15 \cdot 29.83

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Fabbricazione VLSI » fx K-Prime

K-Prime Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare K-Prime?

Primo passo Considera la formula

K p = μ eff \cdot C ox

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

K p = 0.15cm²/V*s \cdot 29.83μF/mm²

Passo successivo Converti unità

∴

K p = 1.5E-5m²/V*s \cdot 29.83F/m²

Passo successivo Preparati a valutare

∴

K p = 1.5E-5 \cdot 29.83

Passo successivo Valutare

∴

K p = 0.00044745m²/V*s

Ultimo passo Converti nell'unità di output

∴

K p = 4.4745cm²/V*s

K-Prime Formula Elementi

Variabili

K Primo

K Prime è la costante di velocità inversa della reazione.

Simbolo: K_p

Misurazione: MobilitàUnità: cm²/V*s

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare K Primo

Mobilità nei MOSFET

La mobilità nei MOSFET è definita in base alla capacità di un elettrone di muoversi rapidamente attraverso un metallo o un semiconduttore, quando attratto da un campo elettrico.

Simbolo: μ_eff

Misurazione: MobilitàUnità: cm²/V*s

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Mobilità nei MOSFET

Capacità dello strato di ossido di gate

La capacità dello strato di ossido di gate è definita come la capacità del terminale di gate di un transistor ad effetto di campo.

Simbolo: C_ox

Misurazione: Capacità di ossido per area unitariaUnità: μF/mm²

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Capacità dello strato di ossido di gate

Altre formule nella categoria Ottimizzazione dei materiali VLSI

va Coefficiente di effetto corporeo

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

va Channel Charge

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

va Tensione critica

V x = E x \cdot E ch

va Coefficiente DIBL

η = \frac{V t0 - V t}{V ds}

Vedi altro OpenImg

Come valutare K-Prime?

Il valutatore K-Prime utilizza K Prime = Mobilità nei MOSFET*Capacità dello strato di ossido di gate per valutare K Primo, La formula K-Prime viene calcolata in base alla necessità di trovare il numero di numeri K-primi nell'intervallo [A, B]. Un numero si dice K-primo se ha K fattori primi distinti. K Primo è indicato dal simbolo K_p.

Come valutare K-Prime utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per K-Prime, inserisci Mobilità nei MOSFET (μ_eff) & Capacità dello strato di ossido di gate (C_ox) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU K-Prime

Qual è la formula per trovare K-Prime?

La formula di K-Prime è espressa come K Prime = Mobilità nei MOSFET*Capacità dello strato di ossido di gate. Ecco un esempio: 45015 = 1.5E-05*29.83.

Come calcolare K-Prime?

Con Mobilità nei MOSFET (μ_eff) & Capacità dello strato di ossido di gate (C_ox) possiamo trovare K-Prime utilizzando la formula - K Prime = Mobilità nei MOSFET*Capacità dello strato di ossido di gate.

Il K-Prime può essere negativo?

NO, K-Prime, misurato in Mobilità non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare K-Prime?

K-Prime viene solitamente misurato utilizzando Centimetro quadrato per Volt Secondo[cm²/V*s] per Mobilità. Metro quadrato per Volt al secondo[cm²/V*s] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare K-Prime.

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