Formula Impurezza con concentrazione intrinseca

Fx copia
LaTeX copia
La concentrazione intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco. Controlla FAQs
ni=nepto
ni - Concentrazione intrinseca?ne - Concentrazione di elettroni?p - Concentrazione dei fori?to - Impurità della temperatura?

Esempio di Impurezza con concentrazione intrinseca

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Impurezza con concentrazione intrinseca con Valori.

Ecco come appare l'equazione Impurezza con concentrazione intrinseca con unità.

Ecco come appare l'equazione Impurezza con concentrazione intrinseca.

1.3212Edit=50.6Edit0.69Edit20Edit
copia
Ripristina
Condividere
Tu sei qui -
HomeIcon Casa » Category Ingegneria » Category Elettronica » Category Circuiti integrati (IC) » fx Impurezza con concentrazione intrinseca

Impurezza con concentrazione intrinseca Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Impurezza con concentrazione intrinseca?

Primo passo Considera la formula
ni=nepto
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
ni=50.61/cm³0.691/cm³20K
Passo successivo Converti unità
ni=5.1E+71/m³6900001/m³20K
Passo successivo Preparati a valutare
ni=5.1E+769000020
Passo successivo Valutare
ni=1321249.408703751/m³
Passo successivo Converti nell'unità di output
ni=1.321249408703751/cm³
Ultimo passo Risposta arrotondata
ni=1.32121/cm³

Impurezza con concentrazione intrinseca Formula Elementi

Variabili
Funzioni
Concentrazione intrinseca
La concentrazione intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.
Simbolo: ni
Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/cm³
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Concentrazione di elettroni
La concentrazione di elettroni è influenzata da vari fattori come la temperatura, le impurità o i droganti aggiunti al materiale semiconduttore e i campi elettrici o magnetici esterni.
Simbolo: ne
Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/cm³
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Concentrazione dei fori
La concentrazione dei fori implica un numero maggiore di portatori di carica disponibili nel materiale, influenzandone la conduttività e vari dispositivi a semiconduttore.
Simbolo: p
Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/cm³
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Impurità della temperatura
Impurità della temperatura: un indice di base che rappresenta la temperatura media dell'aria su diverse scale temporali.
Simbolo: to
Misurazione: TemperaturaUnità: K
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
sqrt
Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.
Sintassi: sqrt(Number)

Altre formule nella categoria Fabbricazione di circuiti integrati bipolari

​va Conduttività ohmica delle impurità
σ=q(μnne+μpp)
​va Tensione di breakout dell'emettitore del collettore
Vce=Vcb(ig)1n
​va Conduttività di tipo N
σ=q(μnNd+μp(ni2Nd))
​va Conduttività di tipo P
σ=q(μn(ni2Na)+μpNa)

Come valutare Impurezza con concentrazione intrinseca?

Il valutatore Impurezza con concentrazione intrinseca utilizza Intrinsic Concentration = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura) per valutare Concentrazione intrinseca, La formula Impurità con concentrazione intrinseca è definita come una certa impurità (trivalente o pentavalente) aggiunta al semiconduttore intrinseco aumenterà la concentrazione o la densità dei portatori di carica (lacune o elettroni) e che a loro volta ne aumenteranno la conduttività. Concentrazione intrinseca è indicato dal simbolo ni.

Come valutare Impurezza con concentrazione intrinseca utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Impurezza con concentrazione intrinseca, inserisci Concentrazione di elettroni (ne), Concentrazione dei fori (p) & Impurità della temperatura (to) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Impurezza con concentrazione intrinseca

Qual è la formula per trovare Impurezza con concentrazione intrinseca?
La formula di Impurezza con concentrazione intrinseca è espressa come Intrinsic Concentration = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura). Ecco un esempio: 1.2E-6 = sqrt((50600000*690000)/20).
Come calcolare Impurezza con concentrazione intrinseca?
Con Concentrazione di elettroni (ne), Concentrazione dei fori (p) & Impurità della temperatura (to) possiamo trovare Impurezza con concentrazione intrinseca utilizzando la formula - Intrinsic Concentration = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura). Questa formula utilizza anche le funzioni Radice quadrata (sqrt).
Il Impurezza con concentrazione intrinseca può essere negativo?
NO, Impurezza con concentrazione intrinseca, misurato in Concentrazione del portatore non può può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Impurezza con concentrazione intrinseca?
Impurezza con concentrazione intrinseca viene solitamente misurato utilizzando 1 per centimetro cubo[1/cm³] per Concentrazione del portatore. 1 per metro cubo[1/cm³], per litro[1/cm³] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Impurezza con concentrazione intrinseca.
Copied!