Guadagno di tensione del cascode bipolare
Il guadagno di tensione cascode bipolare si riferisce a un tipo di configurazione dell'amplificatore che utilizza due transistor in una configurazione cascode per ottenere un guadagno di tensione più elevato rispetto a un amplificatore a transistor singolo.
Simbolo: Afo
Misurazione: NAUnità: Unitless
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Transconduttanza primaria MOSFET
La transconduttanza primaria del MOSFET è la variazione nella corrente di drain divisa per la piccola variazione nella tensione di gate/source con una tensione di drain/source costante.
Simbolo: gmp
Misurazione: TransconduttanzaUnità: mS
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Transconduttanza secondaria MOSFET
La transconduttanza secondaria del MOSFET è la variazione nella corrente di drain divisa per la piccola variazione nella tensione di gate/source con una tensione di drain/source costante.
Simbolo: gms
Misurazione: Conduttanza elettricaUnità: mS
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Resistenza di uscita finita
La resistenza di uscita finita è una misura di quanto varia l'impedenza di uscita del transistor al variare della tensione di uscita.
Simbolo: Rout
Misurazione: Resistenza elettricaUnità: kΩ
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Resistenza di uscita finita del transistor 1
La resistenza di uscita finita del transistor 1 è una misura di quanto varia l'impedenza di uscita del transistor con le variazioni della tensione di uscita.
Simbolo: Rout1
Misurazione: Resistenza elettricaUnità: kΩ
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Resistenza di ingresso del segnale piccolo
Resistenza di ingresso per piccolo segnale 2 tra base ed emettitore modella il modo in cui l'impedenza di ingresso tra i terminali della base e dell'emettitore del transistor cambia quando viene applicato un piccolo segnale CA.
Simbolo: Rsm
Misurazione: Resistenza elettricaUnità: kΩ
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.