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Formula Gates sul percorso critico

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Le porte sul percorso critico sono definite come il numero totale di porte logiche richieste durante un tempo di ciclo in CMOS. Controlla FAQs

N g = D \cdot \frac{i off \cdot (10^{V bc})}{C g \cdot [BoltZ] \cdot V bc}

N_g - Cancelli sul percorso critico?D - Ciclo di lavoro?i_off - Fuori corrente?V_bc - Tensione del collettore di base?C_g - Capacità del gate al canale?[BoltZ] - Costante di Boltzmann?

Esempio di Gates sul percorso critico

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Gates sul percorso critico con Valori.

Ecco come appare l'equazione Gates sul percorso critico con unità.

Ecco come appare l'equazione Gates sul percorso critico.

0.001 = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01 \cdot (10^{2.02})}{5.1 \cdot 1.4E-23 \cdot 2.02}

0.001 = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01mA \cdot (10^{2.02V})}{5.1mF \cdot 1.4E-23J/K \cdot 2.02V}

0.001 = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01 \cdot (10^{2.02})}{5.1 \cdot 1.4E-23 \cdot 2.02}

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Progettazione e applicazioni CMOS » fx Gates sul percorso critico

Gates sul percorso critico Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Gates sul percorso critico?

Primo passo Considera la formula

N g = D \cdot \frac{i off \cdot (10^{V bc})}{C g \cdot [BoltZ] \cdot V bc}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

N g = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01mA \cdot (10^{2.02V})}{5.1mF \cdot [BoltZ] \cdot 2.02V}

Passo successivo Valori sostitutivi delle costanti

∴

N g = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01mA \cdot (10^{2.02V})}{5.1mF \cdot 1.4E-23J/K \cdot 2.02V}

Passo successivo Converti unità

∴

N g = 1.3E-25 \cdot \frac{1E-5A \cdot (10^{2.02V})}{0.0051F \cdot 1.4E-23J/K \cdot 2.02V}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

N g = 1.3E-25 \cdot \frac{1E-5 \cdot (10^{2.02})}{0.0051 \cdot 1.4E-23 \cdot 2.02}

Passo successivo Valutare

∴

N g = 0.000957058919420363

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

N g = 0.001

Gates sul percorso critico Formula Elementi

Variabili

Costanti

Cancelli sul percorso critico

Le porte sul percorso critico sono definite come il numero totale di porte logiche richieste durante un tempo di ciclo in CMOS.

Simbolo: N_g

Misurazione: NAUnità: Unitless

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Cancelli sul percorso critico

Ciclo di lavoro

Un ciclo di lavoro o ciclo di alimentazione è la frazione di un periodo in cui un segnale o un sistema è attivo.

Simbolo: D

Misurazione: NAUnità: Unitless

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Ciclo di lavoro

Fuori corrente

La corrente disattivata di un interruttore è un valore inesistente nella realtà. Gli interruttori reali hanno normalmente una corrente di spegnimento molto piccola, che a volte viene chiamata corrente di dispersione.

Simbolo: i_off

Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Fuori corrente

Tensione del collettore di base

La tensione del collettore di base è un parametro cruciale nella polarizzazione dei transistor. Si riferisce alla differenza di tensione tra la base e i terminali del collettore del transistor quando è nel suo stato attivo.

Simbolo: V_bc

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione del collettore di base

Capacità del gate al canale

La capacità da gate a canale è la capacità dovuta alla sovrapposizione delle regioni source e canale da parte del gate in polisilicio ed è indipendente dalla tensione applicata.

Simbolo: C_g

Misurazione: CapacitàUnità: mF

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Capacità del gate al canale

Costante di Boltzmann

La costante di Boltzmann mette in relazione l'energia cinetica media delle particelle in un gas con la temperatura del gas ed è una costante fondamentale nella meccanica statistica e nella termodinamica.

Simbolo: [BoltZ]

Valore: 1.38064852E-23 J/K

Altre formule nella categoria Metriche di potenza CMOS

va Fattore di attività

α = \frac{P s}{C \cdot {V bc}^{2} \cdot f}

va Potenza di commutazione

P s = α \cdot (C \cdot {V bc}^{2} \cdot f)

va Potenza dinamica nel CMOS

P dyn = P sc + P s

va Potenza di cortocircuito nel CMOS

P sc = P dyn - P s

Vedi altro OpenImg

Come valutare Gates sul percorso critico?

Il valutatore Gates sul percorso critico utilizza Gates on Critical Path = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^Tensione del collettore di base))/(Capacità del gate al canale*[BoltZ]*Tensione del collettore di base) per valutare Cancelli sul percorso critico, La formula Gates on critical path è definita come il numero totale della porta logica richiesta durante un tempo di ciclo in CMOS. Cancelli sul percorso critico è indicato dal simbolo N_g.

Come valutare Gates sul percorso critico utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Gates sul percorso critico, inserisci Ciclo di lavoro (D), Fuori corrente (i_off), Tensione del collettore di base (V_bc) & Capacità del gate al canale (C_g) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Gates sul percorso critico

Qual è la formula per trovare Gates sul percorso critico?

La formula di Gates sul percorso critico è espressa come Gates on Critical Path = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^Tensione del collettore di base))/(Capacità del gate al canale*[BoltZ]*Tensione del collettore di base). Ecco un esempio: 0.957059 = 1.3E-25*(1E-05*(10^2.02))/(5.1E-06*[BoltZ]*2.02).

Come calcolare Gates sul percorso critico?

Con Ciclo di lavoro (D), Fuori corrente (i_off), Tensione del collettore di base (V_bc) & Capacità del gate al canale (C_g) possiamo trovare Gates sul percorso critico utilizzando la formula - Gates on Critical Path = Ciclo di lavoro*(Fuori corrente*(10^Tensione del collettore di base))/(Capacità del gate al canale*[BoltZ]*Tensione del collettore di base). Questa formula utilizza anche Costante di Boltzmann .

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