Formula Fattore di rumore GaAs MESFET

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Il fattore di rumore è una misura di quanto un dispositivo degrada il rapporto segnale-rumore (SNR) di un segnale mentre lo attraversa. Controlla FAQs
NF=1+2ωCgsGmRs-RgateRi
NF - Fattore di rumore?ω - Frequenza angolare?Cgs - Capacità della sorgente di gate?Gm - Transconduttanza del MESFET?Rs - Resistenza alla fonte?Rgate - Resistenza al cancello?Ri - Resistenza in ingresso?

Esempio di Fattore di rumore GaAs MESFET

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Fattore di rumore GaAs MESFET con Valori.

Ecco come appare l'equazione Fattore di rumore GaAs MESFET con unità.

Ecco come appare l'equazione Fattore di rumore GaAs MESFET.

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Fattore di rumore GaAs MESFET Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Fattore di rumore GaAs MESFET?

Primo passo Considera la formula
NF=1+2ωCgsGmRs-RgateRi
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
NF=1+253.25rad/s56μF0.0631S5Ω-1.6Ω4Ω
Passo successivo Converti unità
NF=1+253.25rad/s5.6E-5F0.0631S5Ω-1.6Ω4Ω
Passo successivo Preparati a valutare
NF=1+253.255.6E-50.06315-1.64
Passo successivo Valutare
NF=1.08717872137128dB
Ultimo passo Risposta arrotondata
NF=1.0872dB

Fattore di rumore GaAs MESFET Formula Elementi

Variabili
Funzioni
Fattore di rumore
Il fattore di rumore è una misura di quanto un dispositivo degrada il rapporto segnale-rumore (SNR) di un segnale mentre lo attraversa.
Simbolo: NF
Misurazione: SuonoUnità: dB
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Frequenza angolare
La frequenza angolare si riferisce alla velocità con cui una forma d'onda sinusoidale oscilla nel contesto di circuiti e segnali elettrici.
Simbolo: ω
Misurazione: Frequenza angolareUnità: rad/s
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Capacità della sorgente di gate
La capacità di gate source si riferisce alla capacità tra i terminali di gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET).
Simbolo: Cgs
Misurazione: CapacitàUnità: μF
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Transconduttanza del MESFET
La transconduttanza del MESFET è un parametro chiave nei MESFET, che rappresenta la variazione della corrente di drain rispetto alla variazione della tensione gate-source.
Simbolo: Gm
Misurazione: Conduttanza elettricaUnità: S
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Resistenza alla fonte
La resistenza della sorgente si riferisce alla resistenza associata al terminale sorgente del transistor.
Simbolo: Rs
Misurazione: Resistenza elettricaUnità: Ω
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Resistenza al cancello
La resistenza di gate si riferisce alla resistenza associata al terminale di gate di un transistor ad effetto di campo (FET).
Simbolo: Rgate
Misurazione: Resistenza elettricaUnità: Ω
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Resistenza in ingresso
La resistenza di ingresso si riferisce alla resistenza presentata al terminale di ingresso del dispositivo.
Simbolo: Ri
Misurazione: Resistenza elettricaUnità: Ω
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
sqrt
Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.
Sintassi: sqrt(Number)

Altre formule nella categoria Amplificatori a transistor

​va Frequenza di taglio MESFET
fco=Gm2πCgs
​va Frequenza operativa massima
fmax=fco2RdRs+Ri+Rg

Come valutare Fattore di rumore GaAs MESFET?

Il valutatore Fattore di rumore GaAs MESFET utilizza Noise Factor = 1+2*Frequenza angolare*Capacità della sorgente di gate/Transconduttanza del MESFET*sqrt((Resistenza alla fonte-Resistenza al cancello)/Resistenza in ingresso) per valutare Fattore di rumore, La formula del fattore di rumore GaAs MESFET è definita come una misura di quanto il dispositivo contribuisce al rumore complessivo in un sistema di comunicazione. Fattore di rumore è indicato dal simbolo NF.

Come valutare Fattore di rumore GaAs MESFET utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Fattore di rumore GaAs MESFET, inserisci Frequenza angolare (ω), Capacità della sorgente di gate (Cgs), Transconduttanza del MESFET (Gm), Resistenza alla fonte (Rs), Resistenza al cancello (Rgate) & Resistenza in ingresso (Ri) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Fattore di rumore GaAs MESFET

Qual è la formula per trovare Fattore di rumore GaAs MESFET?
La formula di Fattore di rumore GaAs MESFET è espressa come Noise Factor = 1+2*Frequenza angolare*Capacità della sorgente di gate/Transconduttanza del MESFET*sqrt((Resistenza alla fonte-Resistenza al cancello)/Resistenza in ingresso). Ecco un esempio: 1.086769 = 1+2*53.25*5.6E-05/0.063072*sqrt((5-1.6)/4).
Come calcolare Fattore di rumore GaAs MESFET?
Con Frequenza angolare (ω), Capacità della sorgente di gate (Cgs), Transconduttanza del MESFET (Gm), Resistenza alla fonte (Rs), Resistenza al cancello (Rgate) & Resistenza in ingresso (Ri) possiamo trovare Fattore di rumore GaAs MESFET utilizzando la formula - Noise Factor = 1+2*Frequenza angolare*Capacità della sorgente di gate/Transconduttanza del MESFET*sqrt((Resistenza alla fonte-Resistenza al cancello)/Resistenza in ingresso). Questa formula utilizza anche le funzioni Radice quadrata (sqrt).
Il Fattore di rumore GaAs MESFET può essere negativo?
NO, Fattore di rumore GaAs MESFET, misurato in Suono non può può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Fattore di rumore GaAs MESFET?
Fattore di rumore GaAs MESFET viene solitamente misurato utilizzando Decibel[dB] per Suono. Bel[dB], Neper[dB] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Fattore di rumore GaAs MESFET.
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