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L'efficienza di iniezione dell'emettitore è il rapporto tra la corrente dell'elettrone che scorre nell'emettitore e la corrente totale attraverso la giunzione della base dell'emettitore. Controlla FAQs
γ=NdnNdn+Ndp
γ - Efficienza dell'iniezione dell'emettitore?Ndn - Doping sul lato N?Ndp - Doping sul lato P?

Esempio di Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio con Valori.

Ecco come appare l'equazione Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio con unità.

Ecco come appare l'equazione Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio.

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HomeIcon Casa » Category Ingegneria » Category Elettronica » Category Circuiti integrati (IC) » fx Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio

Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio?

Primo passo Considera la formula
γ=NdnNdn+Ndp
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
γ=4.81/cm³4.81/cm³+1.81/cm³
Passo successivo Converti unità
γ=4.8E+61/m³4.8E+61/m³+1.8E+61/m³
Passo successivo Preparati a valutare
γ=4.8E+64.8E+6+1.8E+6
Passo successivo Valutare
γ=0.727272727272727
Ultimo passo Risposta arrotondata
γ=0.7273

Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio Formula Elementi

Variabili
Efficienza dell'iniezione dell'emettitore
L'efficienza di iniezione dell'emettitore è il rapporto tra la corrente dell'elettrone che scorre nell'emettitore e la corrente totale attraverso la giunzione della base dell'emettitore.
Simbolo: γ
Misurazione: NAUnità: Unitless
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Doping sul lato N
Il drogaggio sul lato N si riferisce al processo di introduzione di tipi specifici di impurità nella regione del semiconduttore di tipo N di un dispositivo a semiconduttore.
Simbolo: Ndn
Misurazione: Densità numericaUnità: 1/cm³
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Doping sul lato P
Il drogaggio sul lato P si riferisce al processo di introduzione di tipi specifici di impurità nella regione del semiconduttore di tipo P di un dispositivo a semiconduttore.
Simbolo: Ndp
Misurazione: Densità numericaUnità: 1/cm³
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Altre formule per trovare Efficienza dell'iniezione dell'emettitore

​va Efficienza di iniezione dell'emettitore
γ=IEIEe+IEh

Altre formule nella categoria Fabbricazione di circuiti integrati bipolari

​va Impurezza con concentrazione intrinseca
ni=nepto
​va Conduttività ohmica delle impurità
σ=q(μnne+μpp)
​va Tensione di breakout dell'emettitore del collettore
Vce=Vcb(ig)1n
​va Conduttività di tipo N
σ=q(μnNd+μp(ni2Nd))

Come valutare Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio?

Il valutatore Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio utilizza Emmitter Injection Efficiency = Doping sul lato N/(Doping sul lato N+Doping sul lato P) per valutare Efficienza dell'iniezione dell'emettitore, L'efficienza di iniezione dell'emettitore data la formula delle costanti di doping è definita come la misura dell'efficienza con cui un materiale converte il calore in elettricità (o viceversa) nelle applicazioni termoelettriche. Efficienza dell'iniezione dell'emettitore è indicato dal simbolo γ.

Come valutare Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio, inserisci Doping sul lato N (Ndn) & Doping sul lato P (Ndp) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio

Qual è la formula per trovare Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio?
La formula di Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio è espressa come Emmitter Injection Efficiency = Doping sul lato N/(Doping sul lato N+Doping sul lato P). Ecco un esempio: 0.4 = 4.8/(4.8+1.8).
Come calcolare Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio?
Con Doping sul lato N (Ndn) & Doping sul lato P (Ndp) possiamo trovare Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio utilizzando la formula - Emmitter Injection Efficiency = Doping sul lato N/(Doping sul lato N+Doping sul lato P).
Quali sono gli altri modi per calcolare Efficienza dell'iniezione dell'emettitore?
Ecco i diversi modi per calcolare Efficienza dell'iniezione dell'emettitore-
  • Emmitter Injection Efficiency=Emitter Current/(Emitter Current due to Electrons+Emitter Current due to Holes)OpenImg
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