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Formula Effetto corporeo in PMOS

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La variazione della tensione di soglia può essere causata da vari fattori, tra cui variazioni di temperatura, esposizione alle radiazioni e invecchiamento. Controlla FAQs

ΔV t = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

ΔV_t - Variazione della tensione di soglia?V_T - Soglia di voltaggio?γ - Parametro del processo di fabbricazione?φ_f - Parametro fisico?V_SB - Tensione tra Body e Source?

Esempio di Effetto corporeo in PMOS

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Effetto corporeo in PMOS con Valori.

Ecco come appare l'equazione Effetto corporeo in PMOS con unità.

Ecco come appare l'equazione Effetto corporeo in PMOS.

1.6005 = 0.7 + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6 + 10} - \sqrt{2 \cdot 0.6})

1.6005V = 0.7V + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6V + 10V} - \sqrt{2 \cdot 0.6V})

1.6005 = 0.7 + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6 + 10} - \sqrt{2 \cdot 0.6})

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Elettronica analogica » fx Effetto corporeo in PMOS

Effetto corporeo in PMOS Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Effetto corporeo in PMOS?

Primo passo Considera la formula

ΔV t = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

ΔV t = 0.7V + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6V + 10V} - \sqrt{2 \cdot 0.6V})

Passo successivo Preparati a valutare

∴

ΔV t = 0.7 + 0.4 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.6 + 10} - \sqrt{2 \cdot 0.6})

Passo successivo Valutare

∴

ΔV t = 1.60047799645039V

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

ΔV t = 1.6005V

Effetto corporeo in PMOS Formula Elementi

Variabili

Funzioni

Variazione della tensione di soglia

La variazione della tensione di soglia può essere causata da vari fattori, tra cui variazioni di temperatura, esposizione alle radiazioni e invecchiamento.

Simbolo: ΔV_t

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Variazione della tensione di soglia

Soglia di voltaggio

La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.

Simbolo: V_T

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Soglia di voltaggio

Parametro del processo di fabbricazione

Il parametro del processo di fabbricazione è il processo che inizia con l'ossidazione del substrato di silicio in cui viene depositato sulla superficie uno strato di ossido relativamente spesso.

Simbolo: γ

Misurazione: NAUnità: Unitless

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Parametro del processo di fabbricazione

Parametro fisico

I parametri fisici possono essere utilizzati per descrivere lo stato o la condizione di un sistema fisico o per caratterizzare il modo in cui il sistema risponde a vari stimoli o input.

Simbolo: φ_f

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Parametro fisico

Tensione tra Body e Source

La tensione tra corpo e sorgente è importante perché può influire sul funzionamento sicuro dei dispositivi elettronici.

Simbolo: V_SB

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Tensione tra Body e Source

sqrt

Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.

Sintassi: sqrt(Number)

Altre formule nella categoria Miglioramento del canale P

va Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

va Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

va Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

va Assorbimento di corrente nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Effetto corporeo in PMOS?

Il valutatore Effetto corporeo in PMOS utilizza Change in Threshold Voltage = Soglia di voltaggio+Parametro del processo di fabbricazione*(sqrt(2*Parametro fisico+Tensione tra Body e Source)-sqrt(2*Parametro fisico)) per valutare Variazione della tensione di soglia, L'effetto Body in PMOS si riferisce alla variazione della tensione di soglia del transistor (V. Variazione della tensione di soglia è indicato dal simbolo ΔV_t.

Come valutare Effetto corporeo in PMOS utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Effetto corporeo in PMOS, inserisci Soglia di voltaggio (V_T), Parametro del processo di fabbricazione (γ), Parametro fisico (φ_f) & Tensione tra Body e Source (V_SB) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Effetto corporeo in PMOS

Qual è la formula per trovare Effetto corporeo in PMOS?

La formula di Effetto corporeo in PMOS è espressa come Change in Threshold Voltage = Soglia di voltaggio+Parametro del processo di fabbricazione*(sqrt(2*Parametro fisico+Tensione tra Body e Source)-sqrt(2*Parametro fisico)). Ecco un esempio: 1.600478 = 0.7+0.4*(sqrt(2*0.6+10)-sqrt(2*0.6)).

Come calcolare Effetto corporeo in PMOS?

Con Soglia di voltaggio (V_T), Parametro del processo di fabbricazione (γ), Parametro fisico (φ_f) & Tensione tra Body e Source (V_SB) possiamo trovare Effetto corporeo in PMOS utilizzando la formula - Change in Threshold Voltage = Soglia di voltaggio+Parametro del processo di fabbricazione*(sqrt(2*Parametro fisico+Tensione tra Body e Source)-sqrt(2*Parametro fisico)). Questa formula utilizza anche le funzioni Radice quadrata (sqrt).

Il Effetto corporeo in PMOS può essere negativo?

NO, Effetto corporeo in PMOS, misurato in Potenziale elettrico non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Effetto corporeo in PMOS?

Effetto corporeo in PMOS viene solitamente misurato utilizzando Volt[V] per Potenziale elettrico. Millvolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Effetto corporeo in PMOS.

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Esempio di Effetto corporeo in PMOS

Effetto corporeo in PMOS Soluzione

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