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Formula Effetto corpo nel MOSFET

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La tensione di soglia con substrato è un parametro cruciale che definisce il punto in cui il transistor inizia a condurre corrente dalla sorgente allo scarico. Controlla FAQs

V t = V th + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot Φ f + V bs} - \sqrt{2 \cdot Φ f})

V_t - Tensione di soglia con substrato?V_th - Tensione di soglia con zero body bias?γ - Parametro dell'effetto corporeo?Φ_f - Potenziale di Fermi in massa?V_bs - Tensione applicata al corpo?

Esempio di Effetto corpo nel MOSFET

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Effetto corpo nel MOSFET con Valori.

Ecco come appare l'equazione Effetto corpo nel MOSFET con unità.

Ecco come appare l'equazione Effetto corpo nel MOSFET.

3.9626 = 3.4 + 0.56 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.25 + 2.43} - \sqrt{2 \cdot 0.25})

3.9626V = 3.4V + 0.56 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.25V + 2.43V} - \sqrt{2 \cdot 0.25V})

3.9626 = 3.4 + 0.56 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.25 + 2.43} - \sqrt{2 \cdot 0.25})

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Circuiti integrati (IC) » fx Effetto corpo nel MOSFET

Effetto corpo nel MOSFET Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Effetto corpo nel MOSFET?

Primo passo Considera la formula

V t = V th + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot Φ f + V bs} - \sqrt{2 \cdot Φ f})

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

V t = 3.4V + 0.56 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.25V + 2.43V} - \sqrt{2 \cdot 0.25V})

Passo successivo Preparati a valutare

∴

V t = 3.4 + 0.56 \cdot (\sqrt{2 \cdot 0.25 + 2.43} - \sqrt{2 \cdot 0.25})

Passo successivo Valutare

∴

V t = 3.96258579757846V

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

V t = 3.9626V

Effetto corpo nel MOSFET Formula Elementi

Variabili

Funzioni

Tensione di soglia con substrato

La tensione di soglia con substrato è un parametro cruciale che definisce il punto in cui il transistor inizia a condurre corrente dalla sorgente allo scarico.

Simbolo: V_t

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione di soglia con substrato

Tensione di soglia con zero body bias

La tensione di soglia con polarizzazione corpo zero si riferisce alla tensione di soglia quando non è applicata alcuna polarizzazione esterna al substrato semiconduttore (terminale body).

Simbolo: V_th

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione di soglia con zero body bias

Parametro dell'effetto corporeo

Il parametro Body Effect è un parametro che caratterizza la sensibilità della tensione di soglia del MOSFET.

Simbolo: γ

Misurazione: NAUnità: Unitless

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Parametro dell'effetto corporeo

Potenziale di Fermi in massa

Il potenziale di Fermi di massa è un parametro che descrive il potenziale elettrostatico nella massa (interno) di un materiale semiconduttore.

Simbolo: Φ_f

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Potenziale di Fermi in massa

Tensione applicata al corpo

La tensione applicata al corpo è la tensione applicata al terminale del corpo. Questa tensione può avere un impatto significativo sul comportamento e sulle prestazioni del MOSFET.

Simbolo: V_bs

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione applicata al corpo

sqrt

Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.

Sintassi: sqrt(Number)

Altre formule nella categoria Fabbricazione di circuiti integrati MOS

va Frequenza di guadagno unitario MOSFET

f t = \frac{g m}{C gs + C gd}

va Corrente di drenaggio del MOSFET nella regione di saturazione

I d = \frac{β}{2} \cdot {(V gs - V th)}^{2} \cdot (1 + λ i \cdot V ds)

va Resistenza del canale

R ch = \frac{L t}{W t} \cdot \frac{1}{μ n \cdot Q on}

va Tempo di propagazione

T p = 0.7 \cdot N \cdot (\frac{N + 1}{2}) \cdot R m \cdot C l

Vedi altro OpenImg

Come valutare Effetto corpo nel MOSFET?

Il valutatore Effetto corpo nel MOSFET utilizza Threshold Voltage with Substrate = Tensione di soglia con zero body bias+Parametro dell'effetto corporeo*(sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa+Tensione applicata al corpo)-sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa)) per valutare Tensione di soglia con substrato, L'effetto corpo nel MOSFET è definito come il fenomeno che descrive come la tensione applicata al substrato semiconduttore (corpo) influenza il comportamento del transistor. L'effetto corpo si verifica a causa della variazione della tensione di soglia del MOSFET quando viene variata la tensione tra la sorgente e il substrato. Tensione di soglia con substrato è indicato dal simbolo V_t.

Come valutare Effetto corpo nel MOSFET utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Effetto corpo nel MOSFET, inserisci Tensione di soglia con zero body bias (V_th), Parametro dell'effetto corporeo (γ), Potenziale di Fermi in massa (Φ_f) & Tensione applicata al corpo (V_bs) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Effetto corpo nel MOSFET

Qual è la formula per trovare Effetto corpo nel MOSFET?

La formula di Effetto corpo nel MOSFET è espressa come Threshold Voltage with Substrate = Tensione di soglia con zero body bias+Parametro dell'effetto corporeo*(sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa+Tensione applicata al corpo)-sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa)). Ecco un esempio: 3.962586 = 3.4+0.56*(sqrt(2*0.25+2.43)-sqrt(2*0.25)).

Come calcolare Effetto corpo nel MOSFET?

Con Tensione di soglia con zero body bias (V_th), Parametro dell'effetto corporeo (γ), Potenziale di Fermi in massa (Φ_f) & Tensione applicata al corpo (V_bs) possiamo trovare Effetto corpo nel MOSFET utilizzando la formula - Threshold Voltage with Substrate = Tensione di soglia con zero body bias+Parametro dell'effetto corporeo*(sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa+Tensione applicata al corpo)-sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa)). Questa formula utilizza anche le funzioni Radice quadrata (sqrt).

Il Effetto corpo nel MOSFET può essere negativo?

NO, Effetto corpo nel MOSFET, misurato in Potenziale elettrico non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Effetto corpo nel MOSFET?

Effetto corpo nel MOSFET viene solitamente misurato utilizzando Volt[V] per Potenziale elettrico. Millvolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Effetto corpo nel MOSFET.

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Effetto corpo nel MOSFET Soluzione

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