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Formula Effetto corpo in NMOS

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La variazione della tensione di soglia può essere causata da vari fattori, tra cui variazioni di temperatura, esposizione alle radiazioni e invecchiamento. Controlla FAQs

ΔV th = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

ΔV_th - Variazione della tensione di soglia?V_T - Soglia di voltaggio?γ - Parametro del processo di fabbricazione?φ_f - Parametro fisico?V_SB - Tensione tra Body e Source?

Esempio di Effetto corpo in NMOS

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Effetto corpo in NMOS con Valori.

Ecco come appare l'equazione Effetto corpo in NMOS con unità.

Ecco come appare l'equazione Effetto corpo in NMOS.

37.2244 = 1.82 + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13 + 1.8} - \sqrt{2 \cdot 13})

37.2244V = 1.82V + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13V + 1.8V} - \sqrt{2 \cdot 13V})

37.2244 = 1.82 + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13 + 1.8} - \sqrt{2 \cdot 13})

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Effetto corpo in NMOS Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Effetto corpo in NMOS?

Primo passo Considera la formula

ΔV th = V T + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot φ f + V SB} - \sqrt{2 \cdot φ f})

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

ΔV th = 1.82V + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13V + 1.8V} - \sqrt{2 \cdot 13V})

Passo successivo Preparati a valutare

∴

ΔV th = 1.82 + 204 \cdot (\sqrt{2 \cdot 13 + 1.8} - \sqrt{2 \cdot 13})

Passo successivo Valutare

∴

ΔV th = 37.2244074665399V

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

ΔV th = 37.2244V

Effetto corpo in NMOS Formula Elementi

Variabili

Funzioni

Variazione della tensione di soglia

La variazione della tensione di soglia può essere causata da vari fattori, tra cui variazioni di temperatura, esposizione alle radiazioni e invecchiamento.

Simbolo: ΔV_th

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Variazione della tensione di soglia

Soglia di voltaggio

La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.

Simbolo: V_T

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Soglia di voltaggio

Parametro del processo di fabbricazione

Il parametro del processo di fabbricazione è il processo che inizia con l'ossidazione del substrato di silicio in cui viene depositato sulla superficie uno strato di ossido relativamente spesso.

Simbolo: γ

Misurazione: NAUnità: Unitless

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Parametro del processo di fabbricazione

Parametro fisico

I parametri fisici possono essere utilizzati per descrivere lo stato o la condizione di un sistema fisico o per caratterizzare il modo in cui il sistema risponde a vari stimoli o input.

Simbolo: φ_f

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Parametro fisico

Tensione tra Body e Source

La tensione tra corpo e sorgente è importante perché può influire sul funzionamento sicuro dei dispositivi elettronici.

Simbolo: V_SB

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Tensione tra Body e Source

sqrt

Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato.

Sintassi: sqrt(Number)

Altre formule nella categoria Miglioramento del canale N

va Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS

v d = μ n \cdot E L

va NMOS come resistenza lineare

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

va Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

va Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione del triodo di NMOS

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

Vedi altro OpenImg

Come valutare Effetto corpo in NMOS?

Il valutatore Effetto corpo in NMOS utilizza Change in Threshold Voltage = Soglia di voltaggio+Parametro del processo di fabbricazione*(sqrt(2*Parametro fisico+Tensione tra Body e Source)-sqrt(2*Parametro fisico)) per valutare Variazione della tensione di soglia, L'effetto del corpo in NMOS si riferisce alla variazione della tensione di soglia del transistor risultante da una differenza di tensione tra la sorgente del transistor e il corpo. Variazione della tensione di soglia è indicato dal simbolo ΔV_th.

Come valutare Effetto corpo in NMOS utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Effetto corpo in NMOS, inserisci Soglia di voltaggio (V_T), Parametro del processo di fabbricazione (γ), Parametro fisico (φ_f) & Tensione tra Body e Source (V_SB) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Effetto corpo in NMOS

Qual è la formula per trovare Effetto corpo in NMOS?

La formula di Effetto corpo in NMOS è espressa come Change in Threshold Voltage = Soglia di voltaggio+Parametro del processo di fabbricazione*(sqrt(2*Parametro fisico+Tensione tra Body e Source)-sqrt(2*Parametro fisico)). Ecco un esempio: 37.22441 = 1.82+204*(sqrt(2*13+1.8)-sqrt(2*13)).

Come calcolare Effetto corpo in NMOS?

Con Soglia di voltaggio (V_T), Parametro del processo di fabbricazione (γ), Parametro fisico (φ_f) & Tensione tra Body e Source (V_SB) possiamo trovare Effetto corpo in NMOS utilizzando la formula - Change in Threshold Voltage = Soglia di voltaggio+Parametro del processo di fabbricazione*(sqrt(2*Parametro fisico+Tensione tra Body e Source)-sqrt(2*Parametro fisico)). Questa formula utilizza anche le funzioni Funzione radice quadrata.

Il Effetto corpo in NMOS può essere negativo?

SÌ, Effetto corpo in NMOS, misurato in Potenziale elettrico Potere può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Effetto corpo in NMOS?

Effetto corpo in NMOS viene solitamente misurato utilizzando Volt[V] per Potenziale elettrico. Millvolt[V], Microvolt[V], Nanovolt[V] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Effetto corpo in NMOS.

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