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Formula Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET

vaAssorbimento di corrente del MOSFET durante il funzionamento a segnale elevato data la tensione di overdrive Formula

vaScaricare la corrente nella linea di carico Formula

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La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici. Controlla FAQs

i d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V gs - V th)}^{2}

i_d - Assorbimento di corrente?k'_p - Transconduttanza di processo in PMOS?WL - Proporzioni?V_gs - Tensione gate-source?V_th - Soglia di voltaggio?

Esempio di Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET con Valori.

Ecco come appare l'equazione Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET con unità.

Ecco come appare l'equazione Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET.

0.0838 = \frac{1}{2} \cdot 0.58 \cdot 0.1 \cdot {(4 - 2.3)}^{2}

0.0838mA = \frac{1}{2} \cdot 0.58mS \cdot 0.1 \cdot {(4V - 2.3V)}^{2}

0.0838 = \frac{1}{2} \cdot 0.58 \cdot 0.1 \cdot {(4 - 2.3)}^{2}

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET?

Primo passo Considera la formula

i d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V gs - V th)}^{2}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

i d = \frac{1}{2} \cdot 0.58mS \cdot 0.1 \cdot {(4V - 2.3V)}^{2}

Passo successivo Converti unità

∴

i d = \frac{1}{2} \cdot 0.0006S \cdot 0.1 \cdot {(4V - 2.3V)}^{2}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

i d = \frac{1}{2} \cdot 0.0006 \cdot 0.1 \cdot {(4 - 2.3)}^{2}

Passo successivo Valutare

∴

i d = 8.381E-05A

Passo successivo Converti nell'unità di output

∴

i d = 0.08381mA

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

i d = 0.0838mA

Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET Formula Elementi

Variabili

Assorbimento di corrente

Simbolo: i_d

Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Assorbimento di corrente

Transconduttanza di processo in PMOS

La transconduttanza di processo in PMOS si riferisce al guadagno di un transistor PMOS rispetto alla sua tensione gate-source.

Simbolo: k'_p

Misurazione: Conduttanza elettricaUnità: mS

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Transconduttanza di processo in PMOS

Proporzioni

Il rapporto di aspetto è definito come il rapporto tra la larghezza del canale del transistor e la sua lunghezza. È il rapporto tra la larghezza del gate e la distanza dalla sorgente

Simbolo: WL

Misurazione: NAUnità: Unitless

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Proporzioni

Tensione gate-source

La tensione gate-source è un parametro critico che influisce sul funzionamento di un FET e viene spesso utilizzato per controllare il comportamento del dispositivo.

Simbolo: V_gs

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione gate-source

Soglia di voltaggio

La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.

Simbolo: V_th

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Soglia di voltaggio

Altre formule per trovare Assorbimento di corrente

va Assorbimento di corrente del MOSFET durante il funzionamento a segnale elevato data la tensione di overdrive

i d = (\frac{I b}{V ov}) \cdot (\frac{V id}{2})

va Scaricare la corrente nella linea di carico

i d = \frac{V dd - V ds}{R L}

va Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs

i d = K n \cdot ({(V c - V t)}^{2})

va Corrente di scarico istantanea

i d = K n \cdot {(V gsq - V t + V c)}^{2}

Altre formule nella categoria Attuale

va Prima corrente di scarico del MOSFET nel funzionamento a grande segnale

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{V id}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

va Seconda corrente di scarico del MOSFET durante il funzionamento a grande segnale

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{(V id)}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

va Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

va Seconda corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET?

Il valutatore Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET utilizza Drain Current = 1/2*Transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)^2 per valutare Assorbimento di corrente, La corrente di scarico senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET è quando il MOSFET viene utilizzato per progettare un amplificatore, viene utilizzato nella regione di saturazione. In effetti, quindi, il MOSFET funziona come una sorgente di corrente controllata in tensione. Assorbimento di corrente è indicato dal simbolo i_d.

Come valutare Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET, inserisci Transconduttanza di processo in PMOS (k'_p), Proporzioni (WL), Tensione gate-source (V_gs) & Soglia di voltaggio (V_th) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET

Qual è la formula per trovare Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET?

La formula di Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET è espressa come Drain Current = 1/2*Transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)^2. Ecco un esempio: 83.81 = 1/2*0.00058*0.1*(4-2.3)^2.

Come calcolare Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET?

Con Transconduttanza di processo in PMOS (k'_p), Proporzioni (WL), Tensione gate-source (V_gs) & Soglia di voltaggio (V_th) possiamo trovare Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET utilizzando la formula - Drain Current = 1/2*Transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni*(Tensione gate-source-Soglia di voltaggio)^2.

Quali sono gli altri modi per calcolare Assorbimento di corrente?

Ecco i diversi modi per calcolare Assorbimento di corrente-

Drain Current=(DC Bias Current/Overdrive Voltage)*(Differential Input Signal/2)
Drain Current=(Supply Voltage-Drain Source Voltage)/Load Resistance
Drain Current=Transconductance Parameter*((Critical Voltage-Total Voltage)^2)

Il Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET può essere negativo?

NO, Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET, misurato in Corrente elettrica non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET?

Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET viene solitamente misurato utilizzando Millampere[mA] per Corrente elettrica. Ampere[mA], microampere[mA], Centiampere[mA] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET.

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Formula Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET

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