Formula Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF

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La corrente di sottosoglia è la dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF. Controlla FAQs
ist=(PstVbc)-(ig+icon+ij)
ist - Corrente sottosoglia?Pst - Potenza statica CMOS?Vbc - Tensione del collettore di base?ig - Corrente del cancello?icon - Corrente di contesa?ij - Corrente di giunzione?

Esempio di Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF con Valori.

Ecco come appare l'equazione Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF con unità.

Ecco come appare l'equazione Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF.

1.6015Edit=(67.37Edit2.02Edit)-(4.5Edit+25.75Edit+1.5Edit)
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Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF?

Primo passo Considera la formula
ist=(PstVbc)-(ig+icon+ij)
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
ist=(67.37mW2.02V)-(4.5mA+25.75mA+1.5mA)
Passo successivo Converti unità
ist=(0.0674W2.02V)-(0.0045A+0.0258A+0.0015A)
Passo successivo Preparati a valutare
ist=(0.06742.02)-(0.0045+0.0258+0.0015)
Passo successivo Valutare
ist=0.00160148514851485A
Passo successivo Converti nell'unità di output
ist=1.60148514851485mA
Ultimo passo Risposta arrotondata
ist=1.6015mA

Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF Formula Elementi

Variabili
Corrente sottosoglia
La corrente di sottosoglia è la dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF.
Simbolo: ist
Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Potenza statica CMOS
La potenza statica CMOS è definita come la corrente di dispersione dovuta al bassissimo consumo di energia statica nei dispositivi CMOS.
Simbolo: Pst
Misurazione: PotenzaUnità: mW
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Tensione del collettore di base
La tensione del collettore di base è un parametro cruciale nella polarizzazione dei transistor. Si riferisce alla differenza di tensione tra la base e i terminali del collettore del transistor quando è nel suo stato attivo.
Simbolo: Vbc
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Corrente del cancello
La corrente di gate è definita come quando non c'è tensione tra i terminali di gate e source, non scorre corrente nel drain tranne la corrente di dispersione, a causa di un'impedenza drain-source molto elevata.
Simbolo: ig
Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Corrente di contesa
La corrente di contesa è definita come la corrente di contesa che si verifica nei circuiti rapportati.
Simbolo: icon
Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Corrente di giunzione
La corrente di giunzione è la perdita di giunzione dalle diffusioni source/drain.
Simbolo: ij
Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Altre formule nella categoria Metriche di potenza CMOS

​va Fattore di attività
α=PsCVbc2f
​va Potenza di commutazione
Ps=α(CVbc2f)
​va Potenza dinamica nel CMOS
Pdyn=Psc+Ps
​va Potenza di cortocircuito nel CMOS
Psc=Pdyn-Ps

Come valutare Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF?

Il valutatore Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF utilizza Subthreshold Current = (Potenza statica CMOS/Tensione del collettore di base)-(Corrente del cancello+Corrente di contesa+Corrente di giunzione) per valutare Corrente sottosoglia, La formula Perdita sottosoglia attraverso transistor OFF è definita come conduzione sottosoglia o dispersione sottosoglia o corrente di drenaggio sottosoglia, che è la corrente tra la sorgente e il drenaggio di un MOSFET quando il transistor si trova nella regione sottosoglia, o regione di inversione debole, cioè per tensioni gate-source al di sotto della tensione di soglia. Corrente sottosoglia è indicato dal simbolo ist.

Come valutare Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF, inserisci Potenza statica CMOS (Pst), Tensione del collettore di base (Vbc), Corrente del cancello (ig), Corrente di contesa (icon) & Corrente di giunzione (ij) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF

Qual è la formula per trovare Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF?
La formula di Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF è espressa come Subthreshold Current = (Potenza statica CMOS/Tensione del collettore di base)-(Corrente del cancello+Corrente di contesa+Corrente di giunzione). Ecco un esempio: 22231.49 = (0.06737/2.02)-(0.0045+0.02575+0.0015).
Come calcolare Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF?
Con Potenza statica CMOS (Pst), Tensione del collettore di base (Vbc), Corrente del cancello (ig), Corrente di contesa (icon) & Corrente di giunzione (ij) possiamo trovare Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF utilizzando la formula - Subthreshold Current = (Potenza statica CMOS/Tensione del collettore di base)-(Corrente del cancello+Corrente di contesa+Corrente di giunzione).
Il Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF può essere negativo?
NO, Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF, misurato in Corrente elettrica non può può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF?
Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF viene solitamente misurato utilizzando Millampere[mA] per Corrente elettrica. Ampere[mA], microampere[mA], Centiampere[mA] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF.
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