Formula Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate

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La corrente di gate è definita come quando non c'è tensione tra i terminali di gate e source, non scorre corrente nel drain tranne la corrente di dispersione, a causa di un'impedenza drain-source molto elevata. Controlla FAQs
ig=(PstVbc)-(ist+icon+ij)
ig - Corrente del cancello?Pst - Potenza statica CMOS?Vbc - Tensione del collettore di base?ist - Corrente sottosoglia?icon - Corrente di contesa?ij - Corrente di giunzione?

Esempio di Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate con Valori.

Ecco come appare l'equazione Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate con unità.

Ecco come appare l'equazione Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate.

4.5015Edit=(67.37Edit2.02Edit)-(1.6Edit+25.75Edit+1.5Edit)
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Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate?

Primo passo Considera la formula
ig=(PstVbc)-(ist+icon+ij)
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
ig=(67.37mW2.02V)-(1.6mA+25.75mA+1.5mA)
Passo successivo Converti unità
ig=(0.0674W2.02V)-(0.0016A+0.0258A+0.0015A)
Passo successivo Preparati a valutare
ig=(0.06742.02)-(0.0016+0.0258+0.0015)
Passo successivo Valutare
ig=0.00450148514851485A
Passo successivo Converti nell'unità di output
ig=4.50148514851485mA
Ultimo passo Risposta arrotondata
ig=4.5015mA

Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate Formula Elementi

Variabili
Corrente del cancello
La corrente di gate è definita come quando non c'è tensione tra i terminali di gate e source, non scorre corrente nel drain tranne la corrente di dispersione, a causa di un'impedenza drain-source molto elevata.
Simbolo: ig
Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Potenza statica CMOS
La potenza statica CMOS è definita come la corrente di dispersione dovuta al bassissimo consumo di energia statica nei dispositivi CMOS.
Simbolo: Pst
Misurazione: PotenzaUnità: mW
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Tensione del collettore di base
La tensione del collettore di base è un parametro cruciale nella polarizzazione dei transistor. Si riferisce alla differenza di tensione tra la base e i terminali del collettore del transistor quando è nel suo stato attivo.
Simbolo: Vbc
Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Corrente sottosoglia
La corrente di sottosoglia è la dispersione sottosoglia attraverso i transistor OFF.
Simbolo: ist
Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Corrente di contesa
La corrente di contesa è definita come la corrente di contesa che si verifica nei circuiti rapportati.
Simbolo: icon
Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.
Corrente di giunzione
La corrente di giunzione è la perdita di giunzione dalle diffusioni source/drain.
Simbolo: ij
Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA
Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Altre formule nella categoria Metriche di potenza CMOS

​va Fattore di attività
α=PsCVbc2f
​va Potenza di commutazione
Ps=α(CVbc2f)
​va Potenza dinamica nel CMOS
Pdyn=Psc+Ps
​va Potenza di cortocircuito nel CMOS
Psc=Pdyn-Ps

Come valutare Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate?

Il valutatore Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate utilizza Gate Current = (Potenza statica CMOS/Tensione del collettore di base)-(Corrente sottosoglia+Corrente di contesa+Corrente di giunzione) per valutare Corrente del cancello, La formula di dispersione del gate attraverso il dielettrico di gate viene calcolata quando non c'è tensione tra i terminali di gate e source, nessuna corrente scorre nel drain tranne la corrente di dispersione. Ciò è dovuto a un'impedenza drain-source molto elevata. Corrente del cancello è indicato dal simbolo ig.

Come valutare Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate, inserisci Potenza statica CMOS (Pst), Tensione del collettore di base (Vbc), Corrente sottosoglia (ist), Corrente di contesa (icon) & Corrente di giunzione (ij) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate

Qual è la formula per trovare Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate?
La formula di Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate è espressa come Gate Current = (Potenza statica CMOS/Tensione del collettore di base)-(Corrente sottosoglia+Corrente di contesa+Corrente di giunzione). Ecco un esempio: 25131.49 = (0.06737/2.02)-(0.0016+0.02575+0.0015).
Come calcolare Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate?
Con Potenza statica CMOS (Pst), Tensione del collettore di base (Vbc), Corrente sottosoglia (ist), Corrente di contesa (icon) & Corrente di giunzione (ij) possiamo trovare Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate utilizzando la formula - Gate Current = (Potenza statica CMOS/Tensione del collettore di base)-(Corrente sottosoglia+Corrente di contesa+Corrente di giunzione).
Il Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate può essere negativo?
NO, Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate, misurato in Corrente elettrica non può può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate?
Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate viene solitamente misurato utilizzando Millampere[mA] per Corrente elettrica. Ampere[mA], microampere[mA], Centiampere[mA] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Dispersione nel gate attraverso il dielettrico del gate.
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