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Formula Dimensione critica

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La dimensione critica nella produzione di semiconduttori si riferisce alla dimensione più piccola della caratteristica o alla dimensione più piccola misurabile in un dato processo. Controlla FAQs

CD = k 1 \cdot \frac{λ l}{NA}

CD - Dimensione critica?k₁ - Costante dipendente dal processo?λ_l - Lunghezza d'onda nella fotolitografia?NA - Apertura numerica?

Esempio di Dimensione critica

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Dimensione critica con Valori.

Ecco come appare l'equazione Dimensione critica con unità.

Ecco come appare l'equazione Dimensione critica.

485.1883 = 1.56 \cdot \frac{223}{0.717}

485.1883nm = 1.56 \cdot \frac{223nm}{0.717}

485.1883 = 1.56 \cdot \frac{223}{0.717}

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

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Circuiti integrati (IC) » fx Dimensione critica

Dimensione critica Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Dimensione critica?

Primo passo Considera la formula

CD = k 1 \cdot \frac{λ l}{NA}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

CD = 1.56 \cdot \frac{223nm}{0.717}

Passo successivo Converti unità

∴

CD = 1.56 \cdot \frac{2.2E-7m}{0.717}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

CD = 1.56 \cdot \frac{2.2E-7}{0.717}

Passo successivo Valutare

∴

CD = 4.85188284518829E-07m

Passo successivo Converti nell'unità di output

∴

CD = 485.188284518829nm

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

CD = 485.1883nm

Dimensione critica Formula Elementi

Variabili

Dimensione critica

La dimensione critica nella produzione di semiconduttori si riferisce alla dimensione più piccola della caratteristica o alla dimensione più piccola misurabile in un dato processo.

Simbolo: CD

Misurazione: LunghezzaUnità: nm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Dimensione critica

Costante dipendente dal processo

La costante dipendente dal processo si riferisce a un parametro o valore che caratterizza un aspetto specifico del processo di fabbricazione e ha un impatto significativo sulle prestazioni dei dispositivi a semiconduttore.

Simbolo: k₁

Misurazione: NAUnità: Unitless

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Costante dipendente dal processo

Lunghezza d'onda nella fotolitografia

La lunghezza d'onda nella fotolitografia si riferisce alla gamma specifica di radiazione elettromagnetica impiegata per modellare i wafer semiconduttori durante il processo di fabbricazione del semiconduttore.

Simbolo: λ_l

Misurazione: Lunghezza d'ondaUnità: nm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Lunghezza d'onda nella fotolitografia

Apertura numerica

L'apertura numerica di un sistema ottico è un parametro utilizzato in ottica per descrivere la capacità di un sistema ottico. Nel contesto della produzione di semiconduttori e della fotolitografia.

Simbolo: NA

Misurazione: NAUnità: Unitless

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Apertura numerica

Altre formule nella categoria Fabbricazione di circuiti integrati MOS

va Effetto corpo nel MOSFET

V t = V th + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot Φ f + V bs} - \sqrt{2 \cdot Φ f})

va Frequenza di guadagno unitario MOSFET

f t = \frac{g m}{C gs + C gd}

va Corrente di drenaggio del MOSFET nella regione di saturazione

I d = \frac{β}{2} \cdot {(V gs - V th)}^{2} \cdot (1 + λ i \cdot V ds)

va Resistenza del canale

R ch = \frac{L t}{W t} \cdot \frac{1}{μ n \cdot Q on}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Dimensione critica?

Il valutatore Dimensione critica utilizza Critical Dimension = Costante dipendente dal processo*Lunghezza d'onda nella fotolitografia/Apertura numerica per valutare Dimensione critica, La dimensione critica si riferisce alla dimensione più piccola o alla dimensione caratteristica che determina le prestazioni e la funzionalità del circuito. È fondamentale per definire la risoluzione e l'accuratezza del processo di fabbricazione. Dimensione critica è indicato dal simbolo CD.

Come valutare Dimensione critica utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Dimensione critica, inserisci Costante dipendente dal processo (k₁), Lunghezza d'onda nella fotolitografia (λ_l) & Apertura numerica (NA) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Dimensione critica

Qual è la formula per trovare Dimensione critica?

La formula di Dimensione critica è espressa come Critical Dimension = Costante dipendente dal processo*Lunghezza d'onda nella fotolitografia/Apertura numerica. Ecco un esempio: 4.9E+11 = 1.56*2.23E-07/0.717.

Come calcolare Dimensione critica?

Con Costante dipendente dal processo (k₁), Lunghezza d'onda nella fotolitografia (λ_l) & Apertura numerica (NA) possiamo trovare Dimensione critica utilizzando la formula - Critical Dimension = Costante dipendente dal processo*Lunghezza d'onda nella fotolitografia/Apertura numerica.

Il Dimensione critica può essere negativo?

NO, Dimensione critica, misurato in Lunghezza non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Dimensione critica?

Dimensione critica viene solitamente misurato utilizzando Nanometro[nm] per Lunghezza. Metro[nm], Millimetro[nm], Chilometro[nm] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Dimensione critica.

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