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Formula Densità di carica della regione di esaurimento di massa VLSI

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La densità di carica della regione di svuotamento di massa è definita come la carica elettrica per unità di area associata alla regione di svuotamento nella massa di un dispositivo a semiconduttore. Controlla FAQs

Q B0 = - (1 - (\frac{ΔL s + ΔL D}{2 \cdot L})) \cdot \sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot N A \cdot | 2 \cdot Φ s |}

Q_B0 - Densità di carica della regione di esaurimento di massa?ΔL_s - Estensione laterale della regione di esaurimento con la sorgente?ΔL_D - Estensione laterale della regione di esaurimento con drenaggio?L - Lunghezza del canale?N_A - Concentrazione dell'accettore?Φ_s - Potenziale di superficie?[Charge-e] - Carica dell'elettrone?[Permitivity-silicon] - Permittività del silicio?[Permitivity-vacuum] - Permittività del vuoto?

Esempio di Densità di carica della regione di esaurimento di massa VLSI

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Densità di carica della regione di esaurimento di massa VLSI con Valori.

Ecco come appare l'equazione Densità di carica della regione di esaurimento di massa VLSI con unità.

Ecco come appare l'equazione Densità di carica della regione di esaurimento di massa VLSI.

-0.2006 = - (1 - (\frac{0.1 + 0.2}{2 \cdot 2.5})) \cdot \sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+16 \cdot | 2 \cdot 6.86 |}

-0.2006μC/cm² = - (1 - (\frac{0.1μm + 0.2μm}{2 \cdot 2.5μm})) \cdot \sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |}

-0.2006 = - (1 - (\frac{0.1 + 0.2}{2 \cdot 2.5})) \cdot \sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+16 \cdot | 2 \cdot 6.86 |}

Mancia: Utilizza l'icona della matita () in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Densità di carica della regione di esaurimento di massa VLSI Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Densità di carica della regione di esaurimento di massa VLSI?

Primo passo Considera la formula

Q B0 = - (1 - (\frac{ΔL s + ΔL D}{2 \cdot L})) \cdot \sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot N A \cdot | 2 \cdot Φ s |}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

Q B0 = - (1 - (\frac{0.1μm + 0.2μm}{2 \cdot 2.5μm})) \cdot \sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |}

Passo successivo Valori sostitutivi delle costanti

∴

Q B0 = - (1 - (\frac{0.1μm + 0.2μm}{2 \cdot 2.5μm})) \cdot \sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+161/cm³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |}

Passo successivo Converti unità

∴

Q B0 = - (1 - (\frac{1E-7m + 2E-7m}{2 \cdot 2.5E-6m})) \cdot \sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12F/m \cdot 1E+221/m³ \cdot | 2 \cdot 6.86V |}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

Q B0 = - (1 - (\frac{1E-7 + 2E-7}{2 \cdot 2.5E-6})) \cdot \sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 11.7 \cdot 8.9E-12 \cdot 1E+22 \cdot | 2 \cdot 6.86 |}

Passo successivo Valutare

∴

Q B0 = -0.00200557851391776C/m²

Passo successivo Converti nell'unità di output

∴

Q B0 = -0.200557851391776μC/cm²

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

Q B0 = -0.2006μC/cm²

Densità di carica della regione di esaurimento di massa VLSI Formula Elementi

Variabili

Costanti

Funzioni

Densità di carica della regione di esaurimento di massa

Simbolo: Q_B0

Misurazione: Densità di carica superficialeUnità: μC/cm²

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Estensione laterale della regione di esaurimento con la sorgente

Estensione laterale della regione di svuotamento con la sorgente la distanza orizzontale attraverso la quale la regione di svuotamento si estende lateralmente dal terminale di sorgente in un dispositivo a semiconduttore.

Simbolo: ΔL_s

Misurazione: LunghezzaUnità: μm