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Formula Corrente nel canale di inversione del PMOS

vaAssorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS Formula

vaAssorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd Formula

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La corrente di drain è la corrente elettrica che scorre dal drain alla sorgente di un transistor ad effetto di campo (FET) o di un transistor ad effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET). Controlla FAQs

I d = (W \cdot Q p \cdot V y)

I_d - Assorbimento di corrente?W - Larghezza della giunzione?Q_p - Carica dello strato di inversione?V_y - Velocità di deriva dell'inversione?

Esempio di Corrente nel canale di inversione del PMOS

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Corrente nel canale di inversione del PMOS con Valori.

Ecco come appare l'equazione Corrente nel canale di inversione del PMOS con unità.

Ecco come appare l'equazione Corrente nel canale di inversione del PMOS.

29.5965 = (1.19 \cdot 0.0017 \cdot 1463)

29.5965mA = (1.19m \cdot 0.0017C/m² \cdot 1463cm/s)

29.5965 = (1.19 \cdot 0.0017 \cdot 1463)

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Elettronica analogica » fx Corrente nel canale di inversione del PMOS

Corrente nel canale di inversione del PMOS Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Corrente nel canale di inversione del PMOS?

Primo passo Considera la formula

I d = (W \cdot Q p \cdot V y)

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

I d = (1.19m \cdot 0.0017C/m² \cdot 1463cm/s)

Passo successivo Converti unità

∴

I d = (1.19m \cdot 0.0017C/m² \cdot 14.63m/s)

Passo successivo Preparati a valutare

∴

I d = (1.19 \cdot 0.0017 \cdot 14.63)

Passo successivo Valutare

∴

I d = 0.02959649A

Passo successivo Converti nell'unità di output

∴

I d = 29.59649mA

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

I d = 29.5965mA

Corrente nel canale di inversione del PMOS Formula Elementi

Variabili

Assorbimento di corrente

Simbolo: I_d

Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Assorbimento di corrente

Larghezza della giunzione

La larghezza della giunzione è il parametro che indica quanto è larga la giunzione di base di qualsiasi elemento elettronico analogico.

Simbolo: W

Misurazione: LunghezzaUnità: m

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Larghezza della giunzione

Carica dello strato di inversione

La carica dello strato di inversione si riferisce all'accumulo di portatori di carica all'interfaccia tra il semiconduttore e lo strato di ossido isolante quando viene applicata una tensione all'elettrodo di gate.

Simbolo: Q_p

Misurazione: Densità di carica superficialeUnità: C/m²

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Carica dello strato di inversione

Velocità di deriva dell'inversione

La velocità di deriva dello strato di inversione in un MOSFET è la velocità media degli elettroni che compongono lo strato di inversione mentre si muovono attraverso il materiale sotto l'influenza di un campo elettrico.

Simbolo: V_y

Misurazione: VelocitàUnità: cm/s

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Velocità di deriva dell'inversione

Altre formule per trovare Assorbimento di corrente

va Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

va Assorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

va Corrente di scarico complessiva del transistor PMOS

I d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2} \cdot (1 + \frac{V DS}{mod} \underset{̲}{u} s (V a))

va Assorbimento di corrente dalla sorgente allo scarico

I d = (W \cdot Q p \cdot μ p \cdot E y)

Altre formule nella categoria Miglioramento del canale P

va Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

va Assorbimento di corrente nella regione di saturazione del transistor PMOS dato Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

va Parametro di transconduttanza di processo di PMOS

k' p = μ p \cdot C ox

va Corrente nel canale di inversione del PMOS data la mobilità

V y = μ p \cdot E y

Vedi altro OpenImg

Come valutare Corrente nel canale di inversione del PMOS?

Il valutatore Corrente nel canale di inversione del PMOS utilizza Drain Current = (Larghezza della giunzione*Carica dello strato di inversione*Velocità di deriva dell'inversione) per valutare Assorbimento di corrente, La corrente nel canale di inversione della formula PMOS è definita come la corrente nel canale di inversione è un parametro importante per il funzionamento del transistor PMOS in quanto determina la funzionalità del transistor, come le sue caratteristiche di guadagno e uscita. Assorbimento di corrente è indicato dal simbolo I_d.

Come valutare Corrente nel canale di inversione del PMOS utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Corrente nel canale di inversione del PMOS, inserisci Larghezza della giunzione (W), Carica dello strato di inversione (Q_p) & Velocità di deriva dell'inversione (V_y) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Corrente nel canale di inversione del PMOS

Qual è la formula per trovare Corrente nel canale di inversione del PMOS?

La formula di Corrente nel canale di inversione del PMOS è espressa come Drain Current = (Larghezza della giunzione*Carica dello strato di inversione*Velocità di deriva dell'inversione). Ecco un esempio: 29596.49 = (1.19*0.0017*14.63).

Come calcolare Corrente nel canale di inversione del PMOS?

Con Larghezza della giunzione (W), Carica dello strato di inversione (Q_p) & Velocità di deriva dell'inversione (V_y) possiamo trovare Corrente nel canale di inversione del PMOS utilizzando la formula - Drain Current = (Larghezza della giunzione*Carica dello strato di inversione*Velocità di deriva dell'inversione).

Quali sono gli altri modi per calcolare Assorbimento di corrente?

Ecco i diversi modi per calcolare Assorbimento di corrente-

Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*((Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))*Voltage between Drain and Source-1/2*(Voltage between Drain and Source)^2)
Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(modulus(Effective Voltage)-1/2*Voltage between Drain and Source)*Voltage between Drain and Source
Drain Current=1/2*Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))^2*(1+Voltage between Drain and Source/modulus(Early Voltage))

Il Corrente nel canale di inversione del PMOS può essere negativo?

NO, Corrente nel canale di inversione del PMOS, misurato in Corrente elettrica non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Corrente nel canale di inversione del PMOS?

Corrente nel canale di inversione del PMOS viene solitamente misurato utilizzando Millampere[mA] per Corrente elettrica. Ampere[mA], microampere[mA], Centiampere[mA] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Corrente nel canale di inversione del PMOS.

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Formula Corrente nel canale di inversione del PMOS

​vaAssorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS Formula

​vaAssorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd Formula

Esempio di Corrente nel canale di inversione del PMOS

Corrente nel canale di inversione del PMOS Soluzione

Corrente nel canale di inversione del PMOS Formula Elementi

Altre formule per trovare Assorbimento di corrente

Altre formule nella categoria Miglioramento del canale P

Come valutare Corrente nel canale di inversione del PMOS?

FAQs SU Corrente nel canale di inversione del PMOS

Variable Name

vaAssorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS Formula

vaAssorbimento di corrente nella regione del triodo del transistor PMOS dato Vsd Formula