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Formula Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione

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La corrente di drain di saturazione è definita come la corrente sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione gate-source. Controlla FAQs

i ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot {(V ov)}^{2}

i_ds - Corrente di drenaggio di saturazione?k'_n - Parametro di transconduttanza del processo?W_c - Larghezza del canale?L - Lunghezza del canale?V_ov - Tensione effettiva?

Esempio di Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione con Valori.

Ecco come appare l'equazione Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione con unità.

Ecco come appare l'equazione Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione.

4.7249 = \frac{1}{2} \cdot 0.2 \cdot (\frac{10.15}{3.25}) \cdot {(0.123)}^{2}

4.7249mA = \frac{1}{2} \cdot 0.2A/V² \cdot (\frac{10.15μm}{3.25μm}) \cdot {(0.123V)}^{2}

4.7249 = \frac{1}{2} \cdot 0.2 \cdot (\frac{10.15}{3.25}) \cdot {(0.123)}^{2}

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Amplificatori » fx Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione

Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione?

Primo passo Considera la formula

i ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot {(V ov)}^{2}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

i ds = \frac{1}{2} \cdot 0.2A/V² \cdot (\frac{10.15μm}{3.25μm}) \cdot {(0.123V)}^{2}

Passo successivo Converti unità

∴

i ds = \frac{1}{2} \cdot 0.2A/V² \cdot (\frac{1E-5m}{3.3E-6m}) \cdot {(0.123V)}^{2}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

i ds = \frac{1}{2} \cdot 0.2 \cdot (\frac{1E-5}{3.3E-6}) \cdot {(0.123)}^{2}

Passo successivo Valutare

∴

i ds = 0.00472490307692308A

Passo successivo Converti nell'unità di output

∴

i ds = 4.72490307692308mA

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

i ds = 4.7249mA

Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione Formula Elementi

Variabili

Corrente di drenaggio di saturazione

La corrente di drain di saturazione è definita come la corrente sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione gate-source.

Simbolo: i_ds

Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Corrente di drenaggio di saturazione

Parametro di transconduttanza del processo

Il parametro di transconduttanza del processo è il prodotto della mobilità degli elettroni nel canale e della capacità dell'ossido.

Simbolo: k'_n

Misurazione: Parametro di transconduttanzaUnità: A/V²

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Parametro di transconduttanza del processo

Larghezza del canale

La larghezza del canale è la dimensione del canale del MOSFET.

Simbolo: W_c

Misurazione: LunghezzaUnità: μm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Larghezza del canale

Lunghezza del canale

La lunghezza del canale, L, che è la distanza tra le due giunzioni -p.

Simbolo: L

Misurazione: LunghezzaUnità: μm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Lunghezza del canale

Tensione effettiva

La tensione effettiva o tensione di overdrive è l'eccesso di tensione attraverso l'ossido che viene definito tensione termica.

Simbolo: V_ov

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione effettiva

Altre formule nella categoria Caratteristiche dell'amplificatore a transistor

va Tensione di scarico totale istantanea

V d = V fc - R d \cdot i d

va Corrente che scorre attraverso il canale indotto nel transistor data la tensione di ossido

i o = (μ e \cdot C ox \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot (V ox - V t)) \cdot V ds

va Tensione di ingresso nel transistor

V fc = R d \cdot i d - V d

va Prova la corrente dell'amplificatore a transistor

i x = \frac{V x}{R in}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione?

Il valutatore Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione utilizza Saturation Drain Current = 1/2*Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione effettiva)^2 per valutare Corrente di drenaggio di saturazione, La corrente in ingresso al terminale di drain del MOSFET a saturazione è la corrente di drain al di sotto della tensione di soglia definita come corrente di sottosoglia e varia esponenzialmente con Vgs. Il reciproco della pendenza del registro (Ids) vs. Corrente di drenaggio di saturazione è indicato dal simbolo i_ds.

Come valutare Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione, inserisci Parametro di transconduttanza del processo (k'_n), Larghezza del canale (W_c), Lunghezza del canale (L) & Tensione effettiva (V_ov) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione

Qual è la formula per trovare Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione?

La formula di Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione è espressa come Saturation Drain Current = 1/2*Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione effettiva)^2. Ecco un esempio: 4724.903 = 1/2*0.2*(1.015E-05/3.25E-06)*(0.123)^2.

Come calcolare Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione?

Con Parametro di transconduttanza del processo (k'_n), Larghezza del canale (W_c), Lunghezza del canale (L) & Tensione effettiva (V_ov) possiamo trovare Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione utilizzando la formula - Saturation Drain Current = 1/2*Parametro di transconduttanza del processo*(Larghezza del canale/Lunghezza del canale)*(Tensione effettiva)^2.

Il Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione può essere negativo?

NO, Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione, misurato in Corrente elettrica non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione?

Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione viene solitamente misurato utilizzando Millampere[mA] per Corrente elettrica. Ampere[mA], microampere[mA], Centiampere[mA] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione.

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Formula Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione

Esempio di Corrente in entrata nel terminale di scarico del MOSFET alla saturazione

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