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Formula Corrente di scarico istantanea

vaAssorbimento di corrente del MOSFET durante il funzionamento a segnale elevato data la tensione di overdrive Formula

vaDrain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET Formula

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La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici. Controlla FAQs

i d = K n \cdot {(V gsq - V t + V c)}^{2}

i_d - Assorbimento di corrente?K_n - Parametro di transconduttanza?V_gsq - Componente CC della tensione da gate a sorgente?V_t - Tensione totale?V_c - Tensione critica?

Esempio di Corrente di scarico istantanea

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Corrente di scarico istantanea con Valori.

Ecco come appare l'equazione Corrente di scarico istantanea con unità.

Ecco come appare l'equazione Corrente di scarico istantanea.

4803.7259 = 0.07 \cdot {(10 - 2 + 0.284)}^{2}

4803.7259mA = 0.07A/V² \cdot {(10V - 2V + 0.284V)}^{2}

4803.7259 = 0.07 \cdot {(10 - 2 + 0.284)}^{2}

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

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Corrente di scarico istantanea Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Corrente di scarico istantanea?

Primo passo Considera la formula

i d = K n \cdot {(V gsq - V t + V c)}^{2}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

i d = 0.07A/V² \cdot {(10V - 2V + 0.284V)}^{2}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

i d = 0.07 \cdot {(10 - 2 + 0.284)}^{2}

Passo successivo Valutare

∴

i d = 4.80372592A

Passo successivo Converti nell'unità di output

∴

i d = 4803.72592mA

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

i d = 4803.7259mA

Corrente di scarico istantanea Formula Elementi

Variabili

Assorbimento di corrente

Simbolo: i_d

Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Assorbimento di corrente

Parametro di transconduttanza

Il parametro di transconduttanza Kn è una misura della variazione della corrente che scorre attraverso un transistor in risposta a una piccola variazione di tensione.

Simbolo: K_n

Misurazione: Parametro di transconduttanzaUnità: A/V²

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Parametro di transconduttanza

Componente CC della tensione da gate a sorgente

La componente CC della tensione da gate a source si riferisce alla tensione applicata tra i terminali di gate e source, che controlla il flusso di corrente tra i terminali di drain e source.

Simbolo: V_gsq

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Componente CC della tensione da gate a sorgente

Tensione totale

La tensione totale in un circuito in serie è uguale alla somma di tutte le singole cadute di tensione nel circuito.

Simbolo: V_t

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione totale

Tensione critica

La tensione critica è la fase minima rispetto alla tensione neutra che si illumina e appare lungo tutto il conduttore di linea.

Simbolo: V_c

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione critica

Altre formule per trovare Assorbimento di corrente

va Assorbimento di corrente del MOSFET durante il funzionamento a segnale elevato data la tensione di overdrive

i d = (\frac{I b}{V ov}) \cdot (\frac{V id}{2})

va Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET

i d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V gs - V th)}^{2}

va Scaricare la corrente nella linea di carico

i d = \frac{V dd - V ds}{R L}

va Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs

i d = K n \cdot ({(V c - V t)}^{2})

Altre formule nella categoria Attuale

va Prima corrente di scarico del MOSFET nel funzionamento a grande segnale

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{V id}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

va Seconda corrente di scarico del MOSFET durante il funzionamento a grande segnale

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{(V id)}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

va Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

va Seconda corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Corrente di scarico istantanea?

Il valutatore Corrente di scarico istantanea utilizza Drain Current = Parametro di transconduttanza*(Componente CC della tensione da gate a sorgente-Tensione totale+Tensione critica)^2 per valutare Assorbimento di corrente, La formula della corrente di drenaggio istantanea è la corrente massima che scorre attraverso un dispositivo a semiconduttore in un tempo molto breve, in genere inferiore a 1 nanosecondo. È un parametro importante nella progettazione e nell'analisi dei circuiti elettronici ad alta velocità. Assorbimento di corrente è indicato dal simbolo i_d.

Come valutare Corrente di scarico istantanea utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Corrente di scarico istantanea, inserisci Parametro di transconduttanza (K_n), Componente CC della tensione da gate a sorgente (V_gsq), Tensione totale (V_t) & Tensione critica (V_c) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Corrente di scarico istantanea

Qual è la formula per trovare Corrente di scarico istantanea?

La formula di Corrente di scarico istantanea è espressa come Drain Current = Parametro di transconduttanza*(Componente CC della tensione da gate a sorgente-Tensione totale+Tensione critica)^2. Ecco un esempio: 8.2E+6 = 0.07*(10-2+0.284)^2.

Come calcolare Corrente di scarico istantanea?

Con Parametro di transconduttanza (K_n), Componente CC della tensione da gate a sorgente (V_gsq), Tensione totale (V_t) & Tensione critica (V_c) possiamo trovare Corrente di scarico istantanea utilizzando la formula - Drain Current = Parametro di transconduttanza*(Componente CC della tensione da gate a sorgente-Tensione totale+Tensione critica)^2.

Quali sono gli altri modi per calcolare Assorbimento di corrente?

Ecco i diversi modi per calcolare Assorbimento di corrente-

Drain Current=(DC Bias Current/Overdrive Voltage)*(Differential Input Signal/2)
Drain Current=1/2*Process Transconductance in PMOS*Aspect Ratio*(Gate-Source Voltage-Threshold Voltage)^2
Drain Current=(Supply Voltage-Drain Source Voltage)/Load Resistance

Il Corrente di scarico istantanea può essere negativo?

NO, Corrente di scarico istantanea, misurato in Corrente elettrica non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Corrente di scarico istantanea?

Corrente di scarico istantanea viene solitamente misurato utilizzando Millampere[mA] per Corrente elettrica. Ampere[mA], microampere[mA], Centiampere[mA] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Corrente di scarico istantanea.

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Formula Corrente di scarico istantanea

​vaAssorbimento di corrente del MOSFET durante il funzionamento a segnale elevato data la tensione di overdrive Formula

​vaDrain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET Formula

Esempio di Corrente di scarico istantanea

Corrente di scarico istantanea Soluzione

Corrente di scarico istantanea Formula Elementi

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vaAssorbimento di corrente del MOSFET durante il funzionamento a segnale elevato data la tensione di overdrive Formula

vaDrain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET Formula