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Formula Corrente di saturazione nel transistor

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La corrente di saturazione si riferisce alla corrente massima che può fluire attraverso il transistor quando è completamente acceso. Controlla FAQs

I sat = \frac{q \cdot A \cdot D n \cdot {n i}^{2}}{Q b}

I_sat - Corrente di saturazione?q - Carica?A - Area di giunzione della base dell'emettitore?D_n - Diffusione efficace?n_i - Concentrazione intrinseca?Q_b - Impurità totale?

Esempio di Corrente di saturazione nel transistor

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Corrente di saturazione nel transistor con Valori.

Ecco come appare l'equazione Corrente di saturazione nel transistor con unità.

Ecco come appare l'equazione Corrente di saturazione nel transistor.

2.1175 = \frac{5 \cdot 1.75 \cdot 0.5 \cdot {1.32}^{2}}{3.6E+9}

2.1175A = \frac{5mC \cdot 1.75cm² \cdot 0.5 \cdot {1.321/cm³}^{2}}{3.6E+9cm²}

2.1175 = \frac{5 \cdot 1.75 \cdot 0.5 \cdot {1.32}^{2}}{3.6E+9}

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) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Circuiti integrati (IC) » fx Corrente di saturazione nel transistor

Corrente di saturazione nel transistor Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Corrente di saturazione nel transistor?

Primo passo Considera la formula

I sat = \frac{q \cdot A \cdot D n \cdot {n i}^{2}}{Q b}

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

I sat = \frac{5mC \cdot 1.75cm² \cdot 0.5 \cdot {1.321/cm³}^{2}}{3.6E+9cm²}

Passo successivo Converti unità

∴

I sat = \frac{0.005C \cdot 0.0002m² \cdot 0.5 \cdot {1.3E+61/m³}^{2}}{360000m²}

Passo successivo Preparati a valutare

∴

I sat = \frac{0.005 \cdot 0.0002 \cdot 0.5 \cdot {1.3E+6}^{2}}{360000}

Ultimo passo Valutare

∴

I sat = 2.1175A

Corrente di saturazione nel transistor Formula Elementi

Variabili

Corrente di saturazione

La corrente di saturazione si riferisce alla corrente massima che può fluire attraverso il transistor quando è completamente acceso.

Simbolo: I_sat

Misurazione: Corrente elettricaUnità: A

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Corrente di saturazione

Open Variable

Carica

Carica una caratteristica di un'unità di materia che esprime la misura in cui essa ha più o meno elettroni rispetto ai protoni.

Simbolo: q

Misurazione: Carica elettricaUnità: mC

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Carica

Open Variable

Area di giunzione della base dell'emettitore

L'area di giunzione della base dell'emettitore è una giunzione PN formata tra il materiale di tipo P fortemente drogato (emettitore) e il materiale di tipo N leggermente drogato (base) del transistor.

Simbolo: A

Misurazione: La zonaUnità: cm²

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Area di giunzione della base dell'emettitore

Open Variable

Diffusione efficace

La diffusione effettiva è un parametro relativo al processo di diffusione dei portatori ed è influenzata dalle proprietà del materiale e dalla geometria della giunzione del semiconduttore.

Simbolo: D_n

Misurazione: NAUnità: Unitless

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Diffusione efficace

Open Variable

Concentrazione intrinseca

La concentrazione intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.

Simbolo: n_i

Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/cm³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Concentrazione intrinseca

Open Variable

Impurità totale

L'impurità totale definisce le impurità che si mescolano in un atomo per unità di area in una base o la quantità di impurità aggiunta a un semiconduttore intrinseco varia il suo livello di conduttività.

Simbolo: Q_b

Misurazione: La zonaUnità: cm²

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Impurità totale

Open Variable

Altre formule nella categoria Fabbricazione di circuiti integrati bipolari

va Impurezza con concentrazione intrinseca

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

va Conduttività ohmica delle impurità

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

va Tensione di breakout dell'emettitore del collettore

V ce = \frac{V cb}{{(i g)}^{\frac{1}{n}}}

va Conduttività di tipo N

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

Vedi altro OpenImg

OpenImg

Come valutare Corrente di saturazione nel transistor?

Il valutatore Corrente di saturazione nel transistor utilizza Saturation Current = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Diffusione efficace*Concentrazione intrinseca^2)/Impurità totale per valutare Corrente di saturazione, La formula della corrente di saturazione nel transistor è la parte della corrente inversa in un diodo a semiconduttore causata dalla diffusione di portatori minoritari dalle regioni neutre alla regione di svuotamento. Questa corrente è quasi indipendente dalla tensione inversa. Corrente di saturazione è indicato dal simbolo I_sat.

Come valutare Corrente di saturazione nel transistor utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Corrente di saturazione nel transistor, inserisci Carica (q), Area di giunzione della base dell'emettitore (A), Diffusione efficace (D_n), Concentrazione intrinseca (n_i) & Impurità totale (Q_b) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Corrente di saturazione nel transistor

Qual è la formula per trovare Corrente di saturazione nel transistor?

La formula di Corrente di saturazione nel transistor è espressa come Saturation Current = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Diffusione efficace*Concentrazione intrinseca^2)/Impurità totale. Ecco un esempio: 2.1175 = (0.005*0.000175*0.5*1320000^2)/360000.

Come calcolare Corrente di saturazione nel transistor?

Con Carica (q), Area di giunzione della base dell'emettitore (A), Diffusione efficace (D_n), Concentrazione intrinseca (n_i) & Impurità totale (Q_b) possiamo trovare Corrente di saturazione nel transistor utilizzando la formula - Saturation Current = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Diffusione efficace*Concentrazione intrinseca^2)/Impurità totale.

Il Corrente di saturazione nel transistor può essere negativo?

SÌ, Corrente di saturazione nel transistor, misurato in Corrente elettrica Potere può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Corrente di saturazione nel transistor?

Corrente di saturazione nel transistor viene solitamente misurato utilizzando Ampere[A] per Corrente elettrica. Millampere[A], microampere[A], Centiampere[A] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Corrente di saturazione nel transistor.

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