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Formula Corrente di saturazione del canale corto VLSI

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La corrente di saturazione a canale corto è definita come la corrente massima che può fluire attraverso un transistor a canale corto quando è in modalità saturazione. Controlla FAQs

I D(sat) = W c \cdot v d(sat) \cdot C oxide \cdot V Dsat

I_D(sat) - Corrente di saturazione del canale corto?W_c - Larghezza del canale?v_d(sat) - Velocità di deriva degli elettroni in saturazione?C_oxide - Capacità di ossido per unità di area?V_Dsat - Tensione della sorgente di drenaggio di saturazione?

Esempio di Corrente di saturazione del canale corto VLSI

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Corrente di saturazione del canale corto VLSI con Valori.

Ecco come appare l'equazione Corrente di saturazione del canale corto VLSI con unità.

Ecco come appare l'equazione Corrente di saturazione del canale corto VLSI.

527.25 = 2.5 \cdot 2E+7 \cdot 0.0703 \cdot 1.5

527.25µA = 2.5μm \cdot 2E+7cm/s \cdot 0.0703μF/cm² \cdot 1.5V

527.25 = 2.5 \cdot 2E+7 \cdot 0.0703 \cdot 1.5

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Fabbricazione VLSI » fx Corrente di saturazione del canale corto VLSI

Corrente di saturazione del canale corto VLSI Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Corrente di saturazione del canale corto VLSI?

Primo passo Considera la formula

I D(sat) = W c \cdot v d(sat) \cdot C oxide \cdot V Dsat

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

I D(sat) = 2.5μm \cdot 2E+7cm/s \cdot 0.0703μF/cm² \cdot 1.5V

Passo successivo Converti unità

∴

I D(sat) = 2.5E-6m \cdot 200000m/s \cdot 0.0007F/m² \cdot 1.5V

Passo successivo Preparati a valutare

∴

I D(sat) = 2.5E-6 \cdot 200000 \cdot 0.0007 \cdot 1.5

Passo successivo Valutare

∴

I D(sat) = 0.00052725A

Ultimo passo Converti nell'unità di output

∴

I D(sat) = 527.25µA

Corrente di saturazione del canale corto VLSI Formula Elementi

Variabili

Corrente di saturazione del canale corto

La corrente di saturazione a canale corto è definita come la corrente massima che può fluire attraverso un transistor a canale corto quando è in modalità saturazione.

Simbolo: I_D(sat)

Misurazione: Corrente elettricaUnità: µA

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Corrente di saturazione del canale corto

Larghezza del canale

La larghezza del canale è definita come la larghezza fisica del canale del semiconduttore tra i terminali di source e drain all'interno della struttura del transistor.

Simbolo: W_c

Misurazione: LunghezzaUnità: μm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Larghezza del canale

Velocità di deriva degli elettroni in saturazione

La velocità di deriva degli elettroni di saturazione è definita come la velocità massima raggiunta dagli elettroni in un materiale semiconduttore sotto l'influenza di un campo elettrico.

Simbolo: v_d(sat)

Misurazione: VelocitàUnità: cm/s

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Velocità di deriva degli elettroni in saturazione

Capacità di ossido per unità di area

La capacità di ossido per unità di area è definita come la capacità per unità di area dello strato di ossido isolante che separa il gate metallico dal materiale semiconduttore.

Simbolo: C_oxide

Misurazione: Capacità di ossido per area unitariaUnità: μF/cm²

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Capacità di ossido per unità di area

Tensione della sorgente di drenaggio di saturazione

La tensione della sorgente di drenaggio di saturazione è definita come la tensione attraverso i terminali di drain e source di un MOSFET quando il transistor funziona in modalità saturazione.

Simbolo: V_Dsat

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione della sorgente di drenaggio di saturazione

Altre formule nella categoria Ottimizzazione dei materiali VLSI

va Coefficiente di effetto corporeo

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

va Channel Charge

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

va Tensione critica

V x = E x \cdot E ch

va Coefficiente DIBL

η = \frac{V t0 - V t}{V ds}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Corrente di saturazione del canale corto VLSI?

Il valutatore Corrente di saturazione del canale corto VLSI utilizza Short Channel Saturation Current = Larghezza del canale*Velocità di deriva degli elettroni in saturazione*Capacità di ossido per unità di area*Tensione della sorgente di drenaggio di saturazione per valutare Corrente di saturazione del canale corto, La formula VLSI della corrente di saturazione a canale corto è definita come la corrente massima che può fluire attraverso un transistor a canale corto quando è in modalità saturazione. Corrente di saturazione del canale corto è indicato dal simbolo I_D(sat).

Come valutare Corrente di saturazione del canale corto VLSI utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Corrente di saturazione del canale corto VLSI, inserisci Larghezza del canale (W_c), Velocità di deriva degli elettroni in saturazione (v_d(sat)), Capacità di ossido per unità di area (C_oxide) & Tensione della sorgente di drenaggio di saturazione (V_Dsat) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Corrente di saturazione del canale corto VLSI

Qual è la formula per trovare Corrente di saturazione del canale corto VLSI?

La formula di Corrente di saturazione del canale corto VLSI è espressa come Short Channel Saturation Current = Larghezza del canale*Velocità di deriva degli elettroni in saturazione*Capacità di ossido per unità di area*Tensione della sorgente di drenaggio di saturazione. Ecco un esempio: 5.3E+8 = 2.5E-06*200000*0.000703*1.5.

Come calcolare Corrente di saturazione del canale corto VLSI?

Con Larghezza del canale (W_c), Velocità di deriva degli elettroni in saturazione (v_d(sat)), Capacità di ossido per unità di area (C_oxide) & Tensione della sorgente di drenaggio di saturazione (V_Dsat) possiamo trovare Corrente di saturazione del canale corto VLSI utilizzando la formula - Short Channel Saturation Current = Larghezza del canale*Velocità di deriva degli elettroni in saturazione*Capacità di ossido per unità di area*Tensione della sorgente di drenaggio di saturazione.

Il Corrente di saturazione del canale corto VLSI può essere negativo?

NO, Corrente di saturazione del canale corto VLSI, misurato in Corrente elettrica non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Corrente di saturazione del canale corto VLSI?

Corrente di saturazione del canale corto VLSI viene solitamente misurato utilizzando microampere[µA] per Corrente elettrica. Ampere[µA], Millampere[µA], Centiampere[µA] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Corrente di saturazione del canale corto VLSI.

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Esempio di Corrente di saturazione del canale corto VLSI

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Corrente di saturazione del canale corto VLSI Formula Elementi

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