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Formula Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS

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La corrente di drenaggio della regione di saturazione è la corrente che scorre dal terminale di drenaggio al terminale di sorgente quando il transistor funziona in una modalità specifica. Controlla FAQs
ID(sat)=W⋅Vd(sat)⋅∫(q⋅nx,x,0,Leff)
ID(sat) - Corrente di drenaggio della regione di saturazione?W - Larghezza del canale?Vd(sat) - Velocità di deriva degli elettroni in saturazione?q - Carica?nx - Parametro del canale corto?Leff - Lunghezza effettiva del canale?

Esempio di Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS

Con valori
Con unità
Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS con Valori.

Ecco come appare l'equazione Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS con unità.

Ecco come appare l'equazione Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS.

184.2744Edit=2.678Edit⋅5.773Edit⋅∫(0.3Edit⋅5.12Edit,x,0,7.76Edit)
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HomeIcon Casa » Category Ingegneria » Category Elettronica » Category Elettronica analogica » fx Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS

Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS?

Primo passo Considera la formula
ID(sat)=W⋅Vd(sat)⋅∫(q⋅nx,x,0,Leff)
Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili
∴ ID(sat)=2.678m⋅5.773m/s⋅∫(0.3C⋅5.12,x,0,7.76m)
Passo successivo Preparati a valutare
∴ ID(sat)=2.678⋅5.773⋅∫(0.3⋅5.12,x,0,7.76)
Passo successivo Valutare
∴ID(sat)=184.27442601984A
Ultimo passo Risposta arrotondata
∴ID(sat)=184.2744A

Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS Formula Elementi

Variabili
Funzioni
Corrente di drenaggio della regione di saturazione
La corrente di drenaggio della regione di saturazione è la corrente che scorre dal terminale di drenaggio al terminale di sorgente quando il transistor funziona in una modalità specifica.
Simbolo: ID(sat)
Misurazione: Corrente elettricaUnità: A
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Formule per trovare Corrente di drenaggio della regione di saturazioneOpen Variable
Larghezza del canale
La larghezza del canale rappresenta la larghezza del canale conduttivo all'interno di un MOSFET, influenzando direttamente la quantità di corrente che può gestire.
Simbolo: W
Misurazione: LunghezzaUnità: m
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Formule per trovare Larghezza del canaleOpen Variable
Velocità di deriva degli elettroni in saturazione
La velocità di deriva degli elettroni di saturazione rappresenta la velocità di deriva degli elettroni alla saturazione in un MOSFET che si trova a bassi campi elettrici.
Simbolo: Vd(sat)
Misurazione: VelocitàUnità: m/s
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Formule per trovare Velocità di deriva degli elettroni in saturazioneOpen Variable
Carica
Una carica è la proprietà fondamentale delle forme di materia che esibiscono attrazione o repulsione elettrostatica in presenza di altra materia.
Simbolo: q
Misurazione: Carica elettricaUnità: C
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Formule per trovare CaricaOpen Variable
Parametro del canale corto
Il parametro a canale corto è un parametro (potenzialmente specifico del modello) utilizzato per descrivere una caratteristica della regione del canale in un MOSFET a canale corto.
Simbolo: nx
Misurazione: NAUnità: Unitless
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Formule per trovare Parametro del canale cortoOpen Variable
Lunghezza effettiva del canale
La lunghezza effettiva del canale è la parte del canale che conduce attivamente la corrente quando il transistor è in funzione.
Simbolo: Leff
Misurazione: LunghezzaUnità: m
Nota: Il valore può essere positivo o negativo.
Formule per trovare Lunghezza effettiva del canaleOpen Variable
int
L'integrale definito può essere utilizzato per calcolare l'area netta con segno, che è l'area sopra l'asse x meno l'area sotto l'asse x.
Sintassi: int(expr, arg, from, to)

Altre formule nella categoria Transistor MOS

​va Capacità di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero per unità di lunghezza
Cjsw=Cj0sw⋅xj
​va Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni
Ceq(sw)=P⋅Cjsw⋅Keq(sw)
​va Potenziale di Fermi per il tipo P
ΦFp=[BoltZ]⋅Ta[Charge-e]⋅ln(niNA)
​va Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale
Keq(sw)=-(2⋅ΦoswV2-V1⋅(Φosw-V2-Φosw-V1))

Come valutare Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS?

Il valutatore Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS utilizza Saturation Region Drain Current = Larghezza del canale*Velocità di deriva degli elettroni in saturazione*int(Carica*Parametro del canale corto,x,0,Lunghezza effettiva del canale) per valutare Corrente di drenaggio della regione di saturazione, La corrente di drain nella regione di saturazione nella formula del transistor MOS è definita come la corrente che scorre dal terminale di drain al terminale di source quando il transistor funziona in una modalità specifica. Corrente di drenaggio della regione di saturazione è indicato dal simbolo ID(sat).

Come valutare Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS, inserisci Larghezza del canale (W), Velocità di deriva degli elettroni in saturazione (Vd(sat)), Carica (q), Parametro del canale corto (nx) & Lunghezza effettiva del canale (Leff) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS

Qual è la formula per trovare Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS?
La formula di Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS è espressa come Saturation Region Drain Current = Larghezza del canale*Velocità di deriva degli elettroni in saturazione*int(Carica*Parametro del canale corto,x,0,Lunghezza effettiva del canale). Ecco un esempio: 184.2744 = 2.678*5.773*int(0.3*5.12,x,0,7.76).
Come calcolare Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS?
Con Larghezza del canale (W), Velocità di deriva degli elettroni in saturazione (Vd(sat)), Carica (q), Parametro del canale corto (nx) & Lunghezza effettiva del canale (Leff) possiamo trovare Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS utilizzando la formula - Saturation Region Drain Current = Larghezza del canale*Velocità di deriva degli elettroni in saturazione*int(Carica*Parametro del canale corto,x,0,Lunghezza effettiva del canale). Questa formula utilizza anche le funzioni Integrale definito (int).
Il Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS può essere negativo?
SÌ, Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS, misurato in Corrente elettrica Potere può essere negativo.
Quale unità viene utilizzata per misurare Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS?
Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS viene solitamente misurato utilizzando Ampere[A] per Corrente elettrica. Millampere[A], microampere[A], Centiampere[A] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS.
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