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Formula Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs

vaAssorbimento di corrente del MOSFET durante il funzionamento a segnale elevato data la tensione di overdrive Formula

vaDrain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET Formula

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La corrente di drain è la corrente che scorre tra i terminali di drain e source di un transistor ad effetto di campo (FET), che è un tipo di transistor comunemente utilizzato nei circuiti elettronici. Controlla FAQs

i d = K n \cdot ({(V c - V t)}^{2})

i_d - Assorbimento di corrente?K_n - Parametro di transconduttanza?V_c - Tensione critica?V_t - Tensione totale?

Esempio di Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs con Valori.

Ecco come appare l'equazione Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs con unità.

Ecco come appare l'equazione Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs.

206.1259 = 0.07 \cdot ({(0.284 - 2)}^{2})

206.1259mA = 0.07A/V² \cdot ({(0.284V - 2V)}^{2})

206.1259 = 0.07 \cdot ({(0.284 - 2)}^{2})

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs?

Primo passo Considera la formula

i d = K n \cdot ({(V c - V t)}^{2})

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

i d = 0.07A/V² \cdot ({(0.284V - 2V)}^{2})

Passo successivo Preparati a valutare

∴

i d = 0.07 \cdot ({(0.284 - 2)}^{2})

Passo successivo Valutare

∴

i d = 0.20612592A

Passo successivo Converti nell'unità di output

∴

i d = 206.12592mA

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

i d = 206.1259mA

Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs Formula Elementi

Variabili

Assorbimento di corrente

Simbolo: i_d

Misurazione: Corrente elettricaUnità: mA

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Assorbimento di corrente

Parametro di transconduttanza

Il parametro di transconduttanza Kn è una misura della variazione della corrente che scorre attraverso un transistor in risposta a una piccola variazione di tensione.

Simbolo: K_n

Misurazione: Parametro di transconduttanzaUnità: A/V²

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Parametro di transconduttanza

Tensione critica

La tensione critica è la fase minima rispetto alla tensione neutra che si illumina e appare lungo tutto il conduttore di linea.

Simbolo: V_c

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione critica

Tensione totale

La tensione totale in un circuito in serie è uguale alla somma di tutte le singole cadute di tensione nel circuito.

Simbolo: V_t

Misurazione: Potenziale elettricoUnità: V

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Tensione totale

Altre formule per trovare Assorbimento di corrente

va Assorbimento di corrente del MOSFET durante il funzionamento a segnale elevato data la tensione di overdrive

i d = (\frac{I b}{V ov}) \cdot (\frac{V id}{2})

va Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET

i d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V gs - V th)}^{2}

va Scaricare la corrente nella linea di carico

i d = \frac{V dd - V ds}{R L}

va Corrente di scarico istantanea

i d = K n \cdot {(V gsq - V t + V c)}^{2}

Altre formule nella categoria Attuale

va Prima corrente di scarico del MOSFET nel funzionamento a grande segnale

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{V id}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

va Seconda corrente di scarico del MOSFET durante il funzionamento a grande segnale

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2} \cdot \sqrt{1 - \frac{{(V id)}^{2}}{4 \cdot {V ov}^{2}}}

va Prima corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive

I d1 = \frac{I b}{2} + \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

va Seconda corrente di assorbimento del MOSFET durante il funzionamento con segnali di grandi dimensioni data la tensione di overdrive

I d2 = \frac{I b}{2} - \frac{I b}{V ov} \cdot \frac{V id}{2}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs?

Il valutatore Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs utilizza Drain Current = Parametro di transconduttanza*((Tensione critica-Tensione totale)^2) per valutare Assorbimento di corrente, La corrente di drenaggio istantanea rispetto alla componente CC di Vgs è definita come la corrente di drenaggio che viene fatta passare attraverso il transistor quando su di esso agisce una tensione da gate a source. Assorbimento di corrente è indicato dal simbolo i_d.

Come valutare Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs, inserisci Parametro di transconduttanza (K_n), Tensione critica (V_c) & Tensione totale (V_t) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs

Qual è la formula per trovare Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs?

La formula di Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs è espressa come Drain Current = Parametro di transconduttanza*((Tensione critica-Tensione totale)^2). Ecco un esempio: 45587.43 = 0.07*((0.284-2)^2).

Come calcolare Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs?

Con Parametro di transconduttanza (K_n), Tensione critica (V_c) & Tensione totale (V_t) possiamo trovare Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs utilizzando la formula - Drain Current = Parametro di transconduttanza*((Tensione critica-Tensione totale)^2).

Quali sono gli altri modi per calcolare Assorbimento di corrente?

Ecco i diversi modi per calcolare Assorbimento di corrente-

Drain Current=(DC Bias Current/Overdrive Voltage)*(Differential Input Signal/2)
Drain Current=1/2*Process Transconductance in PMOS*Aspect Ratio*(Gate-Source Voltage-Threshold Voltage)^2
Drain Current=(Supply Voltage-Drain Source Voltage)/Load Resistance

Il Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs può essere negativo?

NO, Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs, misurato in Corrente elettrica non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs?

Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs viene solitamente misurato utilizzando Millampere[mA] per Corrente elettrica. Ampere[mA], microampere[mA], Centiampere[mA] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs.

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Formula Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs

​vaAssorbimento di corrente del MOSFET durante il funzionamento a segnale elevato data la tensione di overdrive Formula

​vaDrain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET Formula

Esempio di Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs

Corrente di drain istantanea rispetto alla componente DC di Vgs Soluzione

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vaAssorbimento di corrente del MOSFET durante il funzionamento a segnale elevato data la tensione di overdrive Formula

vaDrain Current senza modulazione della lunghezza del canale del MOSFET Formula