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Formula Conduttività ohmica delle impurità

vaConduttività di tipo N Formula

vaConduttività di tipo P Formula

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La conduttività ohmica è la misura della capacità del materiale di far passare il flusso di corrente elettrica. La conduttività elettrica differisce da un materiale all'altro. Controlla FAQs

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

σ - Conduttività ohmica?q - Carica?μ_n - Mobilità del silicio con drogaggio elettronico?n_e - Concentrazione di elettroni?μ_p - Mobilità del silicio drogato con fori?p - Concentrazione dei fori?

Esempio di Conduttività ohmica delle impurità

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Conduttività ohmica delle impurità con Valori.

Ecco come appare l'equazione Conduttività ohmica delle impurità con unità.

Ecco come appare l'equazione Conduttività ohmica delle impurità.

0.1044 = 5 \cdot (0.38 \cdot 50.6 + 2.4 \cdot 0.69)

0.1044mho/cm = 5mC \cdot (0.38cm²/V*s \cdot 50.61/cm³ + 2.4cm²/V*s \cdot 0.691/cm³)

0.1044 = 5 \cdot (0.38 \cdot 50.6 + 2.4 \cdot 0.69)

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Circuiti integrati (IC) » fx Conduttività ohmica delle impurità

Conduttività ohmica delle impurità Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Conduttività ohmica delle impurità?

Primo passo Considera la formula

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

σ = 5mC \cdot (0.38cm²/V*s \cdot 50.61/cm³ + 2.4cm²/V*s \cdot 0.691/cm³)

Passo successivo Converti unità

∴

σ = 0.005C \cdot (3.8E-5m²/V*s \cdot 5.1E+71/m³ + 0.0002m²/V*s \cdot 6900001/m³)

Passo successivo Preparati a valutare

∴

σ = 0.005 \cdot (3.8E-5 \cdot 5.1E+7 + 0.0002 \cdot 690000)

Passo successivo Valutare

∴

σ = 10.442S/m

Passo successivo Converti nell'unità di output

∴

σ = 0.10442mho/cm

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

σ = 0.1044mho/cm

Conduttività ohmica delle impurità Formula Elementi

Variabili

Conduttività ohmica

La conduttività ohmica è la misura della capacità del materiale di far passare il flusso di corrente elettrica. La conduttività elettrica differisce da un materiale all'altro.

Simbolo: σ

Misurazione: Conducibilità elettricaUnità: mho/cm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Conduttività ohmica

Carica

Carica una caratteristica di un'unità di materia che esprime la misura in cui essa ha più o meno elettroni rispetto ai protoni.

Simbolo: q

Misurazione: Carica elettricaUnità: mC

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Carica

Mobilità del silicio con drogaggio elettronico

La mobilità del silicio con drogaggio elettronico caratterizza la velocità con cui un elettrone può muoversi attraverso un metallo o un semiconduttore quando viene attratto da un campo elettrico.

Simbolo: μ_n

Misurazione: MobilitàUnità: cm²/V*s

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Mobilità del silicio con drogaggio elettronico

Concentrazione di elettroni

La concentrazione di elettroni è influenzata da vari fattori come la temperatura, le impurità o i droganti aggiunti al materiale semiconduttore e i campi elettrici o magnetici esterni.

Simbolo: n_e

Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/cm³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Concentrazione di elettroni

Mobilità del silicio drogato con fori

La mobilità del silicio con drogaggio dei fori è la capacità di un foro di spostarsi attraverso un metallo o un semiconduttore in presenza di un campo elettrico applicato.

Simbolo: μ_p

Misurazione: MobilitàUnità: cm²/V*s

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Mobilità del silicio drogato con fori

Concentrazione dei fori

La concentrazione dei fori implica un numero maggiore di portatori di carica disponibili nel materiale, influenzandone la conduttività e vari dispositivi a semiconduttore.

Simbolo: p

Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/cm³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Concentrazione dei fori

Altre formule per trovare Conduttività ohmica

va Conduttività di tipo N

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

va Conduttività di tipo P

σ = q \cdot (μ n \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N a}) + μ p \cdot N a)

Altre formule nella categoria Fabbricazione di circuiti integrati bipolari

va Impurezza con concentrazione intrinseca

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

va Tensione di breakout dell'emettitore del collettore

V ce = \frac{V cb}{{(i g)}^{\frac{1}{n}}}

va Resistenza dello strato diffuso

R = (\frac{1}{σ}) \cdot (\frac{L}{W \cdot t})

va Resistenza del foglio dello strato

R s = \frac{1}{q \cdot μ n \cdot N d \cdot t}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Conduttività ohmica delle impurità?

Il valutatore Conduttività ohmica delle impurità utilizza Ohmic Conductivity = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori) per valutare Conduttività ohmica, La conduttività ohmica delle impurità si riferisce specificamente a una relazione lineare tra la corrente che passa attraverso un materiale e la tensione applicata. Nel contesto degli atomi di impurità in un semiconduttore, il comportamento di conduttività è determinato principalmente dalla concentrazione del drogante, dai portatori di carica introdotti e dalla loro mobilità all'interno del reticolo cristallino. Conduttività ohmica è indicato dal simbolo σ.

Come valutare Conduttività ohmica delle impurità utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Conduttività ohmica delle impurità, inserisci Carica (q), Mobilità del silicio con drogaggio elettronico (μ_n), Concentrazione di elettroni (n_e), Mobilità del silicio drogato con fori (μ_p) & Concentrazione dei fori (p) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Conduttività ohmica delle impurità

Qual è la formula per trovare Conduttività ohmica delle impurità?

La formula di Conduttività ohmica delle impurità è espressa come Ohmic Conductivity = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori). Ecco un esempio: 0.00086 = 0.005*(3.8E-05*50600000+0.00024*690000).

Come calcolare Conduttività ohmica delle impurità?

Con Carica (q), Mobilità del silicio con drogaggio elettronico (μ_n), Concentrazione di elettroni (n_e), Mobilità del silicio drogato con fori (μ_p) & Concentrazione dei fori (p) possiamo trovare Conduttività ohmica delle impurità utilizzando la formula - Ohmic Conductivity = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori).

Quali sono gli altri modi per calcolare Conduttività ohmica?

Ecco i diversi modi per calcolare Conduttività ohmica-

Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*Equilibrium Concentration of N-Type+Hole Doping Silicon Mobility*(Intrinsic Concentration^2/Equilibrium Concentration of N-Type))
Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*(Intrinsic Concentration^2/Equilibrium Concentration of P-Type)+Hole Doping Silicon Mobility*Equilibrium Concentration of P-Type)

Il Conduttività ohmica delle impurità può essere negativo?

NO, Conduttività ohmica delle impurità, misurato in Conducibilità elettrica non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Conduttività ohmica delle impurità?

Conduttività ohmica delle impurità viene solitamente misurato utilizzando Mho/Centimetro[mho/cm] per Conducibilità elettrica. Siemens/Metro[mho/cm], Mho/Metro[mho/cm], Abmho/Metro[mho/cm] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Conduttività ohmica delle impurità.

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​vaConduttività di tipo P Formula

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Conduttività ohmica delle impurità Soluzione

Conduttività ohmica delle impurità Formula Elementi

Altre formule per trovare Conduttività ohmica

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FAQs SU Conduttività ohmica delle impurità

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