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Formula Conduttività di tipo N

vaConduttività ohmica delle impurità Formula

vaConduttività di tipo P Formula

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La conduttività ohmica è la misura della capacità del materiale di far passare il flusso di corrente elettrica. La conduttività elettrica differisce da un materiale all'altro. Controlla FAQs

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

σ - Conduttività ohmica?q - Carica?μ_n - Mobilità del silicio con drogaggio elettronico?N_d - Concentrazione di equilibrio di tipo N?μ_p - Mobilità del silicio drogato con fori?n_i - Concentrazione intrinseca?

Esempio di Conduttività di tipo N

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Conduttività di tipo N con Valori.

Ecco come appare l'equazione Conduttività di tipo N con unità.

Ecco come appare l'equazione Conduttività di tipo N.

0.086 = 5 \cdot (0.38 \cdot 45 + 2.4 \cdot (\frac{{1.32}^{2}}{45}))

0.086mho/cm = 5mC \cdot (0.38cm²/V*s \cdot 451/cm³ + 2.4cm²/V*s \cdot (\frac{{1.321/cm³}^{2}}{451/cm³}))

0.086 = 5 \cdot (0.38 \cdot 45 + 2.4 \cdot (\frac{{1.32}^{2}}{45}))

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Circuiti integrati (IC) » fx Conduttività di tipo N

Conduttività di tipo N Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Conduttività di tipo N?

Primo passo Considera la formula

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

σ = 5mC \cdot (0.38cm²/V*s \cdot 451/cm³ + 2.4cm²/V*s \cdot (\frac{{1.321/cm³}^{2}}{451/cm³}))

Passo successivo Converti unità

∴

σ = 0.005C \cdot (3.8E-5m²/V*s \cdot 4.5E+71/m³ + 0.0002m²/V*s \cdot (\frac{{1.3E+61/m³}^{2}}{4.5E+71/m³}))

Passo successivo Preparati a valutare

∴

σ = 0.005 \cdot (3.8E-5 \cdot 4.5E+7 + 0.0002 \cdot (\frac{{1.3E+6}^{2}}{4.5E+7}))

Passo successivo Valutare

∴

σ = 8.596464S/m

Passo successivo Converti nell'unità di output

∴

σ = 0.08596464mho/cm

Ultimo passo Risposta arrotondata

∴

σ = 0.086mho/cm

Conduttività di tipo N Formula Elementi

Variabili

Conduttività ohmica

La conduttività ohmica è la misura della capacità del materiale di far passare il flusso di corrente elettrica. La conduttività elettrica differisce da un materiale all'altro.

Simbolo: σ

Misurazione: Conducibilità elettricaUnità: mho/cm

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Conduttività ohmica

Carica

Carica una caratteristica di un'unità di materia che esprime la misura in cui essa ha più o meno elettroni rispetto ai protoni.

Simbolo: q

Misurazione: Carica elettricaUnità: mC

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Carica

Mobilità del silicio con drogaggio elettronico

La mobilità del silicio con drogaggio elettronico caratterizza la velocità con cui un elettrone può muoversi attraverso un metallo o un semiconduttore quando viene attratto da un campo elettrico.

Simbolo: μ_n

Misurazione: MobilitàUnità: cm²/V*s

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Mobilità del silicio con drogaggio elettronico

Concentrazione di equilibrio di tipo N

La concentrazione di equilibrio del tipo N è uguale alla densità degli atomi donatori perché gli elettroni per la conduzione sono forniti esclusivamente dall'atomo donatore.

Simbolo: N_d

Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/cm³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Concentrazione di equilibrio di tipo N

Mobilità del silicio drogato con fori

La mobilità del silicio con drogaggio dei fori è la capacità di un foro di spostarsi attraverso un metallo o un semiconduttore in presenza di un campo elettrico applicato.

Simbolo: μ_p

Misurazione: MobilitàUnità: cm²/V*s

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Mobilità del silicio drogato con fori

Concentrazione intrinseca

La concentrazione intrinseca è il numero di elettroni nella banda di conduzione o il numero di lacune nella banda di valenza nel materiale intrinseco.

Simbolo: n_i

Misurazione: Concentrazione del portatoreUnità: 1/cm³

Nota: Il valore deve essere maggiore di 0.

Formule per trovare Concentrazione intrinseca

Altre formule per trovare Conduttività ohmica

va Conduttività ohmica delle impurità

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

va Conduttività di tipo P

σ = q \cdot (μ n \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N a}) + μ p \cdot N a)

Altre formule nella categoria Fabbricazione di circuiti integrati bipolari

va Impurezza con concentrazione intrinseca

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

va Tensione di breakout dell'emettitore del collettore

V ce = \frac{V cb}{{(i g)}^{\frac{1}{n}}}

va Resistenza dello strato diffuso

R = (\frac{1}{σ}) \cdot (\frac{L}{W \cdot t})

va Resistenza del foglio dello strato

R s = \frac{1}{q \cdot μ n \cdot N d \cdot t}

Vedi altro OpenImg

Come valutare Conduttività di tipo N?

Il valutatore Conduttività di tipo N utilizza Ohmic Conductivity = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N)) per valutare Conduttività ohmica, La formula Conduttività di tipo N è definita come un semiconduttore intrinseco o estrinseco, è determinata dalla sua capacità di condurre corrente elettrica. I semiconduttori di tipo N sono drogati con impurità che introducono elettroni aggiuntivi nel reticolo cristallino del semiconduttore. Conduttività ohmica è indicato dal simbolo σ.

Come valutare Conduttività di tipo N utilizzando questo valutatore online? Per utilizzare questo valutatore online per Conduttività di tipo N, inserisci Carica (q), Mobilità del silicio con drogaggio elettronico (μ_n), Concentrazione di equilibrio di tipo N (N_d), Mobilità del silicio drogato con fori (μ_p) & Concentrazione intrinseca (n_i) e premi il pulsante Calcola.

FAQs SU Conduttività di tipo N

Qual è la formula per trovare Conduttività di tipo N?

La formula di Conduttività di tipo N è espressa come Ohmic Conductivity = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N)). Ecco un esempio: 0.00086 = 0.005*(3.8E-05*45000000+0.00024*(1320000^2/45000000)).

Come calcolare Conduttività di tipo N?

Con Carica (q), Mobilità del silicio con drogaggio elettronico (μ_n), Concentrazione di equilibrio di tipo N (N_d), Mobilità del silicio drogato con fori (μ_p) & Concentrazione intrinseca (n_i) possiamo trovare Conduttività di tipo N utilizzando la formula - Ohmic Conductivity = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N)).

Quali sono gli altri modi per calcolare Conduttività ohmica?

Ecco i diversi modi per calcolare Conduttività ohmica-

Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*Electron Concentration+Hole Doping Silicon Mobility*Hole Concentration)
Ohmic Conductivity=Charge*(Electron Doping Silicon Mobility*(Intrinsic Concentration^2/Equilibrium Concentration of P-Type)+Hole Doping Silicon Mobility*Equilibrium Concentration of P-Type)

Il Conduttività di tipo N può essere negativo?

NO, Conduttività di tipo N, misurato in Conducibilità elettrica non può può essere negativo.

Quale unità viene utilizzata per misurare Conduttività di tipo N?

Conduttività di tipo N viene solitamente misurato utilizzando Mho/Centimetro[mho/cm] per Conducibilità elettrica. Siemens/Metro[mho/cm], Mho/Metro[mho/cm], Abmho/Metro[mho/cm] sono le poche altre unità in cui è possibile misurare Conduttività di tipo N.

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Altre formule per trovare Conduttività ohmica

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