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Formula Conduttanza del canale del MOSFET utilizzando la tensione da gate a source

vaConduttanza nella resistenza lineare del MOSFET Formula

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La conduttanza del canale è tipicamente definita come il rapporto tra la corrente che passa attraverso il canale e la tensione ai suoi capi. Controlla FAQs

G = μ s \cdot C ox \cdot \frac{W c}{L} \cdot (V gs - V th)

G - Conduttanza del canale?μ_s - Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale?C_ox - Capacità dell'ossido?W_c - Larghezza del canale?L - Lunghezza del canale?V_gs - Tensione gate-source?V_th - Soglia di voltaggio?

Esempio di Conduttanza del canale del MOSFET utilizzando la tensione da gate a source

Con valori

Con unità

Unico esempio

Ecco come appare l'equazione Conduttanza del canale del MOSFET utilizzando la tensione da gate a source con Valori.

Ecco come appare l'equazione Conduttanza del canale del MOSFET utilizzando la tensione da gate a source con unità.

Ecco come appare l'equazione Conduttanza del canale del MOSFET utilizzando la tensione da gate a source.

6.0724 = 38 \cdot 940 \cdot \frac{10}{100} \cdot (4 - 2.3)

6.0724mS = 38m²/V*s \cdot 940μF \cdot \frac{10μm}{100μm} \cdot (4V - 2.3V)

6.0724 = 38 \cdot 940 \cdot \frac{10}{100} \cdot (4 - 2.3)

Mancia: Utilizza l'icona della matita ( Pencil

) in alto per modificare i valori di input e le unità.

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Conduttanza del canale del MOSFET utilizzando la tensione da gate a source Soluzione

Segui la nostra soluzione passo passo su come calcolare Conduttanza del canale del MOSFET utilizzando la tensione da gate a source?

Primo passo Considera la formula

G = μ s \cdot C ox \cdot \frac{W c}{L} \cdot (V gs - V th)

Passo successivo Valori sostitutivi delle variabili

∴

G = 38m²/V*s \cdot 940μF \cdot \frac{10μm}{100μm} \cdot (4V - 2.3V)

Passo successivo Converti unità

∴

G = 38m²/V*s \cdot 0.0009F \cdot \frac{1E-5m}{0.0001m} \cdot (4V - 2.3V)

Passo successivo Preparati a valutare

∴

G = 38 \cdot 0.0009 \cdot \frac{1E-5}{0.0001} \cdot (4 - 2.3)

Passo successivo Valutare

∴

G = 0.0060724S

Ultimo passo Converti nell'unità di output

∴

G = 6.0724mS

Conduttanza del canale del MOSFET utilizzando la tensione da gate a source Formula Elementi

Variabili

Conduttanza del canale

La conduttanza del canale è tipicamente definita come il rapporto tra la corrente che passa attraverso il canale e la tensione ai suoi capi.

Simbolo: G

Misurazione: Conduttanza elettricaUnità: mS

Nota: Il valore può essere positivo o negativo.

Formule per trovare Conduttanza del canale

Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale

La mobilità degli elettroni sulla superficie del canale si riferisce alla capacità degli elettroni di muoversi o viaggiare attraverso la superficie di un materiale semiconduttore, come un canale di silicio in un transistor.

Simbolo: μ_s

Misurazione: MobilitàUnità: m²/V*s